用于BEOL互连的ALD铜与高温PVD铜沉积的集成的制作方法

本公开内容大体涉及用于沉积薄膜的装置和方法。特别地，本公开内容涉及用于沉积用于后段工艺(back-end-of-line；beol)的互连的铜膜的方法。

背景技术：

集成电路通过在基板表面上产生复杂地图案化的材料层的处理而成为可能。在基板上产生图案化的材料需要用于沉积和移除材料层的受控的方法。现代半导体制造处理越来越强调在处理步骤之间没有空气闯进的情况下的膜的集成。这样的需求对设备制造商提出允许将各种处理腔室集成到单个工具中的挑战。

间隙填充处理是半导体制造的重要阶段。间隙填充处理用于利用绝缘或导电材料填充高深宽比的间隙(或特征结构)。例如，浅槽隔离、金属间介电层、钝化层、虚拟栅极等等。随着器件几何形状的缩小和热预算减少，由于传统沉积处理的限制，间隙和其他特征结构的无缺陷填充变得越来越困难。

许多沉积方法在特征结构的顶部区域上比在底部区域上沉积更多的材料。这些处理通常在特征结构的顶部处形成蘑菇形膜轮廓。结果，特征结构的顶部部分有时过早地关闭(pinchoff)，从而在特征结构的下部分内留下缝或空隙。这个问题在较小的特征结构以及具有高深宽比的特征结构中更为普遍。

铜通常用作beol处理中的互连材料。目前的高温物理气相沉积(pvd)铜回流沉积强烈依赖于基板材料以促进铜流入高深宽比器件结构。因此，本领域需要具有较少的基板材料依赖性和更好的回流特性的沉积铜膜的装置和方法。

技术实现要素：

本公开内容的一个或多个实施方式针对间隙填充的方法。通过原子层沉积(ald)在基板表面(在基板表面上具有特征结构)上形成铜间隙填充种晶层。在第一温度下发生原子层沉积。在高于第一温度的第二温度下，通过物理气相沉积(pvd)用铜填充特征结构，以形成无缝的间隙填充膜。

本公开内容的另外的实施方式针对方法，所述方法包括提供具有金属下层的基板，所述金属下层上具有图案化的介电层。图案化的介电层在基板的表面限定一个或多个特征结构。所述特征结构具有侧壁和底部。所述侧壁包括图案化的介电层并且底部包括所属金属下层。扩散阻挡层形成在基板表面上和特征结构的侧壁上。可选的衬垫形成在基板表面与特征结构的侧壁上的扩散阻挡层上和特征结构的底部上。在第一温度下，通过原子层沉积(ald)在基板表面上形成铜间隙填充种晶层。在高于第一温度的第二温度下，通过物理气相沉积(pvd)用铜填充特征结构，以形成无缝的间隙填充膜。

本公开内容的进一步的实施方式针对处理平台，所述处理平台包括中心传送站、连接至中心传送站的原子层沉积腔室和连接至中心传送站的物理气相沉积腔室。机械手在中心传送站中以将基板从原子层沉积腔室移动到物理气相沉积腔室。一个或多个控制器连接到中心传送站、原子层沉积腔室、物理气相沉积腔室和机械手。所述一个或多个控制器具有选自以下配置的一种或多种配置：将基板移动至原子层沉积腔室的第一配置、在原子层沉积腔室中通过控制基板温度和铜前驱物的流动而在基板上沉积铜间隙填充种晶层的第二配置、将基板从原子层沉积腔室移动到物理气相沉积腔室的第三配置和在铜间隙填充种晶层上沉积铜膜的第四配置。

附图说明

为了可详细理解本公开内容的上述特征，可通过参考实施方式获得以上简要概述的本公开内容的更特定的描述，实施方式中的一些绘示在附图中。然而，应注意的是，附图仅绘示本公开内容的典型实施方式，并因此不视为本公开内容的范围的限制，因为本公开内容可允许其他同等有效的实施方式。

图1示出根据本公开内容的一个或多个实施方式的具有特征结构的单一材料基板的示意截面图；

图2示出根据本公开内容的一个或多个实施方式的双材料基板的示意截面图；

图3示出根据本公开内容的一个或多个实施方式的具有间隙填充材料的单一材料基板的一部分的示意截面图；

图4示出根据本公开内容的一个或多个实施方式的具有间隙填充材料的双材料基板的一部分的示意截面图；和

图5示出根据本公开内容的一个或多个实施方式的用于沉积间隙填充材料的处理平台的示意图。

在附图中，相似的部件和/或特征结构可具有相同的参考标记。此外，相同种类的多个部件可通过在参考标记后跟随破折号和区分相似部件的第二标记来进行区分。如果在说明书中仅使用第一参考标记，那么描述可应用至任一个具有相同的第一参考标记的类似部件，而与第二参考标记无关。

具体实施方式

在描述本公开内容的若干示例性实施方式之前，应理解的是，本公开内容不限于在以下的描述中阐明的构造或处理步骤的细节。本公开内容能够有其他实施方式并且能够以各种方式实践或执行。

本文使用的“晶片”或“基板”指的是在制造处理期间在其上执行膜处理的任何基板或形成在基板上的材料表面。例如，根据应用，其上可执行处理的基板表面包括诸如硅、氧化硅、应变硅、绝缘体上硅(soi)、碳掺杂的氧化硅、非晶硅、掺杂硅、锗、砷化镓、玻璃、蓝宝石之类的材料和诸如金属、金属氮化物、金属合金和其他导电材料之类的任何其他材料。基板包括但不限于半导体晶片。基板可暴露于预处理工艺以抛光、蚀刻、还原、氧化、羟基化、退火、uv固化、电子束固化和/或烘烤基板表面。除了直接在基板自身的表面上的膜处理之外，在本公开内容中，如下文更详细公开的，公开的任何膜处理步骤也可在形成在基板上的下层上执行，并且术语“基板表面”意欲包括如上下文指出的这样的下层。因此，例如当膜/层或部分的膜/层已经沉积在基板表面上时，新沉积的膜/层的暴露的表面成为基板表面。

本公开内容的一些实施方式提供使用pvd铜回流在不形成缝的情况下在间隙中沉积铜膜的方法。一些实施方式有利地提供采用高保形aldcun(氮化铜)的方法，所述高保形aldcun在约80℃至约120℃的温度下使用铜前驱物(例如cu(dmap)2)和反应物(例如氨)以顺序热ald模式形成在基板上，所述基板诸如具有cvdru或cvdco衬垫的aldtan。

一些实施方式有利地提供将aldcun转变为高纯度并且表面光滑的cu(以初始cun的小于的厚度)的方法。可通过在大于或等于约130℃的温度下在具有h2和/或ar气流的情况下退火来执行所述转变。在一些实施方式中，所述转变通过在高温真空(诸如高温pvdcu回流腔室)中预热来实现。

图1示出具有第一材料表面12和特征结构14(例如沟槽)的由第一材料11制成的基板10的截面图。在这方面使用的术语“特征结构”意指任何有意的表面不规则结构。特征结构14的形状可以是任何合适的形状，包括但不限于沟槽和圆柱形过孔。在特定的实施方式中，特征结构14是沟槽。出于本公开内容的目的，沟槽具有顶部(表面12)、从表面12向下延伸的两个侧壁16和底部18。特征结构可具有任何合适的深宽比(在特征结构的开口处特征结构的深度d与特征结构的宽度w的比)。在一些实施方式中，所述深宽比大于或等于约5:1、10:1、15:1、20:1、25:1、30:1、35:1或40:1。在一些实施方式中，特征结构的宽度w小于或等于约25nm、20nm、16nm、14nm、12nm、10nm或8nm。在一些实施方式中，每个侧壁16大体上垂直于底部18。在一些实施方式中，每个侧壁16以不同于90度的角度相对于底部18倾斜，使得开口在表面处大于在特征结构14的下部分处。由侧壁16和底部18形成的开放区域也称为间隙。填充间隙的材料称为间隙填充物。

在一些实施方式中，如图2绘示的，基板20包括被布置/图案化以形成至少一个特征结构14的两种材料——第一材料和第二材料。在一些实施方式中，两种材料包括下层23，在下层23上具有图案化的第一材料11。在一些实施方式中，下层23是包含任何合适的金属的金属下层，并且第一材料11包含具有第一材料表面12的电介质。在一些实施方式中，下层23包含电介质并且第一材料11包含金属膜。第一材料11由技术人员熟知的任何合适的图案化处理图案化，以形成具有侧壁16和底部18的特征结构14。在图2的实施方式中，特征结构14的侧壁由图案化的第一材料11形成，特征结构的底部18由下层23形成。

在一些实施方式中，第一材料11包含电介质。合适的电介质包括但不限于氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧氮化硅、氧碳化硅、碳氮化硅或氧碳氮化硅。在一些实施方式中，第一材料11包含金属膜(即导电膜)。

图3绘示本公开内容的实施方式，其中基板10(图3)包含单一材料11。图4绘示本公开内容的实施方式，其中基板20包含下层23，在下层23上具有图案化的第一材料11。图3和图4中绘示的膜/层的组合不特定于基板10或基板20。例如，在图4中绘示的实施方式不具有图3中绘示的至少一个层。这仅仅出于说明的目的并且技术人员将认识到可以在各种基板上形成公开的各种膜/层。

本公开内容的一些实施方式针对在特征结构14中沉积间隙填充材料的方法。一些实施方式的间隙填充材料包含金属铜、基本上由金属铜组成或由金属铜组成。以此方式使用的术语“基本上由……组成”的意思是，在原子基础上，膜的大于或等于约95％、98％或99％是所述的元素。膜的组成指的是膜的主体部分，不包括在膜的顶部和底部的界面区，所述界面区可能具有迁移或扩散在其中的相邻膜的原子。

铜间隙填充种晶层30沉积在基板表面(即第一材料11的表面12)上。铜间隙填充种晶层30通过原子层沉积(ald)而沉积。可通过时域处理或空间ald处理完成原子层沉积(ald)膜生长。在时域处理中，整个基板表面依次经历以下过程：暴露于第一反应性气体、清除第一反应性气体、暴露于第二反应性气体以及清除第二反应性气体。在空间ald处理中，多种反应性气体流入处理腔室的分开的区域，并且基板在这些区域之间移动以将基板依次暴露于反应性气体。

在一些实施方式中，铜间隙填充种晶层30是保形层。保形膜在特征结构的顶部处与在特征结构的底部处具有相同的厚度。在一些实施方式中，膜的保形性被测量为在特征结构的顶部处的厚度相对于平均厚度、在特征结构的中间处的厚度相对于平均厚度和在特征结构的底部处的厚度相对于平均厚度的平均值。在一些实施方式中，铜间隙填充种晶层30具有大于或等于约90％、91％、92％、93％、94％、95％、96％、97％、98％或99％的保形性。

铜间隙填充种晶层30可以是金属铜或氮化铜膜。在一些实施方式中，铜间隙填充种晶层30沉积为金属铜膜。例如，基板可暴露于铜前驱物和合适的还原剂以形成金属铜膜。合适的铜前驱物包括但不限于cu(dmap)2(dmap＝仲氨基烷氧化物(sec-aminoalkoxide)或其衍生物，其中r1、r2、r3等同于甲基、乙基)。

用于形成金属铜膜的合适的反应物包括但不限于ar、he、n2、ne、h2中的一种或多种的等离子体和h2。

在一些实施方式中，铜间隙填充种晶层30沉积为氮化铜膜并且转变为铜膜。可通过将基板依次暴露于合适的铜前驱物和合适的反应物来沉积氮化铜膜。用于氮化物形成的合适的反应物包括但不限于n2、nh3、吡啶、联氨和上述物质的等离子体。在一些实施方式中，在填充特征结构之前通过热分解将氮化铜膜转变为铜膜。在一些实施方式中，氮化铜膜转变发生在用铜填充特征结构的同时。

铜间隙填充种晶层30沉积至足够用作后续的pvd铜沉积处理的成核增强层的厚度。在一些实施方式中，铜间隙填充种晶层30具有形成连续膜的最小厚度。在本文中使用的术语“连续”指覆盖整个暴露的表面的层不具有露出在所沉积的层下面的材料的间隙或裸点。连续层可具有表面积小于膜的总表面积的约1％的间隙或裸点。在一些实施方式中，铜间隙填充种晶层是具有小于或等于约5nm、4nm、3nm或2nm的平均厚度的连续膜。在一些实施方式中，铜间隙填充种晶层30具有在约1nm至约3.5nm的范围中、或在约1.5nm至约3nm的范围中、或在约2nm至约2.5nm的范围中的厚度。

铜间隙填充种晶层30在第一温度下沉积。在一些实施方式中，第一温度在约室温至约150℃的范围中、或在约50℃至约130℃的范围中、或在约80℃至约120℃的范围中。

在一些实施方式中，在形成铜间隙填充种晶层30之后，基板被暴露于用于将铜间隙填充种晶层30转变为金属铜膜的条件。合适的条件包括但不限于在大于或等于约130℃的温度下在h2和/或ar气流中的退火。在一些实施方式中，通过在高温真空(诸如用于后续pvdcu膜沉积的pvd腔室)中预热基板来将铜间隙填充种晶层30转变为金属铜膜。

在形成铜间隙填充种晶层30之后，在高于第一温度的第二温度下，通过物理气相沉积(pvd)用铜膜40填充特征结构14，以形成无缝的间隙填充膜。缝是在特征结构14的侧壁16之间的任何开口或空隙。无缝间隙填充意指在体积基础上存在小于或等于约2％、1％或0.5％的空隙。

基板可从ald腔室移动到pvd腔室以用于使用pvdcu膜进行间隙填充。在一些实施方式中，第二温度在约100℃至约400℃的范围中、或在约125℃至约350℃的范围中、或在约150℃至约250℃的范围中。在铜膜40的pvd沉积期间的温度大于在铜间隙填充种晶层30的ald沉积期间的温度。

在一些实施方式中，基板表面具有形成在特征结构14的侧壁16和表面12上的扩散阻挡层50。图4中绘示的实施方式示出在特征结构14的侧壁16上并且不在特征结构14的底部18上的扩散阻挡层。例如，扩散阻挡层50形成在图案化的膜的特征结构的顶表面和侧壁上。在一些实施方式中，如图3中绘示的，扩散阻挡层50也形成在特征结构14的底部18上。在一些实施方式中，扩散阻挡层50在下层23上形成在特征结构的底部上。

扩散阻挡层50可以是任何合适的材料，包括但不限于氮化钽。在一些实施方式中，扩散阻挡层50包含氮化钽或基本上由氮化钽组成。以此方式使用的术语“基本上由……组成”的意思是，在元素基础上，膜的主体的大于或等于约95％、98％或99％是所述的化合物。例如，基本上由氮化钽组成的扩散阻挡层50的大于或等于约95％、98％或99％是膜中的钽原子和氮原子。

在一些实施方式中，如图4所示，铜间隙填充种晶层30直接形成在扩散阻挡层50上。以此方式使用的术语“直接形成在……上”意指在扩散阻挡层50与间隙填充种晶层30之间没有介入层。在一些实施方式中，如图3所示，在扩散阻挡层50与间隙填充种晶层30之间有至少一个介入层。

可通过技术人员熟知的任何合适的处理形成扩散阻挡层50。例如，可通过原子层沉积、化学气相沉积或物理气相沉积中的一个或多个形成扩散阻挡层50。扩散阻挡层50可与铜间隙填充种晶层30在相同的处理腔室中形成或在不同的处理腔室中形成。

在一些实施方式中，可选的衬垫60形成在扩散阻挡层50上。可选的衬垫60可保形地形成在特征结构的侧壁和底部上以及图案化的材料的表面上。在一些实施方式中，衬垫60包含钴或钌中的一种或多种。在一些实施方式中，衬垫基本上由钴组成。在一些实施方式中，衬垫60基本上由钌组成。可通过技术人员熟知的任何合适的处理沉积衬垫60。例如，可通过原子层沉积、化学气相沉积或物理气相沉积中的一个或多个形成衬垫60。衬垫60可与铜间隙填充种晶层30在相同的处理腔室中形成或在不同的处理腔室中形成。

本公开内容的一些实施方式针对用于形成铜间隙填充的处理平台。图5示出根据本公开内容的一个或多个实施方式的处理平台100。图5中所示的实施方式仅代表一种可能的配置，而不应视为限制本公开内容的范围。例如，在一些实施方式中，处理平台100具有不同数量的处理腔室、缓冲腔室和机械手配置。

处理平台100包括中心传送站110，中心传送站110具有多个边111、112、113、114、115、116。示出的传送站110具有第一边111、第二边112、第三边113、第四边114、第五边115和第六边116。虽然示出六个边，但本领域技术人员将理解，根据例如处理平台100的整体配置，传送站110可以有任何合适数量的边。

传送站110具有位于传送站110中的机械手117。机械手117可以是能够在处理期间移动晶片的任何合适的机械手。在一些实施方式中，机械手117具有第一臂118和第二臂119。第一臂118和第二臂119可独立于彼此移动。第一臂118和第二臂119可在x-y平面中和/或沿着z轴移动。在一些实施方式中，机械手117包括第三臂或第四臂(未示出)。每个臂可独立于其他臂移动。

批量处理腔室120可连接至中心传送站110的第一边111。批量处理腔室120可被配置为在批量时间一次处理x个晶片。在一些实施方式中，批量处理腔室120可被配置为同时处理在约四个(x＝4)至约12个(x＝12)范围中的晶片。在一些实施方式中，批量处理腔室120被配置为同时处理六个(x＝6)晶片。技术人员将理解，虽然批量处理腔室120可在个别晶片的装载/卸载之间处理多个晶片，但各晶片可在任何给定时间处于不同处理条件下。在一些实施方式中，批量处理腔室120是被配置为在基板上沉积铜间隙填充种晶层的原子层沉积腔室。

处理平台100包括连接至中心传送站110的第二边112的物理气相沉积(pvd)腔室140。一些实施方式的pvd腔室140被配置为在形成铜间隙填充种晶层之后沉积铜间隙填充层。

在一些实施方式中，处理平台进一步包括连接至中心传送站110的第三边113的第二批量处理腔室130。第二批量处理腔室130可被配置为类似于批量处理腔室120，或可被配置为执行不同的处理或处理不同数量的基板。例如，一些实施方式的第二批量处理腔室130被配置为在基板上形成阻挡层。

在图5所示的实施方式中，处理平台100包括连接至中心传送站110的第四边114的第二pvd腔室150。第二pvd腔室150可与pvd腔室140相同或不同。

处理平台100还可包括连接至中心传送站110的第五边115的第一缓冲站151和/或连接至中心传送站110的第六边116的第二缓冲站152。第一缓冲站151和第二缓冲站152可执行相同或不同的功能。例如，缓冲站可保持一盒(cassette)晶片，所述晶片被处理并且返回到原始的盒，或者第一缓冲站151可保持未处理的晶片，所述未处理的晶片在处理之后移动至第二缓冲站152。在一些实施方式中，缓冲站中的一个或多个被配置为用以在处理之前和/或之后预处理、预热或清洁晶片。

处理平台100还可在中心传送站110与任何处理腔室之间包括一个或多个狭缝阀160。在所示的实施方式中，在处理腔室120、130、140、150中的每一个与中心传送站110之间有狭缝阀160。狭缝阀160可打开和关闭以将处理腔室内的环境与中心传送站110内的环境隔离。例如，如果处理腔室将在处理期间产生等离子体，则关闭用于该处理腔室的狭缝阀以防止杂散等离子体损伤传送站中的机械手可以是有益的。

在一些实施方式中，处理腔室不可从中心传送站110容易地移除。为了允许在任何处理腔室上执行维护，每个处理腔室可进一步在处理腔室的侧边上包括多个进出门170。进出门170在不从中心传送站110移除处理腔室的情况下向处理腔室提供人工进出口。在示出的实施方式中，每个处理腔室的每个边(除了连接至传送站的边)具有进出门170。包括这么多进出门170可能使采用的处理腔室的构造复杂，因为在腔室内的硬件会需要被配置为可通过门来接近。

一些实施方式的处理平台包括连接至传送站110的水箱180。水箱180可被配置为向任何或所有处理腔室提供冷却剂。虽然被称为“水”箱，但本领域技术人员将理解，可使用任何冷却剂。

在一些实施方式中，处理平台100的尺寸允许通过单个功率连接器190连接至厂房电力(housepower)。单个功率连接器190附接至处理平台100以向每个处理腔室和中心传送站110提供电力。

处理平台100可连接至工厂接口102以允许晶片或晶片的盒装载到平台100中。在工厂接口102内的机械手103可将晶片或盒移动到缓冲站151、152中和移动出缓冲站151、152。晶片或盒可通过在中心传送站110中的机械手117在平台100内移动。在一些实施方式中，工厂接口102是另一群集工具的传送站。

控制器195可被提供并且耦接至处理平台100的各种部件以控制所述部件的操作。控制器195可以是控制整个处理平台100的单个控制器或控制处理平台100的各别部分的多个控制器。例如，处理平台100可包括用于各别处理腔室、中心传送站、工厂接口和机械手中的每一个的单独的控制器。在一些实施方式中，控制器195包括中央处理单元(cpu)196、存储器197和支持电路198。控制器195可直接控制处理平台100，或经由关联于特定处理腔室和/或支持系统部件的计算机(或控制器)控制处理平台100。控制器195可以是能在工业设定中使用而用于控制各种腔室和子处理器的任何形式的通用计算机处理器之一。控制器195的存储器197或计算机可读介质可以是本地或远程的诸如随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、软盘、硬盘、光学存储介质(例如光盘或数字视频光盘)、闪存驱动器或任何其他形式的数字存储装置之类的容易获得的存储器中的一个或多个。支持电路198耦接至cpu196以用于以常规方式支持处理器。这些电路包括高速缓存、电源、时钟电路、输入/输出电路和子系统等等。一个或多个处理可作为软件程序存储在存储器198中，所述软件程序可被执行或调用来以本文所描述的方式控制处理平台100或各别处理腔室的操作。软件程序也可由第二cpu(未示出)存储和/或执行，第二cpu距离被cpu196控制的硬件远程地定位。

在一些实施方式中，控制器195具有选自以下配置的至少一种配置：将基板移动至批量处理腔室(例如ald腔室)的第一配置、在基板上沉积铜间隙填充种晶层的第二配置、将基板从ald腔室移动到pvd腔室的第三配置、在pvd腔室中加热基板的第四配置、在pvd腔室中沉积铜间隙填充膜的第五配置、在基板上沉积阻挡层的第六配置和/或在基板上沉积衬垫的第七配置。这些配置可包括任何命令或功能以控制流率、气体阀、气源、旋转、移动、加热、冷却或用于执行各种配置的其他处理。

根据一个或多个实施方式，基板连续地处于真空或“装载锁定”条件下，并且当从一个腔室移动到下一个腔室时不暴露于周围空气。因此传送腔室处于真空下并且被“抽空”在真空压力下。惰性气体可存在于处理腔室或传送腔室中。在一些实施方式中，惰性气体被用作净化气体以移除一些或所有的反应物。根据一个或多个实施方式，在沉积腔室的出口处注入净化气体，以防止反应物从沉积腔室移动到传送腔室和/或另外的处理腔室。因此，惰性气体流在腔室的出口处形成帘。

在处理期间，基板可被加热或冷却。可通过任何合适的手段实现这样的加热或冷却，所述手段包括但不限于改变基板支撑件的温度和使加热的或冷却的气体流至基板表面。在一些实施方式中，基板支撑件包括可被控制以传导地改变基板温度的加热器/冷却器。在一个或多个实施方式中，采用的气体(反应性气体或惰性气体)被加热或冷却以局部地改变基板温度。在一些实施方式中，加热器/冷却器临近于基板表面定位在腔室内，以对流地改变基板温度。

基板也可在处理期间静止或旋转。旋转的基板可连续地或离散步进地旋转。例如，基板可在整个处理中一直旋转，或基板可在暴露于不同的反应性气体或净化气体之间小量的旋转。在处理期间旋转基板(连续地或步进地)可有助于通过最小化例如气流几何形状中的局部变化的影响而产生更均匀的沉积或蚀刻。

本说明书通篇提及的“一个实施方式”、“某些实施方式”、“一个或多个实施方式”或“实施方式”意指关于实施方式描述的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开内容的至少一个实施方式中。因此，在整个本说明书的各位置中出现的诸如“在一个或多个实施方式中”、“在某些实施方式中”、“在一个实施方式中”或“在实施方式中”之类的短语不必然表示本公开内容的相同实施方式。此外，特定的特征、结构、材料或特性可以任何合适的方式结合在一个或多个实施方式中。

虽然本文已经参照特定实施方式描述本公开内容，但应理解的是，这些实施方式仅是本公开内容的原理和应用的说明。对本领域技术人员将显而易见的是，可在不脱离本公开内容的精神和范围的情况下对本公开内容的方法和装置做出各种修改和改变。因此，本公开内容意欲包括在所附权利要求书的范围内的各种修改和改变和它们的等同物。