技术特征：
技术总结
本发明提供了一种对与等离子体切割工艺的最终阶段相关的状况进行探测的方法，包括以下步骤：提供非金属基板，所述非金属基板上限定有多个切割通道；沿所述切割通道，等离子体蚀刻穿透所述衬底，其中在所述等离子体蚀刻期间，监测从所述切割通道的至少一部分发出的红外辐射，从而当观察到来自切割通道的红外辐射的增加时，视为进入等离子体切割操作的最后阶段；和由所监测的红外辐射探测与所述等离子体切割的最终阶段相关的状况。本发明还涉及相关的装置。
技术研发人员：奥立佛·J·安塞尔;戴维·A·托塞尔;马丁·哈尼辛克
受保护的技术使用者：SPTS科技有限公司
技术研发日：2017.07.03
技术公布日：2018.01.12