技术特征：
技术总结
本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括：半导体衬底；在半导体衬底上的多个半导体鳍片，该多个半导体鳍片包括：间隔开的第一半导体鳍片和第二半导体鳍片；在每个半导体鳍片周围的沟槽和填充沟槽的沟槽绝缘物层，该沟槽绝缘物层的上表面与该半导体鳍片的上表面基本齐平；对第一半导体鳍片执行第一抗穿通掺杂以形成第一抗穿通区域；然后去除该第二半导体鳍片的一部分以形成凹陷；以及在该凹陷中且在第二半导体鳍片的剩余部分上形成具有第二抗穿通区域的外延层。本发明可以降低由于扩散可能造成的第一抗穿通掺杂的掺杂物对第二半导体鳍片掺杂的可能性，提高器件性能。
技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2017.08.23
技术公布日：2019.03.05