技术特征：
技术总结
本发明公开了一种内嵌低触发电压PNP结构的双向ESD防护结构，用于IC片上ESD防护器件；由P衬底、N阱、P阱、第一N+注入区、第一P+注入区注入区、第一P+跨桥、第二P+注入区、第二P+跨桥、第三P+注入区、第二N+注入区、金属阳极、金属阴极和若干场氧隔离区构成。在高压ESD脉冲的作用下，其一方面通过第一P+注入区、第一N阱、P阱、第二N阱、第二N+注入区形成寄生SCR电流协防路径，可以提高器件的失效电流、增强器件的ESD鲁棒性。另一方面利用由第一P+注入区、第一N阱、第一P+跨桥、P阱、第二P+注入区构成的寄生PNP结构，提高器件的维持电压，增强器件的抗闩锁能力。该ESD防护器件为对称结构，可以实现双向ESD防护功能，减小所占版图面积。
技术研发人员：任舰;苏丽娜;李文佳
受保护的技术使用者：淮阴师范学院
技术研发日：2017.11.15
技术公布日：2018.02.23