技术特征：
技术总结
本发明公开了一种预清洗腔室和半导体加工设备。预清洗腔室包括腔体、顶盖、承载件和金属板，顶盖设置在腔体顶端，用于密封腔体，承载件设置在腔体底部，用以承载晶片，金属板水平设置在承载件和顶盖之间，且金属板上设置有贯穿其厚度的多个第一通气孔，金属板接地，以过滤等离子体中的离子，等离子体在金属板表面形成等离子体鞘层，预清洗腔室还包括绝缘保护板，绝缘保护板设置在金属板和顶盖之间，绝缘保护板上设置有贯穿其厚度的多个第二通气孔，绝缘保护板能够阻止离子在等离子体鞘层的电压的驱动下轰击金属板的表面。本发明的预清洗腔室，能够有效降低晶片表面的金属离子污染，提高清洗晶片的良率。
技术研发人员：姜鑫先;陈鹏
受保护的技术使用者：北京北方华创微电子装备有限公司
技术研发日：2017.08.08
技术公布日：2019.02.26