技术特征：
技术总结
本发明实施例提供一种具有高量子效率的图像传感器。在一些实施例中，半导体衬底包括非多孔性半导体层，所述非多孔性半导体层是沿着所述半导体衬底的前侧。周期性结构是沿着所述半导体衬底的后侧。高吸收性层在所述半导体衬底的所述后侧上对所述周期性结构进行衬覆。所述高吸收性层是能量带隙小于所述非多孔性半导体层的能量带隙的半导体材料。光检测器位于所述半导体衬底及所述高吸收性层中。本发明实施例还提供一种制造图像传感器的方法。
技术研发人员：黄建彰;杜建男;吴明锜;叶玉隆;姜吉亨
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.09.15
技术公布日：2018.12.11