一种VDMOS器件及其制作方法与流程

本发明涉及半导体芯片制造技术领域，特别是涉及一种vdmos器件制作方法以及vdmos器件。

背景技术：

半导体功率器件是电力电子领域的重要元器件,以vdmos为典型代表的半导体功率器件是如今电力电子器件领域的主流,它在大功率开关、功率放大器等领域中的应用日渐广泛。

垂直双扩散金属-氧化物半导体晶体管，(亦称verticaldouble-diffusedmosfet，vdmos)兼有双极晶体管和普通mos(metal-oxide-semiconductor，mos)器件的优点，无论开关应用还是线性应用，vdmos都是理想的功率器件。vdmos主要应用于逆变器、电子开关、高保真音响、汽车电器和电子镇流器等。vdmos分为增强型vdmos和耗尽型vdmos。

随着电力电子器件的应用和普及以及半导体设计和半导体工艺领域的发展，需要vdmos器件向着高性能、低成本领域发展。因此，如何在保证高性能前提下，尽可能的压缩成本，成为各个半导体器件工厂的主要课题。

在半导体器件制作工艺中，光刻是最复杂、昂贵和关键的工艺，约占总制作成本的三分之一。一件典型的半导体器件的硅工艺需要十五至二十块掩膜板，因此，制造成本主要以光刻次数的多少来衡量。

目前vdmos器件制作工艺简介如下：

请参考图1，步骤一，在外延层上生长初始氧化层，该初始氧化层的厚度通常为6000-14000埃，采用光刻及刻蚀做出环区的图形。对该环区进行注入摻杂和高温驱入生长一定厚度的氧化层，厚度通常为3000-6000埃，形成器件的环区。步骤二，如图2所示，利用光刻胶保护环区，将有源区表面的初始氧化层去除，后续介绍均为关于在有源区进行vdmos原胞制作的工艺。步骤三，如图3所示，去除初始氧化层的有源区上生长栅氧化层和淀积多晶硅栅极。步骤四，如图4所示，在炉管中进行多晶硅掺杂，通常为n型饱和掺杂。步骤五，如图5所示，对多晶硅栅极进行光刻和刻蚀，并完成体区注入和驱入。步骤六，如图6所示，在栅氧化层上进行源区的光刻和转印光刻胶，该光刻胶用于在注入工艺时将体区的一部分阻挡。步骤七，如图7所示，在光刻胶的作用下做源区的注入，比如进行n型源区的注入。注入后去除该光刻胶，并完成源区驱入。步骤八，如图8所示，淀积介质层及介质层回流，完成接触孔刻蚀，并进行深体区注入及驱入。步骤九，如图9所示，生成金属引线即可。

但是，现有vdmos器件制作工艺中包含的光刻次数太多，效率低并且成本高。

因此，现有的vdmos器件制作方法以及vdmos器件还有待于改进。

技术实现要素：

本发明实施例克服以上技术问题，提供一种vdmos器件制作方法以及vdmos器件，该制作方法过程中设置氧化掩膜可同时完成体区、源区注入以及掺杂工艺，减少光刻工艺，提升生产效率的同时提升器件整体性能，使vdmos器件具有稳定阈值电压和优化温度特性。

第一方面，本发明实施方式提供的技术方案是：提供一种vdmos器件制作方法，包括以下步骤：

在外延层上生长初始氧化层，对该初始氧化层进行光刻和刻蚀形成环区和有源区，同时在该有源区内形成氧化掩膜；

在该有源区上生成栅氧化层以及沉积多晶硅栅极层；

光刻和刻蚀该多晶硅栅极层和栅氧化层，在该氧化掩膜两侧形成第一注入窗口、第二注入窗口以及多晶硅栅极；

通过该第一注入窗口和第二注入窗口对该外延层进行第一离子的注入和驱入形成第一体区和第二体区；

通过该第一注入窗口和第二注入窗口对该外延层进行第二离子的注入和驱入形成源区；

形成介质层，对该介质层进行光刻和刻蚀，去除该氧化掩膜形成第三注入窗口，通过该第三注入窗口对该外延层进行第一离子的注入和驱入形成深体区；以及

在该介质层上生长金属层形成该vdmos器件。

其中，在有源区的制作工艺过程中，采用光刻胶保护环区。

可选的，该深体区的轴线与该第一体区和第二体区之间的中心线重合。

为了减少光刻工艺，在通过该第一注入窗口和第二注入窗口对该外延层进行第二离子的注入和驱入形成源区的同时，对该多晶硅栅极进行掺杂。

其中，该多晶硅栅极的掺杂离子与该第二离子相同。

在制作工艺过程中，通过该氧化掩膜的位置确定该第一注入窗口、第二注入窗口以及第三注入窗口的位置。

具体实施时，该第一离子为n型离子，该第二离子为p型离子；或者该第一离子为p型离子，该第二离子为n型离子。

第二方面，本发明实施方式提供的技术方案是：提供一种vdmos器件，该vdmos器件由前述的vdmos器件制作方法制作而成。

第三方面，本发明实施方式提供的技术方案是：提供一种vdmos器件，包括环区和有源区，其中，该有源区包括依次设置的外延层、栅氧化层、多晶硅栅极、介质层以及金属层，该栅氧化层以及多晶硅栅极是根据该有源区外延层上的氧化掩膜光刻和刻蚀而成；

还包括通过该氧化掩膜两侧形成的第一注入窗口、第二注入窗口对该外延层进行第一离子的注入和驱入形成的第一体区和第二体区；

通过该氧化掩膜两侧形成的第一注入窗口、第二注入窗口对该外延层进行第二离子注入和驱入形成的源区；以及

通过去除该氧化掩膜形成第三注入窗口，通过该第三注入窗口对该外延层进行第一离子的注入和驱入形成的深体区。

其中，该环区上涂布的光刻胶。

可选的，该深体区的轴线与该第一体区和第二体区之间的中心线重合。

在制作工艺过程中，由该氧化掩膜的位置确定该第一注入窗口、第二注入窗口以及第三注入窗口的位置。

具体实施时，该第一离子为n型离子，该第二离子为p型离子；或者该第一离子为p型离子，该第二离子为n型离子。

本发明实施方式的有益效果是：本实施例的vdmos器件制作方法和vdmos器件，该制作方法中在环区的光刻和刻蚀中同时形成氧化掩膜，在后续工艺中通过该氧化掩膜可同时完成第一体区、第二体区和源区的注入并同时完成掺杂工艺，以减少vdmos器件制作中的光刻工艺，提升生产效率的同时提升器件整体性能，使vdmos器件具有稳定阈值电压和优化温度特性。

附图说明

图1是现有的vdmos器件制作方法的步骤一的制作工艺示意图；

图2是现有的vdmos器件制作方法的步骤二的制作工艺示意图；

图3是现有的vdmos器件制作方法的步骤三的制作工艺示意图；

图4是现有的vdmos器件制作方法的步骤四的制作工艺示意图；

图5是现有的vdmos器件制作方法的步骤五的制作工艺示意图；

图6是现有的vdmos器件制作方法的步骤六的制作工艺示意图；

图7是现有的vdmos器件制作方法的步骤七的制作工艺示意图；

图8是现有的vdmos器件制作方法的步骤八的制作工艺示意图；

图9是现有的vdmos器件制作方法的步骤九的制作工艺示意图；

图10是发明本实施例vdmos器件制作方法的初始氧化层的制作工艺示意图；

图11是发明本实施例vdmos器件制作方法的氧化掩膜制作工艺示意图；

图12是发明本实施例vdmos器件制作方法的基于氧化掩膜生长栅氧化层和多晶硅栅极层的制作工艺示意图；

图13是发明本实施例vdmos器件制作方法的第一注入窗口和第二注入窗口的制作工艺示意图；

图14是发明本实施例vdmos器件制作方法的第一体区和第二体区的注入工艺示意图；

图15是发明本实施例vdmos器件制作方法的源区注入工艺示意图；

图16是发明本实施例vdmos器件制作方法的介质层制作工艺示意图；

图17是发明本实施例vdmos器件制作方法的深体区注入工艺示意图；

图18是发明本实施例vdmos器件的结构示意图图；以及

图19是发明本实施例vdmos器件制作方法的制作工艺流程图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合附图对本发明实施例做进一步详细说明。在此，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，但并不作为对本发明的限定。

本发明的vdmos器件制作方法以及vdmos器件，在环区的光刻和刻蚀中同时形成氧化掩膜，在后续制作工艺中通过该氧化掩膜可同时完成第一体区、第二体区和源区的注入，以及同时完成多晶硅栅极层的掺杂工艺，减少vdmos器件制作中的光刻工艺，提升生产效率的同时提升器件整体性能，使vdmos器件具有稳定阈值电压和优化温度特性。

实施例1

请参考图19，本实施例涉及vdmos器件制作方法，主要包括以下步骤：

步骤110：在外延层上生长初始氧化层，其中，设置衬底，在该衬底上生长该外延层；

步骤120：对该初始氧化层进行光刻和刻蚀形成环区和有源区，同时在该有源区内形成氧化掩膜，该氧化掩膜的图形设置在该环区和有源区的光刻掩膜版上，同时光刻和刻蚀；

步骤130：在该有源区上生成栅氧化层以及沉积多晶硅栅极层，其中，该氧化掩膜具有相对较高的高度，使得生成栅氧化层后，该氧化掩膜突伸于该栅氧化层上，该沉积的多晶硅栅极层覆盖在该氧化掩膜上；

步骤140：光刻和刻蚀该多晶硅栅极层和栅氧化层，在该氧化掩膜两侧形成第一注入窗口、第二注入窗口以及多晶硅栅极，其中，刻蚀该第一注入窗口、第二注入窗口的掩膜版图形尺寸是参照该氧化掩膜的图形和位置加以确定的；

步骤150：通过该第一注入窗口和第二注入窗口对该外延层进行第一离子的注入和驱入形成第一体区和第二体区；

步骤160：通过该第一注入窗口和第二注入窗口对该外延层进行第二离子的注入和驱入形成源区；

步骤170：形成介质层，对该介质层进行光刻和刻蚀，去除该氧化掩膜形成第三注入窗口，其中，刻蚀去除该氧化掩膜和形成该第三注入窗口掩膜版图形尺寸是参照该氧化掩膜的图形和位置加以确定的；

步骤180：通过该第三注入窗口对该外延层进行第一离子的注入和驱入形成深体区；以及

步骤190：在该介质层上生长金属层形成该vdmos器件。

以下介绍具体实施例中vdmos器件制作方法的工艺。

请参考图10，本实施例中，衬底为n型衬底10，在该n型衬底10上生长n型外延层12。在该n型外延层12上生长初始氧化层300。该初始氧化层300的厚度通常为6000-14000埃。在该初始氧化层300上采用光刻及刻蚀工艺做出vdmos器件的有源区100和环区200的图形。对该环区200进行注入摻杂及高温驱入生长氧化层，厚度通常为3000-6000埃，形成器件的环区200。

其中，该vdmos器件制作方法，该环区200涂布曝光有光刻胶，用于保护该环区200。

请参考图11，采用光刻胶保护环区200，或者环区200以及部分有源区之后，后续工艺均是在有源区100进行vdmos器件的原胞制作。

在前述对初始氧化层进行光刻和刻蚀形成环区200和有源区100的步骤中使用的掩膜版包括了氧化掩膜的图形。从而在该有源区100内形成氧化掩膜310。该氧化掩膜310的图形设置在该环区200和有源区100的光刻掩膜版上，同时光刻和刻蚀。

此步为减少光刻工艺的关键点，为后续减少光刻做准备。

由于本发明的工艺集中在有源区100，故环区200后续不再赘述。

请参考图12，按传统工艺形成栅氧化层20和多晶硅栅极层30。其中，该氧化掩膜310具有相对较高的高度，使得生成的氧化掩膜310突伸于该栅氧化层20上，该沉积的多晶硅栅极层30覆盖在该氧化掩膜310上。

请参考图13，此步骤不做多晶硅栅极层的掺杂，而是直接做多晶栅极层的刻蚀，并在多晶硅栅极层30的刻蚀过程中直接刻蚀掉栅极氧化层20。其中，刻蚀该第一注入窗口91、第二注入窗口92的掩膜版图形尺寸是参照该氧化掩膜310的图形和位置加以确定的。

请参考图14，在该氧化掩膜310的阻挡下，通过该第一注入窗口91和第二注入窗口92对该外延层12进行第一离子的注入和驱入形成第一体区41和第二体区42。

请参考图15，在该氧化掩膜310的阻挡下，通过该第一注入窗口91和第二注入窗口92对该外延层12进行第二离子的注入和驱入形成第源区51和52。

同时，在通过该第一注入窗口91和第二注入窗口92对该外延层12进行第二离子的注入和驱入形成源区的同时，对该多晶硅栅极32、34进行掺杂。为了减少光刻工艺，在完成vdmos器件的第一体区41和第二体区42制作之后，对形成的多晶硅栅极32、34做本征多晶硅掺杂工艺。本实施例中，使用pocl3气源，并且该多晶硅栅极的掺杂离子与该第二离子相同。从而在做多晶硅栅极32、34掺杂的同时直接形成vdmos器件的源区51和52。这样就避免了一次源区制作的光刻、注入和源区驱入制作过程。

请参考图16，形成vdmos器件的介质层70，并进行介质层回流。其中，该介质层70覆盖了该氧化掩膜310。

请参考图17，做介质层70光刻和刻蚀并完成深体区60的注入及驱入。本工艺过程中，对该介质层70进行光刻和刻蚀，去除该氧化掩膜310后形成第三注入窗口93，其中，刻蚀去除该氧化掩膜310和形成该第三注入窗口93的掩膜版图形尺寸是参照该氧化掩膜310的图形和位置加以确定的。

请参考图18，形成金属层80，做金属引线即可。

本实施例中，该深体区60的轴线与该第一体区41和第二体区42之间的中心线重合。

其中，该氧化掩膜310在有源区的制作过程中一直作为位置确定的参考，通过该氧化掩膜310的位置确定该第一注入窗口91、第二注入窗口92以及第三注入窗口93的加工尺寸和位置。

本实施例中，该外延层为n型外延层，该第一体区和第二体区为p-体区，该深体区为p+体区。该第一离子为n型离子，该第二离子为p型离子。比如，该第一离子为硼离子、该第二离子为磷离子。

可以理解的是，在另一实施例中，该外延层为p型外延层，该体区为n-体区，该深体区为n+体区。该第一离子也可以为p型离子，该第二离子为n型离子。比如，该第一离子为磷离子、该第二离子为硼离子。

实施例2

本实施例的vdmos器件，由前述vdmos器件制作方法制作而成。

实施例3

请再次参考图18，本实施例的vdmos器件，包括环区200和有源区100.其中，该有源区100包括依次设置的外延层12、栅氧化层20、多晶硅栅极(32、34)、介质层71、72、金属层80、第一体区41、第二体区42、源区(51、52)以及深体区60。

该栅氧化层20以及多晶硅栅极(32、34)是根据该有源区100外延层12上的氧化掩膜310光刻和刻蚀而成。

该第一体区41和第二体区42是通过该氧化掩膜310两侧形成的第一注入窗口91、第二注入窗口92对该外延层12进行第一离子的注入和驱入形成的。

该源区(51、52)是通过该氧化掩膜310两侧形成的第一注入窗口91、第二注入窗口92对该外延层12进行第二离子注入和驱入形成的。

该深体区60是通过去除该氧化掩膜形成第三注入窗口93，通过该第三注入窗口93对该外延层12进行第一离子的注入和驱入形成的。

其中，该环区200上涂布的保护环区200的光刻胶。

该深体区60的轴线与该第一体区41和第二体区42之间的中心线重合。

由该氧化掩膜310的位置确定该第一注入窗口91、第二注入窗口92以及第三注入窗口93的位置。

本实施例中，该外延层为n型外延层，该第一体区和第二体区为p-体区，该深体区为p+体区。该第一离子为n型离子，该第二离子为p型离子。比如，该第一离子为硼离子、该第二离子为磷离子。

可以理解的是，在另一实施例中，该外延层为p型外延层，该体区为n-体区，该深体区为n+体区。该第一离子也可以为p型离子，该第二离子为n型离子。比如，该第一离子为磷离子、该第二离子为硼离子。

本实施例的vdmos器件制作方法和vdmos器件，在环区的光刻和刻蚀中同时形成氧化掩膜，在后续制作工艺中通过该氧化掩膜可同时完成第一体区、第二体区和源区的注入，以及同时完成多晶硅栅极层的掺杂工艺，减少vdmos器件制作中的光刻工艺，提升生产效率的同时提升器件整体性能，使vdmos器件具有稳定阈值电压和优化温度特性。

以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。