本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种amoled基板的制作方法和amoled基板。
背景技术：
随着显示技术的发展，主动矩阵式有机发光二极管(activematrixorganiclight-emittingdiode，简称amoled)显示装置的技术日见成熟，已经越来越多的应用在各个显示领域。
在amoled显示屏幕生产中，会使用到一种柔性聚酰亚胺(pi)基底，工艺中会在该pi基底上制作薄膜晶体管阵列(arraythinfilmtransistor,arraytft),要求pi基底材料具有良好的耐温、耐化，及抗阻水氧化性能；在arraytft制作过程中，引用到了准分子激光退火制程；在准分子激光退火制程中，激光容易穿透缓冲层和间隔层，对pi膜造成直接影响，激光甚至会直接烧焦pi膜，造成不可弥补的缺陷。
现阶段pi膜的涂覆及缓冲层的制作工艺步骤为：
步骤1、清洗玻璃基板；
步骤2、在所述玻璃基板上涂覆pi膜；
步骤3、对所述pi膜进行干燥和固化；
步骤4、在所述pi膜上形成隔离层；
步骤5、在所述隔离层上形成缓冲层。
技术实现要素：
本发明提供了一种amoled基板的制作方法及amoled基板，以解决在制备tft阵列的过程中，因准分子激光穿透缓冲层和隔离层对pi膜造成直接影响，甚至直接烧焦pi膜的问题。
为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：
根据本发明的一个方面，提供了一种amoled基板的制作方法，所述amoled基板的制作方法包括如下步骤：
步骤s10、提供一衬底基板；
步骤s20、在所述衬底基板上形成pi膜；
步骤s30、在所述pi膜表面形成隔离层；
步骤s40、在所述隔离层表面形成非金属层；
步骤s50、在所述非金属层表面形成缓冲层；
步骤s60、在所述缓冲层表面形成tft阵列，在形成tft阵列中采用有准分子激光退火工艺；
其中，设置于所述pi膜上方的所述非金属层用于吸收所述tft阵列的制备过程中穿透所述缓冲层的激光。
根据本发明一实施例，在步骤s60中使用的准分子激光的波长为308nm。
根据本发明一实施例，所述非金属层包括非晶硅层和氧化硅层。
根据本发明一实施例，所述缓冲层为氮化硅层。
根据本发明一实施例，所述氧化硅层设置于所述非晶硅层的表面靠近氮化硅层的一侧。
根据本发明一实施例，所述步骤s50为:
采用等离子体增强化学气相沉积工艺在所述隔离层上对所述非金属层进行成膜。
根据本发明的另一方面，提供了一种amoled基板，所述amoled基板包括依次层叠设置的柔性衬底、pi膜、隔离层、非金属层、缓冲层和tft阵列；
其中，设置于所述pi膜上方的所述非金属层用于吸收tft阵列的制备过程中穿透所述缓冲层的激光。
根据本发明一实施例，其特征在于，所述非金属层包括非晶硅层和氧化硅层。
根据本发明一实施例，所述缓冲层为氮化硅层。
根据本发明一实施例，所述氧化硅层设置于所述非晶硅层的表面靠近氮化硅层的一侧。
本发明提供了一种amoled基板的制作方法及amoled基板，通过在隔离层上制备一非金属层以吸收在所述tft阵列的制备过程中穿透所述缓冲层的激光，从而避免所述激光对pi膜的影响，进而提高了amoled的生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例的amoled基板制作方法流程图；
图2为本发明一实施例的amoled基板的结构示意图；
图3a-3f为本发明实施例的amoled基板制作方法的工艺流程图；
图4为本发明实施例的amoled基板的又一结构示意图；
图5为本发明又一实施例的amoled基板的结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有amoled基板的制作方法及amoled显示装置的制作方法中，因采用准分子激光退火制程制备tft阵列的过程中，激光会穿透缓冲层和隔离层，进而直接影响pi膜甚至烧焦pi膜的问题，而提出了一种amoled基板的制作方法及amoled显示装置的制作方法，本实施例能够改善该缺陷。
下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步的说明：
图1为本发明实施例的amoled基板制作方法流程图，图2为本发明实施例的amoled基板1的结构示意图；本发明提供了一种amoled基板制作方法，所述制作方法包括：
如图3a所示，步骤s10、提供一衬底基板110；
其中步骤s10中所述的衬底基板110为刚性衬底，一般采用玻璃制备，在amoled制备完成后，通常会与柔性衬底所分离。
如图3b所示，步骤s20、在所述衬底基板110表面涂布一层pi膜120，对所述pi膜120进行干燥和固化；
所述步骤s20的具体步骤为：将所述衬底基板110清洗后，在衬底基板110表面采用针头喷涂的方式涂布一层均匀的pi液，依次对所述pi液干燥和固化，进而形成pi膜120；
pi膜20即amoled的柔性衬底，为一层拥有高绝缘性的耐磨透明塑料薄膜，具有良好的耐温、耐化以及阻水抗氧化性。
通常，pi膜120在受到范围内波长激光的照射后，会产生不同情况的损伤，所以在制备amoled基板1的过程中，应避免激光对pi膜120的直接照射。
如图3c所示，步骤s30、在所述pi膜120表面形成隔离层130；
在所述步骤s30中，所述隔离层130是用来避免pi膜120与amoled基板1的其他膜层直接接触，而使得pi膜120受到影响或者腐蚀。
如图3d所示，步骤s40、在所述隔离层130表面形成非金属层140；
步骤s40为本发明一重要技术特征，所述非金属层140设置于隔离层130的表面，即不会与pi膜120直接接触而对pi膜120的性能产生影响。
非金属层140由非晶硅和氧化硅制备；其中非晶硅对准分子激光波长为308nm的激光具有良好的吸收性，而氧化硅能比较好的连接非晶硅和由氮化硅制备的缓冲层150。
非金属层140既可以为双层结构，也可以为单层结构：
如图4所示，当非金属层140为双层结构时，非金属层140包括非晶硅层1401和氧化硅层1402，所述非晶硅层1401设置于所述隔离层130的表面，所述氧化硅层1402设置于所述非晶硅层1401的表面，且与后制程中由氮化硅制备的缓冲层150直接接触。
如图2所述，当非金属层140为单层结构时，非金属层140包括非晶硅和氧化硅，所述非晶硅与所述氧化硅均匀混合设置。
在步骤s40中，通常采用等离子体增强化学气相沉积工艺在所述隔离层130上对所述非金属层140进行成膜。
等离子体增强化学气相沉积工艺即：在存在等离子体的环境下对所述非金属层140进行化学气相沉积成膜；
等离子体的存在可以促进气体分子的分解、化合、促进反应活性基团的生成，同时为扩散至衬底表面的次生分子提供能量，因而某些原来需要在高温下进行的反应得以在低温下实现。
通过采用等离子体增强化学气相沉积工艺生成非金属层140不仅可以通过高低频脉冲调制控制沉积非金属层140的应力，而且采用等离子体的离子轰击，可以去除非金属层140表面杂质，增强非金属层140的粘附性。
如图3e所示，步骤s50、在所述非金属层140表面形成缓冲层150；
所述缓冲层150采用氮化硅制备，用于获得均匀平整的膜层表面，为后续tft阵列160的制程提供基础。
如图3f所示，步骤s60、在所述缓冲层150表面采用准分子激光退火工艺制备tft阵列160；
在所述步骤s60中，准分子激光退火工艺采用的激光波长为308nm。
如图5所示，依据上述目的，本发明还提出了一种amoled基板2，，所述amoled基板2包括依次层叠设置的柔性衬底210、pi膜220、隔离230层、非金属层240、缓冲层250和tft阵列260；
其中，设置于所述pi220膜上方的所述非金属层240用于吸收tft阵列260的制备过程中穿透所述缓冲层250的激光。
衬底基板210为刚性衬底，一般采用玻璃制备，在amoled制备完成后，通常会与柔性衬底所分离。
pi膜220即amoled的柔性衬底，为一层拥有高绝缘性的耐磨透明塑料薄膜，具有良好的耐温、耐化以及阻水抗氧化性。
通常，pi膜220在受到范围内波长激光的照射后，会产生不同情况的损伤，所以在制备amoled基板2的过程中，应避免激光对pi膜220的直接照射。
所述隔离层230是用来避免pi膜220与amoled基板2的其他膜层直接接触，而使得pi膜220受到影响或者腐蚀。
所述非金属层240设置于隔离层230的表面，即不会与pi膜220直接接触而对pi膜220的性能产生影响。
非金属层240由非晶硅和氧化硅制备；其中非晶硅对准分子激光波长为308nm的激光具有良好的吸收性，而氧化硅能比较好的连接非晶硅和由氮化硅制备的缓冲层250。
通常采用等离子体增强化学气相沉积工艺在所述隔离层230上对所述非金属层240进行成膜。
所述缓冲层250采用氮化硅制备，用于获得均匀平整的膜层表面。
tft阵列260，通常制备tft阵列的工艺有准分子激光退火工艺，所述准分子激光退火工艺采用的激光波长为308nm。
本发明提供了一种amoled基板的制作方法及amoled基板，通过在隔离层上制备一非金属层以吸收在所述tft阵列的制备过程中穿透所述缓冲层的激光，从而避免所述激光对pi膜的影响，进而提高了amoled的生产效率。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。