技术特征：
技术总结
本发明公开了一种β‑Ga2O3基日盲紫外光电探测器阵列及其制备方法，涉及光电子技术领域；探测器阵列从下到上依次为：β‑Ga2O3光吸收层、下电极层、氧化物薄膜绝缘层和上电极层；在衬底上生长β‑Ga2O3薄膜形成β‑Ga2O3光吸收层，然后在β‑Ga2O3光吸收层上制备包括列导线和叉指电极的下电极层；下电极层上方为氧化物薄膜绝缘层，最上层为包括行导线的上电极层；行导线与列导线的交叉部分中间布置氧化物薄膜绝缘层；每一列叉指电极的阳极都接在本列的列导线上，行导线连接每一行叉指电极的阴极；将制备好的探测器阵列用陶瓷封装器进行封装，得到β‑Ga2O3基日盲紫外光电探测器阵列。本发明具有工艺可控性强，成本低，操作步骤简单，可大面积制备、重复性好和开发周期短等优点。
技术研发人员：唐为华;彭阳科
受保护的技术使用者：北京邮电大学
技术研发日：2017.08.28
技术公布日：2017.12.22