本发明涉及微电子技术领域，具体而言，涉及一种引线框架结构、引线框架和封装器件。
背景技术
在射频、微波器件的封装方面，非气密性封装大量适用于工业产品。其中，通常采用灌封胶保护设置于引线框架结构上的芯片，以减缓水汽等侵入芯片内部的速度，提高该芯片以及封装器件的可靠性和稳固性等，但是，由于灌封胶的流动性较强，在对芯片进行封装的过程中，容易出现灌封胶流动至引线框架结构的其他区域而破坏产品结构，降低封装后的成品率。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明提供了一种引线框架结构、引线框架和封装器件，能够有效解决上述问题，避免灌封胶外溢现象，保证封装的成品率。
本发明较佳实施例提供一种引线框架结构包括第一引线框架，所述第一引线框架上设置有用于放置芯片以及填充灌封胶的容置槽。
在本发明较佳实施例的选择中，所述容置槽通过对所述第一引线框架的一面进行刻蚀形成。
在本发明较佳实施例的选择中，所述容置槽通过对所述第一引线框架进行冲压形成，其中，所述第一引线框架包括底部以及从底部延伸的弧形部，该弧形部和所述底部共同形成所述容置槽。
在本发明较佳实施例的选择中，所述第一引线框架包括设置于所述第一引线框架的凸台结构，所述容置槽由所述凸台结构和所述第一引线框架共同形成。
在本发明较佳实施例的选择中，所述容置槽为在所述第一引线框架的一表面形成的环形槽状区域。
在本发明较佳实施例的选择中，所述容置槽具有与容置槽的槽底部正对的顶部开口以及至少一个与该顶部开口连通的侧部开口。
在本发明较佳实施例的选择中，所述引线框架结构还包括制作于所述第一引线框架外围键合点的多个第二引线框架。
本发明较佳实施例还提供一种引线框架，包括支撑框架和多个上述的引线框架结构，多个所述引线框架结构通过所述支撑框架连接。
本发明较佳实施例还提供一种封装器件，包括芯片、灌封胶以及上述述的引线框架结构，所述芯片设置于所述引线框架结构中的容置槽，所述灌封胶填充于所述容置槽并覆盖所述芯片。
在本发明较佳实施例的选择中，所述封装器件还包括引线和封装层；
所述芯片和所述引线框架结构中的第二引线框架通过所述引线连接，所述封装层覆盖所述引线、所述灌封胶和所引线框架结构的至少部分面积，所述封装层为塑料封装层或陶瓷封装层。
与现有技术相比，本发明提供的引线框架结构、引线框架和封装器件，通过在第一引线框架上开设容置槽，能够有效避免在对位于该容置槽中的芯片进行封装时易出现的灌封胶外溢问题，提高了封装后的成品率。同时，该引线框架结构制作简单，适用于大规模推广及应用。
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明实施例提供的引线框架的立体结构示意图。
图2为本发明实施例提供的引线框架结构的剖面结构示意图。
图3为本发明实施例提供的引线框架结构的另一剖面结构示意图。
图4为本发明实施例提供的引线框架结构的又一剖面结构示意图。
图5为本发明实施例提供的引线框架结构的平面投影示意图。
图6为本发明实施例提供的封装器件的剖面结构示意图。
图标：10-封装器件；15-引线框架；20-引线框架结构；200-第一引线框架；202-底部；204-容置槽；2040-凸块；206-第二引线框架；25-支撑框架；30-芯片；40-灌封胶；50-引线；60-封装层。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例只是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本发明的描述中，术语“第一、第二、第三、第四等仅用于区分描述，而不能理解为只是或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
首先需要说明的是，引线框架作为集成电路中的芯片载体，是一种借助于键合引线实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，以形成电气回路的关键结构件，可起到和外部导线连接的桥梁作用，且该引线框架可应用于绝大多数半导体集成块。
如图1所示，为本发明实施例提供的引线框架15，该引线框架15由支撑框架25和多个引线框架结构20构成，且多个所述引线框架结构20通过所述支撑框架25连接。
其中，所述支撑框架25作为所述引线框架15中的连接件，实际应用过程中，在完成对所述引线框架结构20的封装后，需要沿着所述支撑框架25上进行切割，以得到半导体集成块或其他封装件。可选地，所述引线框架15和所述支撑框架25的大小、形状等在此不作限制，需根据实际需求进行灵活设计。
请再次参阅图1，所述引线框架结构20包括第一引线框架200，所述第一引线框架200上设置有用于放置芯片30以及填充灌封胶40的容置槽204，且该容置槽204能够有效防止灌封胶40外溢以损坏所述引线框架结构20的其他部件，提高封装成品率。
根据实际需求，所述容置槽204可以是直接设置于所述第一引线框架200上的凹槽结构，或是由位于所述第一引线框架200的一面的凸台结构和所述第一引线框架200共同形成。详细地，所述容置槽204可以是在所述第一引线框架200的一表面形成的环形槽状区域，或者是具有与容置槽204的槽底部正对的顶部开口以及至少一个与该顶部开口连通的侧部开口的槽状区域。
可选地，当所述容置槽204为凹槽结构时，所述凹槽结构可以是如图2所示的通过对所述第一引线框架200的一面进行刻蚀形成。也可是如图3所示的对所述第一引线框架200的四周的至少两个侧边进行冲压形成。应注意，当对所述第一引线框架200进行冲压以形成所述容置槽204时，所述第一引线框架200包括底部202以及从底部202延伸的弧形部，该弧形部和所述底部202共同形成所述容置槽204。
其中，所述凹槽结构中设置有用于焊接或粘贴所述芯片30的焊接区域或粘贴区域，所述焊接区域或粘贴区域的大小、形状等可根据实际情况进行灵活设置。除此之外，所述凹槽结构的大小、形状本实施例在此也不做限制。
进一步地，当所述容置槽204为如图4所示的凸台结构时，所述凸台结构是由从所述第一引线框架200的一面延伸的凸块2040构成，所述容置槽204由所述凸台结构和所述第一引线框架200共同形成。其中，所述凸台结构可以是包括设置于所述第一引线框架200上的的多个凸块2040，该多个凸块2040可以是粘贴在所述第一引线框架200，也可以与该第一引线框架200一体成型，本实施例对此不做限制。
实际实施时，所述凸台结构可以是由所述凸块2040在所述第一引线框架200的一面首尾相连围成所述容置槽204，使得形成的容置槽204为封闭式结构或者半封闭式结构。
或者，如图5所示，所述凸台结构也可包括位于所述第一引线框架200一面的两个相对设置的凸块2040，该两个相对设置的凸块2040与所述第一引线框架200共同形成半封闭式结构的容置槽204。在这种情况下，形成的容置槽204为具有所述顶部开口以及相对两个侧部开口的槽体。本实施例中，在芯片30贴装过程中，采用上述半封闭式结构的容置槽204有利于对形状较小的芯片30进行贴装，同时，也可缩减所述引线框架结构20的生产流程，提高生产效率。
可选地，所述凸台结构或所述凸块2040的材质可与所述第一引线框架200相同，也可不同。例如，所述凸台结构或所述凸块2040的材料可以是金属或聚合物材质等。在实际应用过程中，可将所述凸台结构或所述凸块2040以焊接或粘接的方式设置于所述第一引线框架200，除此之外，所述凸块2040可以是长方体、圆柱体等，本实施例对所述凸块2040的形状、大小、数量等均不做限制。
应注意，在所述引线框架结构20中，所述容置槽204用于放置芯片30并填充灌封胶40，因此，实际实施时，所述容置槽204在所述第一引线框架200上的实际设置位置取决于所述芯片30的设置位置。与此同时，所述容置槽204与所述第一引线框架200的接触面应小于所述第一引线框架200的面积。
例如，所述第一引线框架200一面的10％-90％的面积用于设置所述容置槽204。优选地，所述容置槽204可占所述第一引线框架200与该容置槽204接触面的面积的50％-90％。
进一步地，根据实际需求，所述引线框架结构20还包括制作于所述第一引线框架200外围键合点的多个第二引线框架206。其中，所述第二引线框架206为至少两个，通常情况下，所述第二引线框架206可以设置为六个，且分别位于所述第一引线框架200的四周。
可选地，所述第一引线框架200和所述第二引线框架206可采用铜合金或其他金属材料来保证其导电性和导热性。例如，所述第一引线框架200和所述第二引线框架206可以为铜-铁系、铜-镍-硅系、铜-铬系、铜-镍-锡系材料制成，其中，所述第一引线框架200和所述第二引线框架206可采用相同的材料制成，也可采用不同的材料制成，本实施例对此不做限制。
除此之外，所述第一引线框架200和所述第二引线框架206的形状在此也不做限制，例如，所述第一引线框架200和所述第二引线框架206均可以是，但不限于长方体等。
如图6所示，本实施例还提供一种封装器件10，该封装器件10包括芯片30、灌封胶40以及上述的引线框架结构20，所述芯片30设置于所述引线框架结构20中的容置槽204，所述灌封胶40填充于所述容置槽204并覆盖所述芯片30。其中，所述引线框架结构20中的容置槽204的具体结构可根据实际需求进行灵活设计，而不限于图6所示。
可选地，所述芯片30可通过焊接、粘接等方式设置于所述容置槽204中。其中，所述芯片30的材质可以是，但不限于gan、sio2、gaas等，以及所述芯片30可以为多个，具体地，本实施例不做限制。
需要说明的是，当所述芯片30通过焊接的方式设置于所述容置槽204时，为了使得该芯片30与所述容置槽204之间连接的更加牢固，可在所述芯片30与所述容置槽204接触的一面镀金，从而实现更好地焊接。可选地，实际实施时，也可采用其他同等性质的材料代替金。
在实际应用过程中，所述灌封胶40的成型材料可以是，但不限于玻璃材料、陶瓷材料或其他聚合物材料。其中，在通过该灌封胶40对位于所述容置槽204中的所述芯片30进行封装时，灌封胶40可以完全覆盖芯片30，包括芯片30的表面、侧面和部分引线50，也可以仅仅覆盖芯片30的上表面和部分引线50，以达到减缓水汽侵入芯片30内部的速度，提高可靠性的目的。优选的方式，可以将流体状的灌封胶40滴加在所述芯片30上方并将该芯片30完全包覆，使得水汽等无法侵入所述芯片30。其中，所述容置槽204能够有效防止流体状的灌封胶40外溢，避免破坏所述引线框架结构20的其他区域，从而提高封装后的成品率。
进一步地，所述封装器件10还包括引线50，所述芯片30和所述引线框架结构20中的第二引线框架206通过所述引线50连接。其中，所述引线50的数量与所述第二引线框架206的数量相匹配。
可选地，所述芯片30通过所述引线50实现电连接，因此，所述引线50的材料可采用，但不限于金、银、铜或其他合金材料等，且所述引线50的横截面直径可以为25um和50um。应注意，在实际应用过程中，所述引线50的形状、材质、横截面直径等均可根据实际需求进行灵活设计。
针对所述容置槽204，假设所述引线50最高点距离所述容置槽204的槽底部的垂直高度为h，所述容置槽204的槽壁上表面距离槽底部的垂直距离为g，那么，g<h。通过选择h和g的高度关系更有利于实现电感匹配，从而提高器件的射频性能。
以所述容置槽204为凸台结构为例，假设所述引线50距离所述第一引线框架200的上表面的最高垂直高度为h，所述凸块2040距离所述第一引线框架200的上表面的垂直高度为g，那么，g<h。本实施例中，g的取值范围为10um～2000um，优选为100um～800um。
以所述容置槽204为凹槽结构时，所述凹槽的槽深，也即槽壁上表面距离槽底部的垂直高度g小于所述引线50的最高点距离所述凹槽结构底部的垂直高度h。g的取值范围为10um～2000um，优选为100um～800um。
进一步地，所述封装器件10还包括封装层60，所述封装层60覆盖所述引线50、所述灌封胶40和所引线框架结构20的至少部分面积。所述封装层60可以为塑料封装层或陶瓷封装层。
其中，在完成对所述引线框架结构20、所述引线50、所述芯片30、所述灌封胶40的布局后，还需通过所述封装层60对其进行封装，以提高所述封装器件10在实际应用过程中的稳固性和可靠性。
综上所述，本发明提供一种引线框架结构20和封装器件10。其中，通过在第一引线框架200上开设容置槽204，能够有效避免在对位于该容置槽204中的芯片30进行封装时易出现的灌封胶40外溢问题，提高了封装后的成品率。同时，该引线框架结构20制作简单，适用于大规模推广及应用。
显然，本领域的技术人员应该明白，上述的本发明实施例的功能可以用通用的计算装置来实现，它们可以集中在单个的计算装置上，或者分布在多个计算装置所组成的网络上，可选地，它们可以用计算装置可执行的现有程序代码或算法来实现，从而，可以将它们存储在存储装置中由计算装置来执行，或者将它们分别制作成各个集成电路模块，或者将它们中的多个模块或步骤制作成单个集成电路模块来实现。这样，本发明的功能实现不限制于任何特定的硬件和软件结合。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。