本发明属于白光led技术领域，具体涉及一种高发光强度紫外激发白光led及其制备方法。
背景技术：
gan是一种宽带隙化合物半导体材料，具有发射蓝光、高温、高频、高压、大功率和耐酸、耐碱、耐腐蚀等特点，是继锗、硅和砷化镓之后最主要的半导体材料之一。使得它在蓝光和紫外光电子学技术领域占有重要地位，也是制作高温、大功率半导体器件的理想材料。
目前，氮化镓基led获得白光主要方法有：蓝光led+黄色荧光粉、三色led合成白光、紫光led+三色荧光粉3种办法。
目前已经商用的白光led是利用发射450-470纳米蓝光的gan基质led芯片和表面涂覆的蓝光激发黄光发射的荧光粉，主要是铈掺杂的铝酸钇荧光粉。这种商用的荧光粉也存在一些缺点，主要是较差的色饱和度和色温的不稳定性。色饱和度较差是由于白光中缺少红光部分，色温的不稳定性是由于长时间使用使led和荧光粉性能退化导致的。
对于白光led，目前国内主要存在如下专利文献：
公开号为106876544a的中国专利公开了一种gan基无荧光粉自发白光led芯片结构及其制备方法，其中制作方法包括：在蓝宝石衬底上依次沉积gan缓冲层、n型gan、二氧化硅薄膜。利用光刻技术沿蓝宝石衬底[1-100]和[11-20]晶向在所述的sio2薄膜上进行刻蚀，制备sio2掩膜。在二氧化硅掩膜层上依次生长n型gan、ingan/gan量子阱、p型gan、透明导电层以及制备n型和p型电极。本发明兼顾目前的常用的半导体器件生产工艺流程，可以实现在无荧光粉的条件下出射白光，避免了荧光粉对白光led的衰减作用的影响。
技术实现要素：
为解决上述存在的问题，本发明的目的在于提供一种高发光强度紫外激发白光led及其制备方法，所述白光led以uvled芯片为基体，用紫外光激发白色荧光胶体，所用胶体不易被紫外光和臭氧所分解，无双键存在，在高温下（或辐射照射）分子的化学键不断裂，长期使用，不龟裂、不硬化，胶体受外力开裂后可以自动愈合。
为达到上述目的，本发明的技术方案是：
一种高发光强度紫外激发白光led，所述白光led包括uvled芯片、白色荧光粉与荧光粉胶混合形成的白色荧光粉胶体，白色荧光粉胶体涂覆于uvled芯片上，所述白色荧光粉胶体内添加有1~5wt%的固化剂，所述白色荧光粉与荧光粉胶的质量比为1：2~3。
进一步，所述荧光粉胶的胶材为硅胶，包括a胶和b胶，a胶和b胶的质量比为1：1~2。
优选地，所述a胶和b胶的质量比为1：1。
优选地，所述a胶在25℃下粘度为8000mpa·s，b胶在25℃下粘度为3500mpa·s。
优选地，所述固化剂为硅氧烷。
同时，本发明还提供一种高发光强度紫外激发白光led的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：1)取容器，a胶和b胶，在40~50转/分的转速下混合搅拌10~15分钟，真空脱泡5~10分钟，得荧光粉胶；2)加入白色荧光粉、固化剂，在50~60转/分的转速下搅拌20~30分钟，得白色荧光粉胶体；3)固化：在70~80℃下烘烤白色荧光粉胶体40~60分钟，再升温到100~120℃烘烤1.5~2.5小时；4)将步骤3)固化后的白色荧光粉胶体注射涂覆于uvled芯片表面，即得所述高发光强度紫外激发白光led。
进一步，混合后所得荧光粉胶在25℃下粘度为5000mpa·s。
优选地，所述步骤3)固化后的白色荧光粉胶体25℃下折射率为1.41。
本发明具有如下优点：
所述白光led以uvled芯片为基体，用紫外光激发白色荧光胶体，所用胶体不易被紫外光和臭氧所分解，无双键存在，在高温下（或辐射照射）分子的化学键不断裂，长期使用，不龟裂、不硬化，胶体受外力开裂后可以自动愈合。
具体实施方式
下面通过具体实施例对本发明做进一步的说明，但实施例并不限制本发明的保护范围。
本发明所提供的一种高发光强度紫外激发白光led，所述白光led包括uvled芯片、白色荧光粉与荧光粉胶混合形成的白色荧光粉胶体，白色荧光粉胶体涂覆于uvled芯片上，所述白色荧光粉胶体内添加有1~5wt%的固化剂，所述白色荧光粉与荧光粉胶的质量比为1：2~3。
进一步，所述荧光粉胶的胶材为硅胶，包括a胶和b胶，a胶和b胶的质量比为1：1~2。
优选地，所述a胶和b胶的质量比为1：1。
优选地，所述a胶在25℃下粘度为8000mpa·s，b胶在25℃下粘度为3500mpa·s。
优选地，所述固化剂为硅氧烷。
同时，本发明还提供一种高发光强度紫外激发白光led的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：1)取容器，a胶和b胶，在40~50转/分的转速下混合搅拌10~15分钟，真空脱泡5~10分钟，得荧光粉胶；2)加入白色荧光粉、固化剂，在50~60转/分的转速下搅拌20~30分钟，得白色荧光粉胶体；3)固化：在70~80℃下烘烤白色荧光粉胶体40~60分钟，再升温到100~120℃烘烤1.5~2.5小时；4)将步骤3)固化后的白色荧光粉胶体注射涂覆于uvled芯片表面，即得所述高发光强度紫外激发白光led。
进一步，混合后所得荧光粉胶在25℃下粘度为5000mpa·s。
优选地，所述步骤3)固化后的白色荧光粉胶体25℃下折射率为1.41。
需要说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制。尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围中。