透明OLED显示器及其制作方法与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种透明OLED显示器及其制作方法。

背景技术：

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器，也称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平板显示装置，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快，而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点，因而具有广阔的应用前景。

随着显示技术的发展，透明显示装置作为一种新奇的显示手段被提出，这种透明显示装置既可以从屏幕正面看到显示的图像，又可以透过屏幕看到透明显示装置背面的物体。透明显示器具有许多可能的应用，例如建筑物、汽车的窗户和购物商场的展示窗。除了这些大型设备的应用以外，诸如手持式平板电脑的小型设备也可得益于透明显示器。预期大量的现有显示器市场将被透明显示器取代，例如在建筑、广告和公共信息领域。

图1为现有的一种透明OLED显示器的剖视示意图，图2为图1的透明OLED显示器的子像素区域的平面结构示意图，所述透明OLED显示器包括显示区与位于显示区周边的外围区，所述显示区内设有多个子像素区域，如图2所示，每个子像素区域包括不透明的TFT区、不透明的储存电容(Cst)区、以及除TFT区与Cst区以外的透明区；如图1所示，所述透明OLED显示器包括衬底基板100、设于所述衬底基板100上的第一金属层200、设于所述衬底基板100上且覆盖所述第一金属层200的栅极绝缘层300、设于所述栅极绝缘层300上的有源层400、设于所述栅极绝缘层300上且覆盖所述有源层400的蚀刻阻挡层500、设于所述蚀刻阻挡层500上的第二金属层600、设于所述蚀刻阻挡层500上且覆盖所述第二金属层600的钝化层700、设于所述钝化层700上的平坦层800、设于所述平坦层800上的阳极910、设于所述平坦层800与阳极910上的像素定义层940、设于所述像素定义层940上且对应于阳极910上方的开口945、设于所述开口945内且位于所述阳极910上的OLED发光层950、及设于所述OLED发光层950与像素定义层940上的阴极960；

其中，所述第一金属层200包括间隔设置的栅极210与第一储存电容电极220；所述第二金属层600包括间隔设置的源极610、漏极620、及第二储存电容电极630；

所述栅极210、有源层400、源极610、漏极620、阳极910、OLED发光层950、及阴极960位于TFT区内，所述第一储存电容电极220与第二储存电容电极630位于Cst区内，由于所述第一储存电容电极220与第二储存电容电极630均由金属材料制备，因此Cst区不能透光，由于Cst区的面积较大，浪费了一定的透光面积与开口率，从而降低了透明OLED显示器的透明显示效果。另外，在透明OLED显示器的制备过程中，位于外围区的接线端子(Pad)930通常与阳极910在同一制程中采用同种材料制备，所述接线端子930与阳极910均为由两层氧化铟锡(ITO)薄膜931之间夹设一层银薄膜932构成的复合层，由于接线端子930位于透明OLED显示器的外围区且暴露于外界环境中，因此容易接触水氧，导致接线端子930中的银薄膜932被腐蚀，从而影响接线端子930的电学性能与使用寿命。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种透明OLED显示器的制作方法，能够提高透明OLED显示器的光透过率，提升透明OLED显示器的透明显示效果，并且能够提升接线端子的电学性能与使用寿命。

本发明的目的还在于提供一种透明OLED显示器，具有较高的光透过率与较好的透明显示效果，其接线端子具有较好的电学性能与较长的使用寿命。

为实现上述目的，本发明提供一种透明OLED显示器的制作方法，采用透明金属氧化物半导体材料制备第一储存电容电极，采用透明导电氧化物材料制备第二储存电容电极，所述第二储存电容电极与第一储存电容电极共同构成储存电容。

所述透明OLED显示器的制作方法具体包括如下步骤：

步骤1、提供衬底基板，在所述衬底基板上形成栅极，在所述衬底基板上形成覆盖所述栅极的栅极绝缘层；

步骤2、在所述栅极绝缘层上形成对应于栅极上方的有源层以及与有源层间隔设置的第一储存电容电极；所述有源层与第一储存电容电极均由透明金属氧化物半导体材料制备；

步骤3、在所述栅极绝缘层上形成覆盖有源层与第一储存电容电极的蚀刻阻挡层，并在蚀刻阻挡层上形成对应于有源层两端的第一通孔与第二通孔；

步骤4、在所述蚀刻阻挡层上形成源极与漏极，所述源极与漏极分别经由第一通孔与第二通孔和有源层的两端相接触；

步骤5、在所述蚀刻阻挡层上形成覆盖所述源极与漏极的钝化层，并在钝化层上形成对应于第一储存电容电极上方的第三通孔以及对应于漏极上方的第一过孔；

在所述钝化层上形成平坦层，在平坦层上形成对应于第一过孔上方的第二过孔，所述第一过孔与第二过孔共同构成第四通孔，同时在平坦层上位于第三通孔的区域内形成第五通孔；

步骤6、在所述平坦层上从下至上依次沉积第一透明导电氧化物层与阳极金属层，对所述第一透明导电氧化物层与阳极金属层进行图形化处理，得到阳极预定图案；

在所述阳极预定图案、平坦层、及蚀刻阻挡层上沉积第二透明导电氧化物层，对第二透明导电氧化物层进行图形化处理，得到位于平坦层上且对应于所述阳极预定图案的阳极以及位于所述第五通孔底部的蚀刻阻挡层上的第二储存电容电极；

所述阳极包括在所述平坦层上从下至上依次层叠设置的第一透明导电氧化物层、阳极金属层、及第二透明导电氧化物层，所述第二储存电容电极包括设于所述蚀刻阻挡层上的第二透明导电氧化物层；

所述阳极经由第四通孔与漏极相接触，所述第二储存电容电极与第一储存电容电极共同构成储存电容；

步骤7、在所述阳极、第二储存电容电极、及平坦层上形成像素定义层，在所述像素定义层上形成对应于所述阳极上方的开口；

在所述开口内的阳极上形成OLED发光层，在所述OLED发光层与像素定义层上形成覆盖所述OLED发光层的阴极。

所述衬底基板包括显示区与位于显示区周边的外围区；所述步骤6中，对第二透明导电氧化物层进行图形化处理后，在得到阳极与第二储存电容电极的同时，还得到位于平坦层上且位于外围区的接线端子，所述接线端子包括设于平坦层上的第二透明导电氧化物层。

所述第一透明导电氧化物层与第二透明导电氧化物层均由透明导电氧化物材料制备，所述透明导电氧化物材料包括氧化铟锡；所述阳极金属层的材料包括银；所述第一透明导电氧化物层与第二透明导电氧化物层的厚度均为所述阳极金属层的厚度为

所述有源层与第一储存电容电极的制备方法包括：在所述栅极绝缘层上沉积透明金属氧化物半导体材料，利用光刻制程对所述透明金属氧化物半导体材料进行图形化处理后，得到有源层与第一储存电容电极；所述透明金属氧化物半导体材料包括铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物、及铟镓锌锡氧化物中的一种或多种；所述有源层与第一储存电容电极的厚度为

本发明还提供一种透明OLED显示器，包括：由透明金属氧化物半导体材料制备的第一储存电容电极、以及由透明导电氧化物材料制备的第二储存电容电极；所述第二储存电容电极与第一储存电容电极共同构成储存电容。

所述透明OLED显示器具体包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的栅极、设于衬底基板上且覆盖栅极的栅极绝缘层、设于栅极绝缘层上且对应于栅极上方的有源层、设于栅极绝缘层上且与有源层间隔设置的第一储存电容电极、设于栅极绝缘层上且覆盖有源层与第一储存电容电极的蚀刻阻挡层、设于蚀刻阻挡层上的源极与漏极、设于蚀刻阻挡层上且覆盖所述源极与漏极的钝化层、设于所述钝化层上的平坦层、设于平坦层上的阳极、设于蚀刻阻挡层上且对应于第一储存电容电极上方的第二储存电容电极、设于阳极、第二储存电容电极、及平坦层上的像素定义层、设于像素定义层上且对应于阳极上方的开口、设于开口内且位于阳极上的OLED发光层、以及设于OLED发光层与像素定义层上且覆盖所述OLED发光层的阴极；

所述蚀刻阻挡层上设有对应于有源层两端的第一通孔与第二通孔，所述钝化层上设有对应于第一储存电容电极上方的第三通孔，所述平坦层与钝化层上设有对应于漏极上方的第四通孔，所述平坦层上位于第三通孔的区域内设有第五通孔；

所述源极与漏极分别经由第一通孔与第二通孔和有源层的两端相接触；所述阳极经由第四通孔与漏极相接触，所述第二储存电容电极设于第五通孔底部的蚀刻阻挡层上；所述第二储存电容电极与第一储存电容电极共同构成储存电容；

所述有源层与第一储存电容电极均由透明金属氧化物半导体材料制备；所述阳极包括在平坦层上从下至上依次层叠设置的第一透明导电氧化物层、阳极金属层、及第二透明导电氧化物层，所述第二储存电容电极包括设于所述蚀刻阻挡层上的第二透明导电氧化物层。

所述衬底基板包括显示区与位于显示区周边的外围区；所述透明OLED显示器还包括：设于平坦层上且位于外围区的接线端子，所述接线端子包括设于平坦层上的第二透明导电氧化物层。

所述第一透明导电氧化物层与第二透明导电氧化物层均由透明导电氧化物材料制备，所述透明导电氧化物材料包括氧化铟锡；所述阳极金属层的材料包括银；所述第一透明导电氧化物层与第二透明导电氧化物层的厚度均为所述阳极金属层的厚度为

所述透明金属氧化物半导体材料包括铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物、及铟镓锌锡氧化物中的一种或多种；所述有源层与第一储存电容电极的厚度为

本发明的有益效果：本发明的透明OLED显示器的制作方法将有源层与第一储存电容电极在同一制程中形成，使第一储存电容电极由透明金属氧化物半导体材料制备，并通过两道光刻制程来制作阳极和第二储存电容电极，使第二储存电容电极仅由透明导电氧化物材料制备，从而使所述第一储存电容电极与第二储存电容电极所在的储存电容区呈现为透明区域，提高透明OLED显示器的光透过率，提升透明OLED显示器的透明显示效果。进一步的，在制作阳极和第二储存电容电极的同时，形成位于外围区的接线端子，使接线端子仅由透明导电氧化物材料制备，防止其被外界水氧腐蚀，提升其电学性能与使用寿命，进而提升透明OLED显示器的使用寿命。本发明的透明OLED显示器采用上述方法制得，具有较高的光透过率与较好的透明显示效果，且具有较长的使用寿命。

为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。

附图中，

图1为现有的一种透明OLED显示器的剖视示意图；

图2为图1的透明OLED显示器的子像素区域的平面结构示意图；

图3为本发明的透明OLED显示器的制作方法的流程图；

图4为本发明的透明OLED显示器的制作方法的步骤1的示意图；

图5为本发明的透明OLED显示器的制作方法的步骤2的示意图；

图6为本发明的透明OLED显示器的制作方法的步骤3的示意图；

图7为本发明的透明OLED显示器的制作方法的步骤4的示意图；

图8为本发明的透明OLED显示器的制作方法的步骤5的示意图；

图9与图10为本发明的透明OLED显示器的制作方法的步骤6的示意图；

图11为本发明的透明OLED显示器的制作方法的步骤7的示意图及本发明的透明OLED显示器的剖视示意图；

图12为本发明的透明OLED显示器的子像素区域的平面结构示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。

请参阅图3，本发明提供一种透明OLED显示器的制作方法，包括如下步骤：

步骤1、如图4所示，提供衬底基板10，在所述衬底基板10上形成栅极20，在所述衬底基板10上形成覆盖所述栅极20的栅极绝缘层30。

具体的，所述衬底基板10包括显示区与位于显示区周边的外围区。

具体的，所述栅极20的制备方法包括：在所述衬底基板10上沉积栅极金属材料，利用光刻制程对所述栅极金属材料进行图形化处理后，得到栅极20。

具体的，所述栅极20包括在所述衬底基板10上从下至上依次层叠设置的第一栅极金属层与第二栅极金属层，所述第一栅极金属层的材料为钼(Mo)、钛(Ti)、或者钼钛合金，所述第二栅极金属层的材料为铜(Cu)。

具体的，所述栅极20的厚度为

具体的，所述栅极绝缘层30包括氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。

具体的，所述栅极绝缘层30的厚度为

步骤2、如图5所示，在所述栅极绝缘层30上形成对应于栅极20上方的有源层40以及与有源层40间隔设置的第一储存电容电极41；所述有源层40与第一储存电容电极41均由透明金属氧化物半导体材料制备。

具体的，所述有源层40与第一储存电容电极41的制备方法包括：在所述栅极绝缘层30上沉积透明金属氧化物半导体材料，利用光刻制程对所述透明金属氧化物半导体材料进行图形化处理后，得到有源层40与第一储存电容电极41。

具体的，所述透明金属氧化物半导体材料包括铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、及铟镓锌锡氧化物(IGZTO)中的一种或多种。

具体的，所述有源层40与第一储存电容电极41的厚度为

步骤3、如图6所示，在所述栅极绝缘层30上形成覆盖有源层40与第一储存电容电极41的蚀刻阻挡层50，并在蚀刻阻挡层50上形成对应于有源层40两端的第一通孔51与第二通孔52。

具体的，所述蚀刻阻挡层50包括氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。

具体的，所述蚀刻阻挡层50的厚度为

步骤4、如图7所示，在所述蚀刻阻挡层50上形成源极61与漏极62，所述源极61与漏极62分别经由第一通孔51与第二通孔52和有源层40的两端相接触。

具体的，所述源极61与漏极62的制备方法为：在所述蚀刻阻挡层50上沉积源漏极金属材料，利用光刻制程对源漏极金属材料进行图形化处理后，得到源极61与漏极62。

具体的，所述源极61与漏极62包括在所述蚀刻阻挡层50上从下至上依次层叠设置的第一源漏极金属层与第二源漏极金属层，所述第一源漏极金属层的材料为钼(Mo)、钛(Ti)、或者钼钛合金，所述第二源漏极金属层的材料为铜(Cu)。

具体的，所述源极61与漏极62的厚度为

步骤5、如图8所示，在所述蚀刻阻挡层50上形成覆盖所述源极61与漏极62的钝化层70，并在钝化层70上形成对应于第一储存电容电极41上方的第三通孔73以及对应于漏极62上方的第一过孔841；

在所述钝化层70上形成平坦层80，在平坦层80上形成对应于第一过孔841上方的第二过孔842，所述第一过孔841与第二过孔842共同构成第四通孔84，同时在平坦层80上位于第三通孔73的区域内形成第五通孔85。

具体的，所述钝化层70包括氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。

具体的，所述钝化层70的厚度为

具体的，所述平坦层80的材料为光阻材料，所述光阻材料的具体成分不限。

具体的，所述平坦层80的厚度为

步骤6、如图9与图10所示，在所述平坦层80上从下至上依次沉积第一透明导电氧化物层911与阳极金属层912，对所述第一透明导电氧化物层911与阳极金属层912进行图形化处理，得到阳极预定图案901；

在所述阳极预定图案901、平坦层80、及蚀刻阻挡层50上沉积第二透明导电氧化物层913，对第二透明导电氧化物层913进行图形化处理，得到位于平坦层80上且对应于所述阳极预定图案901的阳极91以及位于所述第五通孔85底部的蚀刻阻挡层50上的第二储存电容电极92；

所述阳极91包括在所述平坦层80上从下至上依次层叠设置的第一透明导电氧化物层911、阳极金属层912、及第二透明导电氧化物层913，所述第二储存电容电极92包括设于所述蚀刻阻挡层50上的第二透明导电氧化物层913；

所述阳极91经由第四通孔84与漏极62相接触，所述第二储存电容电极92与第一储存电容电极41共同构成储存电容。

优选的，所述步骤6中，对第二透明导电氧化物层913进行图形化处理后，在得到阳极91与第二储存电容电极92的同时，还得到位于平坦层80上且位于外围区的接线端子93，所述接线端子93包括设于平坦层80上的第二透明导电氧化物层913。

所述接线端子93用于与驱动IC相连，将驱动IC中的电信号传输至数据线与栅极线中。由于接线端子93仅由第二透明导电氧化物层913构成，与现有的由两层氧化铟锡(ITO)薄膜夹设一层银薄膜构成的接线端子相比，本发明的接线端子93不含金属银，因此不容易被水氧腐蚀，具有较好的电学性能及较长的使用寿命。

所述第二储存电容电极92与第一储存电容电极41之间仅设有蚀刻阻挡层50，即储存电容的两极板之间的绝缘层的厚度较小，因此可以获得较大的储存电容，提升液晶显示器的显示效果。

具体的，所述第一透明导电氧化物层911与第二透明导电氧化物层913均由透明导电氧化物材料制备，所述透明导电氧化物材料包括氧化铟锡(ITO)；所述阳极金属层912的材料包括银(Ag)。

具体的，所述第一透明导电氧化物层911与第二透明导电氧化物层913的厚度均为所述阳极金属层912的厚度为

步骤7、如图11所示，在所述阳极91、第二储存电容电极92、及平坦层80上形成像素定义层94，在所述像素定义层94上形成对应于所述阳极91上方的开口941；

在所述开口941内的阳极91上形成OLED发光层95，在所述OLED发光层95与像素定义层94上形成覆盖所述OLED发光层95的阴极96。

具体的，所述像素定义层94的材料为光阻材料，所述光阻材料的具体成分不限。

具体的，所述像素定义层94的厚度为

具体的，所述OLED发光层95采用蒸镀法或者喷墨打印(IJP)法制备。

具体的，所述阴极96为透明电极，使由阳极91、OLED发光层95、及阴极96构成的OLED器件实现顶发光。

优选的，所述阴极96的材料为氧化铟锡(ITO)。

具体的，如图12所示，本发明制得的透明OLED显示器包括显示区与位于显示区周边的外围区，所述接线端子93位于所述外围区内，所述显示区内设有多个子像素区域，每个子像素区域包括不透明的TFT区、透明的储存电容(Cst)区、以及除TFT区与储存电容区以外的透明区，所述栅极20、有源层40、源极61、漏极62、阳极91、OLED发光层95、及阴极96位于TFT区内，所述第一储存电容电极41与第二储存电容电极92位于储存电容区内，与现有技术相比，本发明将储存电容区设置为透明区，能够提高20％左右的光透过率，提升透明OLED显示器的透明显示效果。

本发明的透明OLED显示器的制作方法将有源层40与第一储存电容电极41在同一制程中形成，使第一储存电容电极41由透明金属氧化物半导体材料制备，并通过两道光刻制程来制作阳极91和第二储存电容电极92，使第二储存电容电极92仅由透明导电氧化物材料制备，从而使所述第一储存电容电极41与第二储存电容电极92所在的储存电容区呈现为透明区域，提高透明OLED显示器的光透过率，提升透明OLED显示器的透明显示效果。进一步的，在制作阳极91和第二储存电容电极92的同时，形成位于外围区的接线端子93，使接线端子93仅由透明导电氧化物材料制备，防止其被外界水氧腐蚀，提升其电学性能与使用寿命，进而提升透明OLED显示器的使用寿命。

请参阅图11与图12，基于上述透明OLED显示器的制作方法，本发明还提供一种透明OLED显示器，包括：衬底基板10、设于衬底基板10上的栅极20、设于衬底基板10上且覆盖栅极20的栅极绝缘层30、设于栅极绝缘层30上且对应于栅极20上方的有源层40、设于栅极绝缘层30上且与有源层40间隔设置的第一储存电容电极41、设于栅极绝缘层30上且覆盖有源层40与第一储存电容电极41的蚀刻阻挡层50、设于蚀刻阻挡层50上的源极61与漏极62、设于蚀刻阻挡层50上且覆盖所述源极61与漏极62的钝化层70、设于钝化层70上的平坦层80、设于平坦层80上的阳极91、设于蚀刻阻挡层50与平坦层80上且对应于第一储存电容电极41上方的第二储存电容电极92、设于阳极91、第二储存电容电极92、及平坦层80上的像素定义层94、设于像素定义层94上且对应于阳极91上方的开口941、设于开口941内且位于阳极91上的OLED发光层95、以及设于所述OLED发光层95与像素定义层94上且覆盖所述OLED发光层95的阴极96。

所述蚀刻阻挡层50上设有对应于有源层40两端的第一通孔51与第二通孔52，所述钝化层70上设有对应于第一储存电容电极41上方的第三通孔73，所述平坦层80与钝化层70上设有对应于漏极62上方的第四通孔84，所述平坦层80上位于第三通孔73的区域内设有第五通孔85；

所述源极61与漏极62分别经由第一通孔51与第二通孔52和有源层40的两端相接触；所述阳极91经由第四通孔84与漏极62相接触，所述第二储存电容电极92设于第五通孔85底部的蚀刻阻挡层50上；所述第二储存电容电极92与第一储存电容电极41共同构成储存电容；

所述有源层40与第一储存电容电极41均由透明金属氧化物半导体材料制备；所述阳极91包括在平坦层80上从下至上依次层叠设置的第一透明导电氧化物层911、阳极金属层912、及第二透明导电氧化物层913，所述第二储存电容电极92包括设于蚀刻阻挡层50与平坦层80上的第二透明导电氧化物层913。

具体的，所述衬底基板10包括显示区与位于显示区周边的外围区。

具体的，所述栅极20包括在所述衬底基板10上从下至上依次层叠设置的第一栅极金属层与第二栅极金属层，所述第一栅极金属层的材料为钼(Mo)、钛(Ti)、或者钼钛合金，所述第二栅极金属层的材料为铜(Cu)。

具体的，所述栅极20的厚度为

具体的，所述栅极绝缘层30包括氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。

具体的，所述栅极绝缘层30的厚度为

具体的，所述透明金属氧化物半导体材料包括铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、及铟镓锌锡氧化物(IGZTO)中的一种或多种。

具体的，所述有源层40与第一储存电容电极41的厚度为

具体的，所述蚀刻阻挡层50包括氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。

具体的，所述蚀刻阻挡层50的厚度为

具体的，所述源极61与漏极62包括在所述蚀刻阻挡层50上从下至上依次层叠设置的第一源漏极金属层与第二源漏极金属层，所述第一源漏极金属层的材料为钼(Mo)、钛(Ti)、或者钼钛合金，所述第二源漏极金属层的材料为铜(Cu)。

具体的，所述源极61与漏极62的厚度为

具体的，所述钝化层70包括氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。

具体的，所述钝化层70的厚度为

具体的，所述平坦层80的材料为光阻材料，所述光阻材料的具体成分不限。

具体的，所述平坦层80的厚度为

具体的，所述透明OLED显示器还包括：设于平坦层80上且位于外围区的接线端子93，所述接线端子93包括设于平坦层80上的第二透明导电氧化物层913。

具体的，所述第一透明导电氧化物层911与第二透明导电氧化物层913均由透明导电氧化物材料制备，所述透明导电氧化物材料包括氧化铟锡(ITO)；所述阳极金属层912的材料包括银(Ag)。

具体的，所述第一透明导电氧化物层911与第二透明导电氧化物层913的厚度均为所述阳极金属层912的厚度为

具体的，所述像素定义层94的材料为光阻材料，所述光阻材料的具体成分不限。

具体的，所述像素定义层94的厚度为

具体的，所述阴极96为透明电极，使由阳极91、OLED发光层95、及阴极96构成的OLED器件实现顶发光。

优选的，所述阴极96的材料为氧化铟锡(ITO)。

本发明的透明OLED显示器包括由透明金属氧化物半导体材料制备的第一储存电容电极41以及由透明导电氧化物材料制备的第二储存电容电极92，所述第一储存电容电极41与第二储存电容电极92所在的储存电容区呈现为透明区，因此本发明的透明OLED显示器具有较高的光透过率与较好的透明显示效果；并且，位于透明OLED显示器的外围区的接线端子93由透明导电氧化物材料制备，不容易被外界水氧腐蚀，具有较好的电学性能与较长的使用寿命，使得本发明的透明OLED显示器具有较长的使用寿命。

综上所述，本发明提供一种透明OLED显示器及其制作方法。本发明的透明OLED显示器的制作方法将有源层与第一储存电容电极在同一制程中形成，使第一储存电容电极由透明金属氧化物半导体材料制备，并通过两道光刻制程来制作阳极和第二储存电容电极，使第二储存电容电极仅由透明导电氧化物材料制备，从而使所述第一储存电容电极与第二储存电容电极所在的储存电容区呈现为透明区域，提高透明OLED显示器的光透过率，提升透明OLED显示器的透明显示效果。进一步的，在制作阳极和第二储存电容电极的同时，形成位于外围区的接线端子，使接线端子仅由透明导电氧化物材料制备，防止其被外界水氧腐蚀，提升其电学性能与使用寿命，进而提升透明OLED显示器的使用寿命。本发明的透明OLED显示器采用上述方法制得，具有较高的光透过率与较好的透明显示效果，且具有较长的使用寿命。

以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。