技术特征：
技术总结
本发明提出了制备半导体结构的方法、半导体结构及场效应晶体管。该方法包括：提供半导体层；在所述半导体层的上表面设置界面层，所述界面层为含铝元素的氮化物；在所述半导体层上设置第一介质层，所述第一介质层是通过对所述界面层进行热氧化或热氮氧化而形成的，所述界面层至少部分转化为所述第一介质层；以及在所述第一介质层远离所述半导体层的表面设置金属层。由此，可以利用简单的生产工艺获得具有高质量、优异界面特性的介质层的半导体结构。
技术研发人员：武娴;王敬;肖磊
受保护的技术使用者：清华大学
技术研发日：2017.11.17
技术公布日：2018.04.13