微型发光元件结构的制作方法

本发明涉及一种半导体结构，尤其涉及一种微型发光元件结构。

背景技术：

目前微型发光二极管的拾取与放置主要是通过静电力或磁力等超距力的方式，将载体基板上的微型发光二极管转板至接收基板上。一般来说，载体基板与微型发光二极管之间会通过胶材来暂时固定以方便运输。然而，此胶材的粘性较大，而使得微型发光二极管与胶材之间的接合力大于拾取微型发光二极管的超距力，因而导致无法顺利地从载体基板上将微型发光二极管拾取下来。如何让微型发光二极管可以暂时地固定于载体基板上，且更轻易与更有效率地从载体基板上将微型发光二极管拾取下来，已成为目前业界相当重视的课题之一。

技术实现要素：

本发明提供一种微型发光元件结构，其可暂时地将微型发光元件固定于基板上，且能更轻易地从基板上将微型发光元件拾取下来。

本发明的微型发光元件结构，其包括基板、至少一微型发光元件、多个固定结构以及缓冲层。微型发光元件配置于基板上。固定结构分散配置于微型发光元件的边缘，且位于基板与微型发光元件之间并直接接触基板。缓冲层配置于微型发光元件、固定结构与基板之间。

在本发明的一实施例中，上述的微型发光元件与固定结构的接触面积与微型发光元件于基板上的正投影面积的比值介于0.05至0.15之间。

在本发明的一实施例中，上述的固定结构相对于微型发光元件的中心处呈对称排列。

在本发明的一实施例中，上述的固定结构分别切齐于微型发光元件的边缘。

在本发明的一实施例中，上述的每一固定结构包括第一固定结构与第二固定结构，第一固定结构位于微型发光元件与基板之间，而第二固定结构位于第一固定结构的外侧，且直接接触基板与微型发光元件的侧面。

本发明的一实施例中，上述的每一固定结构的第一固定结构与第二固定结构无缝连接。

在本发明的一实施例中，上述的第二固定结构与微型发光元件的侧面的接触面积与微型发光元件的侧面的表面积的比值介于0.05至0.5之间，且第二固定结构接触微型发光元件的侧面的高度与微型发光元件的芯片高度的比值介于0.1至0.8之间。

在本发明的一实施例中，上述的缓冲层直接接触固定结构。

在本发明的一实施例中，上述的缓冲层直接接触固定结构、微型发光元件及基板，且缓冲层间具有多个空气间隙。

本发明的一实施例中，上述的缓冲层包括第一缓冲层与第二缓冲层，第一缓冲层直接接触微型发光元件，而第二缓冲层直接接触基板，且第一缓冲层与第二缓冲层之间具有空气间隙。

在本发明的一实施例中，上述的缓冲层直接接触基板，且缓冲层与微型发光元件之间具有空气间隙。

在本发明的一实施例中，上述的缓冲层直接接触微型发光元件，且缓冲层与基板之间具有空气间隙。

在本发明的一实施例中，上述的缓冲层的剖面轮廓为不规则形。

在本发明的一实施例中，上述的缓冲层直接接触基板与微型发光元件，且缓冲层设置于微型发光元件的中间，微型发光元件、基板、缓冲层以及固定结构之间具有多个空气间隙。

在本发明的一实施例中，上述的微型发光元件包括二个微型发光元件，固定结构的其中一个位于微型发光元件与基板之间。

在本发明的一实施例中，上述的缓冲层的材质不同于每一固定结构的材质。

在本发明的一实施例中，上述的微型发光元件的杨氏模量分别大于固定结构的杨氏模量与缓冲层的杨氏模量，且固定结构的杨氏模量大于缓冲层的杨氏模量。

基于上述，由于本发明的微型发光元件结构包括位于基板与微型发光元件之间的固定结构与缓冲层，其中固定结构分散配置于微型发光元件的边缘，且位于基板与微型发光元件之间并直接接触基板，而缓冲层配置于微型发光元件、固定结构与基板之间。藉此，可使得基板与微型发光元件之间具有良好的固定、支撑与缓冲的作用。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1a示出为本发明的一实施例的微型发光元件结构的剖面示意图。

图1b至图1c示出为本发明的多个实施例的微型发光元件结构的剖面示意图。

图2a示出为图1a的微型发光元件结构的俯视示意图。

图2b至图2f示出为本发明的多个实施例的微型发光元件结构的俯视示意图。

图3a示出为本发明的另一实施例的微型发光元件结构的剖面示意图。

图3b为图3a的微型发光元件结构的俯视示意图。

图4a与图4b示出为本发明的多个实施例的微型发光元件结构的剖面示意图。

图5a至图5e示出为本发明的多个实施例的微型发光元件结构的剖面示意图。

符号说明

100a、100b、100c、200b、200c、200d、200e、200f、300、400a、400b、500a、500b、500c、500d、500e：微型发光元件结构；

110：基板；

120、120a、120b、120c、120f1、120f2：微型发光元件；

122a、122b、122c：第一型电极；

124a、124b、124c：第二型电极；

126a、126b、126c：磊晶结构层；

128、128’：出光面；

130a、130b、130c、132a、132b、134a、134b、230b、232b、234b、236b、230c、232c、234c、236c、238c、230d、232d、234d、236d、238d、230e、232e、234e、232f、234f、236f、238f、330、430a、432a、432b、434a、436a：固定结构；

140a、140b、140c、540a、540b、540c、540d、540e：缓冲层；

330a：第一固定结构；

330b：第二固定结构；

542a、542d：第一缓冲层；

544a、544d：第二缓冲层；

c1、c2、c3、c4：角落；

g1、g2、g3、g4、g5、g6、g7：空气间隙；

h1：高度；

h2：芯片高度；

s1、s2、s3、s4：边缘；

s5：侧面。

具体实施方式

图1a示出为本发明的一实施例的微型发光元件结构的剖面示意图。图2a示出为图1a的微型发光元件结构的俯视示意图。于此需说明的是，图2a是以图1a的微型发光元件120a与固定结构130a之间相接触所构成的平面进行示范性的示出。请同时参阅图1a与2a，本实施例的微型发光元件结构100a包括基板110、至少一微型发光元件120a(图1a中示意地示出一个)、多个固定结构130a以及缓冲层140a。微型发光元件120a配置于基板110上。固定结构130a分散配置于微型发光元件120a的边缘，且位于基板110与微型发光元件120a之间并直接接触基板110。缓冲层140a配置于微型发光元件120a、固定结构130a与基板110之间。此处，基板110例如是蓝宝石基板、玻璃基板或塑胶基板等的临时基板，可不具工作电路于上而是当成临时载具支撑微型发光元件120a，但不以此为限。

详细来说，如图1a所示，本实施例的微型发光元件120a位于基板110的一侧，其包括第一型电极122a、第二型电极124a以及磊晶结构层126a。微型发光元件120a最大宽度尺寸介于1到150微米之间，较佳是介于3到50微米之间，且磊晶结构层126a的厚度以1至6微米为佳。第一型电极122a与第二型电极124a配置于磊晶结构126a的同一侧的相对两边缘s1、s2上且彼此电性绝缘。意即，本实施例的微型发光元件120a具体化为水平式或覆晶式微型发光元件。此处，第一型电极122a与第二型电极124a分别切齐于磊晶结构126a的相对两边缘s1、s2，可使两边缘s1、s2的电流较为均匀，但并不以此为限。磊晶结构层126a位于第一型电极122a与第二型电极124a以及基板110之间，其中第一型电极122a例如为n型电极，与磊晶结构层126a的n型磊晶层(未示出)电性连接，而第二型电极124a例如为p型电极，与磊晶结构层126a的p型磊晶层(未示出)电性连接。于其他实施例中，也可以是第一型电极122a为p型电极，而第二型电极124a为n型电极，于此并不加以限制。此处，微型发光元件120a的出光面128具体化为面对基板110，但并不以此为限。

请同时参阅图1a与图2a，本实施例的固定结构130a具体化为二个固定结构132a、134a，分别配置于微型发光元件120a相对的二个边缘s1、s2上，且切齐于微型发光元件120a的边缘s1、s2。具体来说，本实施例的固定结构132a、134a均配置于微型发光元件120a靠近基板110的同一侧面，且彼此相对地位于微型发光元件120a的相对两边缘s1、s2。固定结构132a至微型发光元件120a中心的距离与固定结构134a至微型发光元件120a中心处的距离相等。也就是说，固定结构132a、134a相对于微型发光元件120a的中心处呈对称排列。于其他未示出的实施例中，固定结构也可以相对于微型发光元件的中心处呈对称排列但具有不同的排列方式；固定结构也可接近但不切齐微型发光元件的边缘；或是因制程误差而使固定结构固定结构的位置与微型发光元件的边缘可略有正负5％的偏移，只要使固定结构可以平稳地撑起微型发光元件，而利于后续制程中可以方便提取微型发光元件，皆属本发明所欲保护的范畴。特别是，微型发光元件120a与固定结构130a的接触面积与微型发光元件120a于基板110上的正投影面积的比值介于0.05至0.15之间。此处，固定结构130a与微型发光元件120a的接触面积为固定结构132a、134a分别与微型发光元件120a的底面的接触面积的总和。较佳地，若当面积比值大于0.05时，固定结构130a才具有足够强度以支撑及固定微型发光元件120a的重量；若当比值小于0.15时，则有利于后续微型发光元件120a的拾取，并转板到接收基板(未示出)的制程的流畅度与可靠度。此处，固定结构132a、134a的俯视轮廓具体化为矩形。也就是说，固定结构132a、134a与微型发光元件120a的接触面积为两个矩形面积的总和。但于其他未示出的实施例中，固定结构也可以视实际设计所需而使每一固定结构的俯视轮廓包括多边形、半圆形、半椭圆形或不规则形等足以固定微型发光元件的图案，于此并不加以限制。固定结构130a的材质例如为杨氏模量小于30gpa的绝缘材料，使微型发光元件120a可以平稳地被撑起，并利于后续制程中可以方便提取，也可避免影响微型发光元件120a的电性。

请继续参阅图1a与图2a，在本实施例中，缓冲层140a配置于基板110、固定结构130a与微型发光元件120a的磊晶结构层126a之间，且直接接触于基板110、微型发光元件120a的磊晶结构层126a以及固定结构130a。此处，缓冲层140a可吸收微型发光元件120a接合至基板110上时所产生应力，以提高接合良率。换言之，缓冲层140a可提供微型发光元件120a与基板110之间应力缓冲的效果。此处，缓冲层140a的材质不同于固定结构130a的材质，其中缓冲层140a为绝缘的材质，包括发泡材料或其他高分子聚合物。缓冲层140a具有多个不规则的空气间隙g1，其中缓冲层140a的孔隙率可以大于等于50％，可提供基板110与微型发光元件120a之间具有良好的缓冲效果。

另须说明的是，缓冲层140a的材质不同于固定结构130a的材质，因此在制程的过程中，可通过蚀刻液的选择来蚀刻缓冲层140a，以降低微型发光元件120a与缓冲层140a之间的接合力，并保有固定结构130a对微型发光元件120a的支撑力与暂时固定能力以及保有缓冲层140a对微型发光元件120a接合时的缓冲。特别说明的是，本实施例的缓冲层140a的杨氏模量小于固定结构130a的杨氏模量，而固定结构130a的杨氏模量小于微型发光元件120a的杨氏模量。因此，固定结构130a所具有的刚性可以提供支撑微型发光元件120a的力量，而固定结构130a所具有的脆性则可以让拾取装置(未示出)轻易地从基板110上拾取微型发光元件120a，而缓冲层140a因具有较小的杨氏模量，因此可当微型发光元件120a接合时缓冲。如此一来，本实施例的固定结构130a与缓冲层140a的设计可更轻易地从基板110上将微型发光元件120a拾取下来。此外，固定结构130a分散配置于微型发光元件120a的边缘，因此若从基板110上拾取微型发光元件120之后有残留的固定结构130a，此残留的固定结构130a因其位置的关系而不会影响后续的共晶结合与出光面积及出光效率。

在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参照前述实施例，下述实施例不再重复赘述。

图1b示出为本发明的另一实施例的微型发光元件结构的剖面示意图。请同时参阅图1a与图1b，本实施例的微型发光元件结构100b与图1a的微型发光元件结构100a相似，两者的差异在于：本实施例的微型发光元件120b的第一型电极122b与第二型电极124b位于磊晶结构层126b与基板110之间，而固定结构130b具体化为两个固定结构132b、134b，且位于基板110与微型发光元件120b。固定结构130b直接接触基板110。缓冲层140b位于基板110、固定结构130b以及磊晶结构层126b之间，且直接接触基板110、固定结构130b与微型发光元件120b的第一型电极122b、第二型电极124b以及磊晶结构层126b。此处，微型发光元件120b的出光面128’具体化为远离基板110，意即微型发光元件120b是以出光面128’朝上(faceup)的方式配置于基板110上，但并不以此为限。

图1c示出为本发明的另一实施例的微型发光元件结构的剖面示意图。请同时参阅图1a与图1c，本实施例的微型发光元件结构100c与图1a的微型发光元件结构100a相似，两者的差异在于：本实施例的微型发光元件120c的第一型电极122c与第二型电极124c分别配置于磊晶结构层126c的相对两侧，而第一型电极122c位于磊晶结构层126c与基板110之间，且缓冲层140c直接接触基板110与微型发光元件120c的第一型电极122c。此处，本实施例的微型发光元件120c具体化为垂直式微型发光元件，且微型发光元件120c的出光面可以视实际设计所需为上出光型或下出光型，于此并不加以限制。

图2b示出为本发明的另一实施例的微型发光元件结构的俯视示意图。请同时参阅图2a与图2b，本实施例的微型发光元件结构200b与图2a的微型发光元件结构100a相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构230b的个数为三个固定结构232b、234b、236b，且固定结构232b、234b、236b彼此分离。详细来说，固定结构230b中的二个固定结构232b、234b配置于微型发光元件120的同一个边缘s4的二个角落c2、c4上，而固定结构230b中的一个固定结构236b配置于微型发光元件120相对于边缘s4的另一个边缘s3上。具体来说，固定结构232b配置于由微型发光元件120的边缘s1与边缘s4所构成的角落c2上，而固定结构234b配置于由微型发光元件120的边缘s2与边缘s4所构成的角落c4上，且固定结构236b配置于微型发光元件120的边缘s3的中线上。此处，固定结构232b、234b、236b的连线可以构成等腰三角形，但并不以此为限。于其他未示出的实施例中，固定结构的连线也可以构成其他种类的三角形，如锐角三角形。特别说明的是，因制程误差而使固定结构232b、234b、236b的位置与微型发光元件120的边缘可略有正负5％的偏移，只要固定结构可以平稳地撑起微型发光元件，皆属于本发明所欲保护的范围。

图2c示出为本发明的另一实施例的微型发光元件结构的俯视示意图。请同时参阅图2a与图2c，本实施例的微型发光元件结构200c与图2a的微型发光元件结构100a相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构230c配置于微型发光元件120的四个角落c1、c2、c3、c4上。此处，固定结构230c切齐于微型发光元件120的四个边缘s1、s2、s3、s4，可使微型发光元件120较为稳固配置于基板110，但并不以此为限。具体来说，本实施例的固定结构230c具体化有四个固定结构232c、234c、236c、238c，且固定结构232c、234c、236c、238c彼此分离。固定结构232c配置于由微型发光元件120的边缘s1与边缘s3所构成的角落c1上，固定结构234c配置于由微型发光元件120的边缘s1与边缘s4所构成的角落c2上，固定结构236c配置于由微型发光元件120的边缘s3与边缘s2所构成的角落c3上，且固定结构238c配置于由微型发光元件120的边缘s2与边缘s4所构成的角落c4上。此处，固定结构232c与固定结构238c所构成的连线以及固定结构234c与固定结构236c所构成的连线会相交于微型发光元件120的中心处。也就是说，固定结构232c、234c、236c、238c相对于微型光元件120的中心处呈对称排列，且相对于微型发光元件120的中心呈等距离配置。特别说明的是，因制程误差而使固定结构232c、234c、236c、238c的位置与微型发光元件120的边缘可略有正负5％的偏移，只要固定结构可以平稳地撑起微型发光元件，皆属于本发明所欲保护的范围。

图2d示出为本发明的另一实施例的微型发光元件结构的俯视示意图。请同时参阅图2a与图2d，本实施例的微型发光元件结构200d与图2a的微型发光元件结构100a相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构230d分别配置于微型发光元件120的四个边缘s1、s2、s3、s4上且分别切齐于微型发光元件120的边缘s1、s2、s3、s4。具体来说，本实施例的固定结构230d具体化有四个固定结构232d、234d、236d、238d，且固定结构232d、234d、236d、238d彼此分离。固定结构232d配置于边缘s1的中线上，而固定结构234d相对于固定结构232d配置于边缘s2的中线上，且固定结构232d与固定结构234d的连线会经过微型发光元件120的中心处。固定结构236d配置于边缘s3的中线上，而固定结构238d相对于固定结构236d配置于边缘s4的中线上，且固定结构236d与固定结构238d的连线会经过微型发光元件120的中心处。此处，固定结构232d与固定结构234d所构成的连线以及固定结构236d与固定结构238d所构成的连线会相交于微型发光元件120的中心处。也就是说，固定结构232d、234d、236d、238d相对于微型光元件120的中心处呈对称排列。特别说明的是，因制程误差而使固定结构232d、234d、236d、238d的位置与微型发光元件120的边缘可略有正负5％的偏移略有偏移，只要固定结构可以平稳地撑起微型发光元件，皆属于本发明所欲保护的范围。

图2e示出为本发明的另一实施例的微型发光元件结构的俯视示意图。请同时参阅图2a与图2e，本实施例的微型发光元件结构200e与图2a的微型发光元件结构100a相似，两者的差异在于：固定结构230e的个数具体化为二个固定结构232e、234e，分别配置于微型发光元件120的一对角线上的二个角落c1、c4上，且切齐于微型发光元件120的四个边缘s1、s2、s3、s4。具体来说，固定结构232e、234e彼此分离，固定结构232e配置于由微型发光元件120的边缘s1与边缘s3所构成的角落c1上，固定结构234e配置于由微型发光元件120的边缘s2与边缘s4所构成的角落c4上，而固定结构232e、234e与微型发光元件120中心的连线可以构成直线，且固定结构232e至微型发光元件120中心的距离与固定结构234e至微型发光元件120中心的距离相等。也就是说，固定结构232e、234e相对于微型光元件120的中心处呈对称排列。然而于其他实施例中，固定结构232e、234e也可以分别配置于微型发光元件120的另一对角线上的两个角落c2、c3上。特别说明的是，因制程误差而使固定结构232e、234e的位置与微型发光元件120的边缘可略有正负5％的偏移，只要固定结构可以平稳地撑起微型发光元件，皆属于本发明所欲保护的范围。

图2f示出为本发明的另一实施例的微型发光元件结构的俯视示意图。请同时参阅图2d与图2f，本实施例的微型发光元件结构200f与图2d的微型发光元件结构200d相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构232f、234f、236f、238f的俯视轮廓为半圆形。也就是说，固定结构232f、234f、236f、238f与微型发光元件120的接触面积为四个半圆形面积的总和。但于其他未示出的实施例中，固定结构的俯视轮廓也可以依据实际产品的设计需求或微型发光元件的重量变化而有不同形貌或个数的固定结构。特别说明的是，因制程误差而使固定结构232f、234f、236f、238f的位置与微型发光元件120的边缘可略有正负5％的偏移，只要固定结构可以平稳地撑起微型发光元件，皆属于本发明所欲保护的范围。

图3a示出为本发明的另一实施例的微型发光元件结构的剖面示意图。图3b为图3a的微型发光元件结构的俯视示意图。请同时参阅图1a与图3a，本实施例的微型发光元件结构300与图1a的微型发光元件结构100a相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构330包括第一固定结构330a与第二固定结构330b。此处，本实施例的固定结构330具体化为四个，且每一固定结构330皆包括第一固定结构330a与第二固定结构330b，但个数并不以此为限。其中第一固定结构330a位于微型发光元件120与基板110之间，而第二固定结构330b位于第一固定结构330a的外侧，且直接接触基板110与微型发光元件120的侧面s5，因此可以提供更为稳固的固定与支撑的作用。此处，固定结构330的第一固定结构330a与第二固定结构330b为无缝连接。也就是说，第一固定结构330a与第二固定结构330b具体化为同一材料且一体成型，但不以此为限。

具体来说，请同时参阅图3a与图3b，本实施例的第一固定结构330a在基板110上的正投影完全重叠于微型发光元件120于基板110上的正投影，且第二固定结构330b在基板110上的正投影不重叠于微型发光元件120于基板110上的正投影。每一固定结构330的第二固定结构330b覆盖微型发光元件120的部分侧面s5，且突出于微型发光元件120的四个边缘s1、s2、s3、s4。此处，第二固定结构330b接触微型发光元件120的侧面s5的高度h1与微型发光元件120的芯片高度h2的比值介于0.1至0.8之间，当高度比值大于0.1时，固定结构130a才具有足够强度以支撑及固定微型发光元件120的重量；若当比值小于0.8时，则有利于后续微型发光元件120的拾取。第二固定结构330b与微型发光元件120的侧面s5的接触面积与微型发光元件120的侧面s5的表面积的比值介于0.05至0.5之间，若当面积比值大于0.05时，固定结构130a才具有足够强度以支撑及固定微型发光元件120的重量；若当面积比值小于0.5时，则有利于后续微型发光元件120的拾取。此处，固定结构330在垂直剖面上可以为l字型的形状，且第二固定结构330b于垂直剖面上的高度大于第一固定结构330a于垂直剖面上的高度，但并不以此为限。

图4a示出为本发明的另一实施例的微型发光元件结构的剖面示意图。请同时参阅图1a与图4a，本实施例的微型发光元件结构400a与图1a的微型发光元件结构100a相似，两者的差异在于：本实施例的微型发光元件120包括二个微型发光元件120f1、120f2，且固定结构430a的其中一个固定结构432a位于微型发光元件120f1与基板110之间以及微型发光元件120f2与基板110之间。

具体来说，在本实施例中的微型发光元件120f1与基板110之间具有彼此分离的两固定结构432a、434a，而微型发光元件120f2与基板110之间具有彼此分离的两固定结构432a、436a，且任两相邻的微型发光元件120f1、120f2之间具有共用的固定结构432a。也就是说，固定结构432a延伸于任两相邻的微型发光元件120f1、120f2之间，且固定结构432a在基板110上正投影部分重叠于任两相邻的微型发光元件120f1、120f2在基板110上的正投影。

图4b示出为本发明的另一实施例的微型发光元件结构的剖面示意图。请同时参阅图4a与图4b，本实施例的微型发光元件结构400b与图4a的微型发光元件结构400a相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构432b覆盖任两相邻的微型发光元件120f1、120f2的部分侧面s5，且水平地延伸于任两相邻的微型发光元件120f1、120f2之间。

图5a示出为本发明的另一实施例的微型发光元件结构的剖面示意图。请同时参阅图1a与图5a，本实施例的微型发光元件结构500a与图1a的微型发光元件结构100a相似，两者的差异在于：本实施例的缓冲层540a包括第一缓冲层542a与第二缓冲层544a，其中第一缓冲层542a直接接触微型发光元件120，而第二缓冲层544a直接接触基板110，且第一缓冲层542a与第二缓冲层544a之间具有空气间隙g2。此处，第一缓冲层542a与第二缓冲层544a的剖面轮廓具体化为矩形，但于其他实施例中，第一缓冲层542a与第二缓冲层544a也可以为不规则形或是其他形状。此处，缓冲层540a为绝缘材质，例如可以为发泡材料或是其他高分子聚合物，且由此类材料所构成的缓冲层540a具有良好的弹性限度，可以提供基板110与微型发光元件120之间具有良好的缓冲效果。特别说明的是，此处缓冲层540a直接接触固定结构130a，因此也可以提供对于固定结构130a的缓冲与固定，避免在制程中因为移动等的原因而破坏固定结构。

图5b示出为本发明的另一实施例的微型发光元件结构的剖面示意图。请同时参阅图5a与图5b，本实施例的微型发光元件结构500b与图5a的微型发光元件结构500a相似，两者的差异在于：缓冲层540b直接接触基板110与固定结构130a，且缓冲层540b与微型发光元件120之间具有空气间隙g3，可以提供固定结构130a、基板110与微型发光元件120之间具有良好的缓冲效果。

图5c示出为本发明的另一实施例的微型发光元件结构的剖面示意图。请同时参阅图5a与图5c，本实施例的微型发光元件结构500c与图5a的微型发光元件结构500a相似，两者的差异在于：缓冲层540c直接接触微型发光元件120，且缓冲层540c与基板110之间具有空气间隙g4。

图5d示出为本发明的另一实施例的微型发光元件结构的剖面示意图。请同时参阅图5a与图5d，本实施例的微型发光元件结构500d与图5a的微型发光元件结构500a相似，两者的差异在于：缓冲层540d的第一缓冲层542d与第二缓冲层544d的剖面轮廓具体化为不规则形，且缓冲层540d具体化为纳米级(例如1纳米至100纳米之间)不规则的结构，可较有效分散缓冲接合时的应力。也就是说，第一缓冲层542d与第二缓冲层544d之间的空气间隙g5也随着第一缓冲层542d与第二缓冲层544d而呈现不规则形。

图5e示出为本发明的另一实施例的微型发光元件结构的剖面示意图。请同时参阅图5a与图5e，本实施例的微型发光元件结构500e与图5a的微型发光元件结构500a相似，两者的差异在于：缓冲层540e直接接触基板110与微型发光元件120，且缓冲层540e设置于微型发光元件120的中间，微型发光元件120、基板110、缓冲层540e以及固定结构130a之间具有多个空气间隙g6、g7，以使缓冲层540e可以同时具有缓冲与支撑的双重作用。更具体而言，缓冲层540e直接接触基板110与微型发光元件120而并不接触固定结构130a，使缓冲层540e可以兼具微型发光元件120的中间的缓冲和支撑固定。特别说明的是，本实施例的缓冲层540e设置于微型发光元件120的正中心处，以缓冲与支撑微型发光元件120于接合时较为脆弱的中间，但于未示出的实施例中，缓冲层540e也可略偏离正中心处，只要使微型发光元件、基板、缓冲层以及固定结构之间具有多个空气间隙，以使缓冲层540e可以同时具有缓冲与支撑的双重作用，皆属于本发明所欲保护的范围。

此外，于其他未示出的实施例中，也可选用于如前述实施例所提及的微型发光元件120a、120b、120c、固定结构230b、230c、230d、230e、330、430a、432b以及缓冲层540a、540b、540c、540d、540e，使微型发光元件与固定结构或缓冲层之间具有不同形貌的接触态样、或以不同个数的固定结构暂时固定及支撑微型发光元件。只要使微型发光元件与基板之间是通过固定结构以维持间距，以便于后续拾取过程中可轻易地从基板上将微型发光元件拾取下来，均属本发明所欲保护的范畴。

综上所述，由于本发明的微型发光元件结构包括位于基板与微型发光元件之间的固定结构与缓冲层，其中固定结构位于基板与微型发光元件之间并直接接触基板，而缓冲层配置于微型发光元件与基板之间。藉此，可使得基板与微型发光元件之间具有良好的固定、支撑与缓冲的作用。此外，微型发光元件结构的固定结构分散配置于微型发光元件的边缘。如此一来，不仅可以使微型发光元件顺利地从载体基板上拾取下来，也不会影响微型发光元件于后续与接收基板的共晶接合与微型发光元件的出光面积与出光效率。

虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更改与润饰，故本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定者为准。