技术特征：
技术总结
本发明公开了一种纳米线晶体管及其制备方法，包括：在衬底形成相互堆叠的牺牲层和纳米线；形成伪栅，伪栅位于堆叠的牺牲层和纳米线上方；除去相邻伪栅之间的牺牲层与纳米线，以形成源/漏区域；形成隔离结构，隔离结构位于源/漏区域底部的衬底表面，以隔离源/漏区域和衬底；和在源/漏区域内形成源/漏极，源/漏极位于隔离结构上方，且与相邻的纳米线的侧面接触。隔离结构对源/漏极和衬底进行隔离，避免两者之间发生电流泄露的现象。同时，栅极结构与源/漏极之间存在内部侧墙，解决了源/漏极与栅极结构之间寄生电容过大的问题。
技术研发人员：唐粕人
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2017.11.03
技术公布日：2019.05.14