技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法，1）提供衬底；2）于所述衬底的上表面形成多量子阱结构分解层，所述多量子阱结构分解层中至少包括镓元素；3）于所述多量子阱结构分解层的上表面形成图形化掩膜层；4）将步骤3）得到的结构进行处理，使所述多量子阱结构分解层分解重构以得到分解重构叠层。本发明的半导体结构的制备方法制备的半导体结构在用于氮化镓生长时，分解重构叠层中的氮化镓晶种层可以为后续氮化镓的生长提供晶种，而重构分解层内部的孔洞不仅有利于后续生长的氮化镓的自剥离，还可以减少后续生长的氮化镓晶格间的应力，可以提高氮化镓的生长质量。
技术研发人员：王颖慧;罗晓菊
受保护的技术使用者：镓特半导体科技（上海）有限公司
技术研发日：2017.06.26
技术公布日：2017.10.20