技术特征：
技术总结
本发明公开了一种互补场效应晶体管及其制备方法和像素电路，该互补场效应晶体管包括：底栅型的第一晶体管和顶栅型的第二晶体管；在第一晶体管中设置有与第一栅极层叠设置的有第一导电图形；和/或，在第二晶体管中设置有与第二栅极层叠设置的第二导电图形。本发明的技术方案通过在第一晶体管中设置与第一栅极层叠设置的第一导电图形，在第一晶体管中设置与第二栅极层叠设置的第二导电图形，可有效降低第一晶体管和第二晶体管中栅极处的电阻，从而能提升第一晶体管和第二晶体管的性能。
技术研发人员：许静波;孟虎
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2017.07.17
技术公布日：2017.11.21