本发明涉及太阳能电池片
技术领域：
，尤其是一种改善perc高效电池片外观小白点的退火工艺。
背景技术：
：常规退火是高温去除水汽，增加氧化铝的致密性，目前采用同一温度进出炉管，导致硅片表面在退火炉管中无法充分形成保护膜,电池片表面容易粘附环境中的杂质灰尘，造成电池片表面有小白点的情况的产生,影响功率。技术实现要素：本发明要解决的技术问题是：为了解决现有技术电池片在高温去水汽的退火工艺中，电池片表面容易产生小白点的问题，现提供一种改善perc高效电池片外观小白点的退火工艺。本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种改善perc高效电池片外观小白点的退火工艺，该退火工艺包括以下步骤：a：将炉管温度调低为550℃，然后将硅片放入炉管内，随后通入5000±1000sccm氧气，与硅片表面杂质发生氧化反应；b:再向炉管内通入5000±1000sccm氮气进行吹扫，去除硅片表面杂质；c：将炉管内温度提升至700±20℃，然后通入1000sccm氮气用以保护硅片表面，避免二次污染；d：硅片出炉管后降温至550℃。本发明的有益效果是：本发明在常规退火工艺去水汽的基础上，能够再次去除硅片表面杂质，并更好的保护硅片表面。具体实施方式实施例1一种改善perc高效电池片外观小白点的退火工艺，该退火工艺包括以下步骤：a：将炉管温度调低为550℃，然后将硅片放入炉管内，随后通入5000±1000sccm氧气，与硅片表面杂质发生氧化反应；b:再向炉管内通入5000±1000sccm氮气进行吹扫，去除硅片表面杂质；c：将炉管内温度提升至700±20℃，然后通入1000sccm氮气用以保护硅片表面，避免二次污染；d：硅片出炉管后降温至550℃。对比例1常规硅片退火工艺高温去水汽，具体如下：硅片进入炉管后，炉管内保持恒定温度，并通入氮气。用上述对比例1中的工艺制备30000片硅片和实施例1中的工艺制备1600片硅片，硅片上具有小白点的数量如表1：表1类型产量小白点数量小白点比例对比例1300002790.93％实施例1160040.25％通过表1可以看出：小白点情况有明显改善，有效的提高了硅片的成品率。用上述对比例1中的工艺及实施例1中的工艺分别制备2000片硅片，硅片的参数性能对比表如表2：表2表2中：以对比例1正常的功率为基准点，高于对比例1正常功率为正值，低于对比例1正常功率为负值；结合表2，实施例1中的改善perc高效电池片外观小白点的退火工艺相比于对比例1中的常规硅片退火工艺制备的电池片，功率、开压、并阻、填充及效率均有所提升。上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。技术特征：技术总结本发明涉及太阳能电池片
技术领域：
，尤其是一种改善PERC高效电池片外观小白点的退火工艺，该退火工艺包括以下步骤：a：将炉管温度调低为550℃，然后将硅片放入炉管内，随后通入5000±1000sccm氧气，与硅片表面杂质发生氧化反应；b:再向炉管内通入5000±1000sccm氮气进行吹扫，去除硅片表面杂质；c：将炉管内温度提升至700±20℃，然后通入1000sccm氮气用以保护硅片表面，避免二次污染；d：硅片出炉管后降温至550℃，本发明在常规退火工艺去水汽的基础上，能够再次去除硅片表面杂质，并更好的保护硅片表面。技术研发人员：徐泽宇;孙铁囤;姚伟忠受保护的技术使用者：常州亿晶光电科技有限公司技术研发日：2017.06.20技术公布日：2017.10.17