本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种主动发光显示面板及其制造方法。
背景技术：
主动发光显示面板，例如具有oled(organiclight-emittingdiode,有机发光二极管)或qled(quantumdotlightemittingdiodes,量子点发光二极管)器件的显示面板，具有响应速度快、对比度高等优点，已成为显示领域的主流趋势。当前，主动发光显示面板一般通过“oled或qled+cf”技术实现全彩显示，具体而言，oled或qled器件的发光层发出蓝光，蓝光从蓝色子像素区域直接透出，而在红色子像素区域和绿色子像素区域，蓝光照射至发光致光cf(colorfilter,彩色滤光片)，红色子像素区域的发光致光cf在被蓝光激发时发出红光，绿色子像素区域的发光致光cf在被蓝光激发时发出绿光，从而实现rgb全彩显示。但是，蓝光光子的能量较高，容易引起发光层中高分子有机材料的衰变，这使得主动发光显示面板的使用寿命大大降低。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明提供一种主动发光显示面板及其制造方法，能够提高主动发光显示面板的使用寿命。
本发明一实施例的主动发光显示面板，包括：
基板；
驱动阵列层，覆盖基板，所述驱动阵列层上方被划分有沿平行于基板方向依次相邻的第一区域、第二区域和第三区域；
第一发光图案，形成于第一区域或第二区域的驱动阵列层上；
第二发光图案，形成于第三区域的驱动阵列层上；
平坦层，覆盖第一发光图案、第二发光图案和驱动阵列层，所述平坦层开设有暴露驱动阵列层的tft的漏极的接触孔；
像素电极，形成于第一区域、第二区域和第三区域的平坦层上，所述像素电极覆盖接触孔并与tft的漏极连接；
像素限定层，形成于第一区域、第二区域和第三区域中两两相交处，且所述像素限定层覆盖位于第一区域、第二区域和第三区域中相邻两个区域的像素电极的边缘；
第三发光图案，形成于像素电极上；
反射电极，覆盖第三发光图案和像素限定层；
其中，当第一发光图案形成于第一区域的驱动阵列层上时，第三发光图案用于发出绿光，第一发光图案用于在被绿光激发时发出红光，第二发光图案用于在被绿光激发时发出蓝光；当第一发光图案形成于第二区域的驱动阵列层上时，第三发光图案用于发出红光，第一发光图案用于在被红光激发时发出绿光，第二发光图案用于在被红光激发时发出蓝光。
本发明一实施例的主动发光显示面板的制造方法，包括：
提供一基板；
形成覆盖基板的驱动阵列层，所述驱动阵列层上方被划分有沿平行于基板方向依次相邻的第一区域、第二区域和第三区域；
在第一区域或第二区域的驱动阵列层上形成第一发光图案；
在第三区域的驱动阵列层上形成第二发光图案；
形成覆盖第一发光图案、第二发光图案和驱动阵列层的平坦层，所述平坦层开设有暴露驱动阵列层的tft的漏极的接触孔；
在第一区域、第二区域和第三区域的平坦层上形成像素电极，所述像素电极覆盖接触孔并与tft的漏极连接；
在第一区域、第二区域和第三区域中两两相交处形成像素限定层，所述像素限定层覆盖位于第一区域、第二区域和第三区域中相邻两个区域的像素电极的边缘；
在像素电极上形成第三发光图案，其中，当第一发光图案形成于第一区域的驱动阵列层上时，第三发光图案用于发出绿光，第一发光图案用于在被绿光激发时发出红光，第二发光图案用于在被绿光激发时发出蓝光；当第一发光图案形成于第二区域的驱动阵列层上时，第三发光图案用于发出红光，第一发光图案用于在被红光激发时发出绿光，第二发光图案用于在被红光激发时发出蓝光；
形成覆盖第三发光图案和像素限定层的反射电极。
有益效果：本发明设计主动发光显示面板的第三发光图案，即发光层用于发出红光或绿光，而非蓝光，由于红光光子和绿光光子的能量均低于蓝光光子的能量，不容易引起发光层中高分子有机材料的衰变，因此能够提高主动发光显示面板的使用寿命。
附图说明
图1是本发明第一实施例的主动发光显示面板的结构剖视图；
图2是本发明第二实施例的主动发光显示面板的结构剖视图；
图3是本发明的主动发光显示面板的制造方法一实施例的流程示意图；
图4是基于图3所示方法制造图1所示主动发光显示面板的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明所提供的各个示例性的实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。在不冲突的情况下，下述各个实施例及其技术特征可以相互组合。
请参阅图1，为本发明第一实施例的主动发光显示面板。所述主动发光显示面板10可以包括基板11、驱动阵列层12、第一发光图案131、第二发光图案132、平坦层14、像素电极15、像素限定层(pixeldefinitionlayer,pdl)16、第三发光图案17以及反射电极18。
基板11包括但不限于玻璃基材、塑料基材等透光基材。基板11可以由pet(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、pen(聚萘二甲酸乙二醇酯)、pi(polyimide,聚酰亚胺)等合适的材料制得。
驱动阵列层12覆盖于基板11上。沿平行于基板11的方向，该驱动阵列层12的上方被划分有依次相邻的第一区域z1、第二区域z2和第三区域z3，且第一区域z1、第二区域z2和第三区域z3可分别视为主动发光显示面板10的红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域。基于此，在所述每一区域内，驱动阵列层12均设置有用于控制对应子像素显示的电器元件，例如tft(thinfilmtransistor,薄膜晶体管)，该tft既可以为顶栅型设计，也可以为底栅型设计。
第一发光图案131形成于第一区域z1的驱动阵列层12上。第一发光图案131的材质可以包括红光光致发光量子点，该红光光致发光量子点可以被绿光激发而发出波长大于绿光波长的红光。
第二发光图案132形成于第三区域z3的驱动阵列层12上。所述第二发光图案132的材质可以包括上转换发光材料，该上转换发光材料可以被绿光激发而发出波长小于绿光波长的蓝光。该上转换发光材料可以以纳米颗粒的形式存在，且每一纳米颗粒可以包括无机物以及掺杂于无机物中的稀土离子，其中，无机物包括但不限于卤化物、氧化物、硫化物以及硫氧化物中的至少一种，所掺杂的稀土离子包括但不限于er3+(铒离子)、ho3+(钬离子)、tm3+(铥离子)、pr3+(镨离子)、nd3+(钕离子)以及yb3+(镱离子)中的至少一种。
平坦层14为覆盖第一发光图案131、第二发光图案132以及驱动阵列层12的一整面透光结构，其开设有暴露tft的漏极的接触孔。
像素电极15形成于第一区域z1、第二区域z2和第三区域z3的平坦层14上，位于相邻两个区域的像素电极15可以间隔设置。在每一区域内，像素电极15覆盖接触孔并与tft的漏极连接。像素电极15为透明导电薄膜，其材质可以为ito(indiumtinoxide,氧化铟锡)。
像素限定层16由不透光的材质制成，用于定义主动发光显示面板10的各个子像素区域的开口区，每一子像素区域的四周均环绕有像素限定层16。换言之，像素限定层16形成于第一区域z1、第二区域z2和第三区域z3中两两相交处的平坦层14上，例如，如图1所示，像素限定层16形成于第一区域z1和第二区域z2的相交处，像素限定层16还形成于第二区域z2和第三区域z3的相交处。并且，所述像素限定层16还可以覆盖位于第一区域z1、第二区域z2和第三区域z3中相邻两个区域的像素电极15的边缘。
第三发光图案17形成于各个子像素区域的像素电极15上。
反射电极18覆盖于第三发光图案17和像素限定层16上。反射电极18可以为一整面结构，其材质包括但不限于银、铝等金属。
在本实施例中，鉴于第三发光图案17位于像素电极15和反射电极18之间，所述第三发光图案17可视为主动发光显示面板10的发光层。当然，该发光层还可以包括空穴注入层(holeinjectionlayer,hil)、空穴传输层(holetransportinglayer,htl)、空穴阻挡层(holeblockinglayer,hbl)、电子传输层(electrontransportlayer,etl)、电子注入层(electroninjectionlayer,eil)以及电子阻挡层(electronblockinglayer,hbl)中的至少一个。
当对像素电极15和反射电极18施加电压后，第三发光图案17主动发出绿光。在第二区域z2中，绿光从绿色子像素区域直接透出。在第一区域z1中，绿光照射到第一发光图案131，第一发光图案131中的量子点被激发而发出红光。在第三区域z3中，绿光照射到第二发光图案132，第二发光图案132中的上转换发光材料被激发而发出蓝光。由此，主动发光显示面板10能够实现rgb全彩显示。
在本实施例中，第一发光图案131和第二发光图案132相当于发光致光cf。基于发光致光量子点和上转换发光材料具有发光光谱可调、发光效率高以及fwhm(fullwidthathalfmaximum,半高宽)窄等特点，本实施例将发光致光量子点和上转换发光材料应用于主动发光显示面板10，可大幅提升其显示色域，且具有较高的光利用率。
另外，本实施例设计主动发光显示面板10的发光层用于发出绿光，而非蓝光，由于绿光光子的能量均低于蓝光光子的能量，不容易引起发光层中高分子有机材料的衰变，因此相比较于现有技术，本实施例能够提高主动发光显示面板10的使用寿命。
请继续参阅图1，本实施例的主动发光显示面板10还可以包括封装层19，该封装层19覆盖反射电极18并与基板11一同形成一个密封空间，以保护主动发光显示面板10的上述结构元件。
请参阅图2，为本发明第二实施例的主动发光显示面板。所述主动发光显示面板20可以包括基板21、驱动阵列层22、第一发光图案231、第二发光图案232、平坦层24、像素电极25、像素限定层26、第三发光图案27、反射电极28以及封装层29。
基板21包括但不限于玻璃基材、塑料基材等透光基材。基板21可以由pet、pen、pi等合适的材料制得。
驱动阵列层22覆盖于基板21上。沿平行于基板21的方向，该驱动阵列层22的上方被划分有依次相邻的第一区域z4、第二区域z5和第三区域z6，该三个区域可分别视为主动发光显示面板20的红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域。基于此，在所述每一区域内，驱动阵列层22均设置有用于控制对应子像素显示的电器元件，例如tft，该tft既可以为顶栅型设计，也可以为底栅型设计。
第一发光图案231形成于第二区域z5的驱动阵列层22上。第一发光图案231的材质可以包括上转换发光材料，该上转换发光材料可以被红光激发而发出波长小于红光波长的绿光。该上转换发光材料可以以纳米颗粒的形式存在，且每一纳米颗粒可以包括无机物以及掺杂于无机物中的稀土离子，其中，无机物包括但不限于卤化物、氧化物、硫化物以及硫氧化物中的至少一种，所掺杂的稀土离子包括但不限于er3+、ho3+、tm3+、pr3+、nd3+以及yb3+中的至少一种。
第二发光图案232形成于第三区域z6的驱动阵列层22上。所述第二发光图案232的材质可以包括上转换发光材料，该上转换发光材料可以被红光激发而发出波长小于红光波长的蓝光。该上转换发光材料可以以纳米颗粒的形式存在，且每一纳米颗粒可以包括无机物以及掺杂于无机物中的稀土离子，其中，无机物包括但不限于卤化物、氧化物、硫化物以及硫氧化物中的至少一种，所掺杂的稀土离子包括但不限于er3+、ho3+、tm3+、pr3+、nd3+以及yb3+中的至少一种。
平坦层24为覆盖第一发光图案231、第二发光图案232以及驱动阵列层22的一整面透光结构，其开设有暴露tft的漏极的接触孔。
像素电极25形成于第一区域z4、第二区域z5和第三区域z6的平坦层24上，位于相邻两个区域的像素电极25可以间隔设置。在每一区域内，像素电极25覆盖接触孔并与tft的漏极连接。像素电极25为透明导电薄膜，其材质可以为ito。
像素限定层26由不透光的材质制成，用于定义主动发光显示面板20的各个子像素区域的开口区，每一子像素区域的四周均环绕有像素限定层26。换言之，像素限定层26形成于第一区域z4、第二区域z5和第三区域z6中两两相交处的平坦层24上。并且，所述像素限定层26还可以覆盖位于第一区域z4、第二区域z5和第三区域z6中相邻两个区域的像素电极25的边缘。
第三发光图案27形成于各个子像素区域的像素电极25上。
反射电极28覆盖于第三发光图案27和像素限定层26上。反射电极28可以为一整面结构，其材质包括但不限于银、铝等金属。
封装层29覆盖反射电极28并与基板21一同形成一个密封空间，以保护主动发光显示面板20的上述结构元件。
在本实施例中，鉴于第三发光图案27位于像素电极25和反射电极28之间，所述第三发光图案27可视为主动发光显示面板20的发光层。当然，该发光层还可以包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层以及电子阻挡层中的至少一个。
当对像素电极25和反射电极28施加电压后，第三发光图案27主动发出红光。在第一区域z4中，红光从红色子像素区域直接透出。在第二区域z5中，红光照射到第一发光图案231，第一发光图案231中的上转换发光材料被激发而发出绿光。在第三区域z6中，红光照射到第二发光图案232，第二发光图案232中的上转换发光材料被激发而发出蓝光。由此，主动发光显示面板20能够实现rgb全彩显示。
在本实施例中，第一发光图案231和第二发光图案232相当于发光致光cf。基于上转换发光材料具有发光光谱可调、发光效率高以及fwhm窄等特点，本实施例将上转换发光材料应用于主动发光显示面板20，可大幅提升其显示色域，且具有较高的光利用率。
另外，本实施例设计主动发光显示面板20的发光层用于发出红光，而非蓝光，由于红光光子的能量均低于蓝光光子的能量，不容易引起发光层中高分子有机材料的衰变，因此相比较于现有技术，本实施例能够提高主动发光显示面板20的使用寿命。
应该理解到，图1所示主动发光显示面板10以及图2所示主动发光显示面板10仅为阐述本发明之发明目的示意图，本发明的主动发光显示面板还可以具有现有技术的其他结构，此处不予以赘述。
请参阅图3，为本发明一实施例的主动发光显示面板的制造方法。所述制造方法可用于形成具有图1或图2所示结构的主动发光显示面板，为便于描述，本发明下文以所述制造方法用于形成具有图1所示实施例结构的主动发光显示面板10为例进行说明。
所述制造方法可以包括如下步骤s31～s39。
s31：提供一基板。
基板11包括但不限于玻璃基材、塑料基材等透光基材。基板11可以由pet、pen、pi等合适的材料制得。
s32：形成覆盖基板的驱动阵列层，所述驱动阵列层上方被划分有沿平行于基板方向依次相邻的第一区域、第二区域和第三区域。
请参阅图4，沿平行于基板11的方向，该驱动阵列层12的上方被划分有依次相邻的第一区域z1、第二区域z2和第三区域z3，且第一区域z1、第二区域z2和第三区域z3可分别视为主动发光显示面板10的红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域。基于此，在每一区域内，驱动阵列层12均设置有用于控制对应子像素显示的电器元件，例如tft，该tft既可以为顶栅型设计，也可以为底栅型设计。
以底栅型设计的tft为例，本实施例形成tft的过程如下：
首先，本实施例可以采用pvd(physicalvapordeposition,物理气相沉积)方法在基板11上形成一整面金属层，而后对所述一整面金属层进行图案化制程，从而仅保留预定区域的金属层，从而形成栅极。其中，图案化制程可以包括光阻涂布、曝光、显影、刻蚀等工艺，具体可参阅现有技术，此处不予以赘述。
然后，本实施例可以采用cvd(chemicalvapordeposition,化学气相沉积)方法形成覆盖栅极的一整面的绝缘层。该绝缘层的材质可以为硅氧化物(siox)，或者所述绝缘层包括依次覆盖栅极的硅氧化合物层和硅氮化合物层，例如sio2(二氧化硅)层和si3n4(三氮化硅)层，进一步提高绝缘层的耐磨损能力和绝缘性能。
接着，本实施例可采用cvd方法形成一整面有源层，而后对一整面有源层进行图案化制程，从而仅保留该一整面有源层的位于栅极上方保的部分，即形成有源层。当然，本实施例也可采用cvd方法并结合具有预定图案的掩膜板，直接形成具有上述有源层。
最后，本实施例可以采用与形成栅极相同的图案化制程工艺形成所述tft的源极和漏极。
s33：在第一区域或第二区域的驱动阵列层上形成第一发光图案。
请参阅图4，本实施例可以采用pvd、溅射、蒸镀等方法在第一区域z1的驱动阵列层12上形成第一发光图案131。
s34：在第三区域的驱动阵列层上形成第二发光图案。
同理，本实施例可以采用pvd、溅射、蒸镀等方法在第三区域z3的驱动阵列层12上形成第二发光图案132。
s35：形成覆盖第一发光图案、第二发光图案和驱动阵列层的平坦层，所述平坦层开设有暴露驱动阵列层的tft的漏极的接触孔。
平坦层14为覆盖第一发光图案131、第二发光图案132以及驱动阵列层12的一整面透光结构，基于此，本实施例可以采用cvd方法形成所述平坦层14。进一步地，本实施例可以采用刻蚀等方法使得所述平坦层14在tft的漏极的上方形成暴露所述漏极的接触孔。
s36：在第一区域、第二区域和第三区域的平坦层上形成像素电极，所述像素电极覆盖接触孔并与tft的漏极连接。
本实施例可以采用pvd方法和图案化制程形成像素电极15。通过pvd方法在平坦层14上覆盖一整面透明电极，再通过图案化制程，例如刻蚀处理，以去除一整面透明导电的与上述三个区域中相邻两个区域相交处相重叠的部分，使得一整面透明电极在相邻两个区域相交处形成开孔区，即，使得位于相邻两个区域的像素电极15间隔设置。
当然，本实施例也可以在平坦层14上设置具有镂空区和非镂空区的掩膜板，而后，将透明导电材料通过所述掩膜板的镂空区沉积在平坦层14上，同时所述透明导电材料被所述掩膜板的非镂空区遮挡而未沉积在平坦层14上，从而形成上述像素电极15。
s37：在第一区域、第二区域和第三区域中两两相交处形成像素限定层，所述像素限定层覆盖位于第一区域、第二区域和第三区域中相邻两个区域的像素电极的边缘。
s38：在像素电极上形成第三发光图案，其中，当第一发光图案形成于第一区域的驱动阵列层上时，第三发光图案用于发出绿光，第一发光图案用于在被绿光激发时发出红光，第二发光图案用于在被绿光激发时发出蓝光；当第一发光图案形成于第二区域的驱动阵列层上时，第三发光图案用于发出红光，第一发光图案用于在被红光激发时发出绿光，第二发光图案用于在被红光激发时发出蓝光。
请参阅图4，本实施例可以采用pvd、溅射、蒸镀等方法在各个子像素区域的像素电极15上形成第三发光图案17。
s39：形成覆盖第三发光图案和像素限定层的反射电极。
反射电极18为覆盖于第三发光图案17和像素限定层16上的一整面结构。本实施例可以采用溅射法在第三发光图案17和像素限定层16上覆盖一层导电金属层，从而形成反射电极18。该导电金属层的材质包括但不限于银、铝等。
最后，本实施例可以采用pvd、溅射、蒸镀等方法在反射电极28上形成一封装层19，该封装层19覆盖反射电极18并与基板11一同形成一个密封空间，以保护主动发光显示面板10的上述结构元件。
上述制造方法可制得与图1或图2所示结构相同的主动发光显示面板，因此具有与其相同的有益效果。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，例如各实施例之间技术特征的相互结合，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。