本申请属于通信技术领域，特别是涉及一种介质滤波器。
背景技术：
常规连体式结构的陶瓷介质滤波器远端抑制不是很理想，一般在二倍中心频率位置已经出现了谐波，在对该频段有抑制要求的情况下只能通过外加低通滤波器处理才能达到较好的效果，但正常情况下叠加低通滤波器后不仅会带来插入损耗的叠加、整体体积也会增大。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种可改善远端抑制的介质滤波器，以克服现有技术的不足。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
本申请实施例公开一种可改善远端抑制的介质滤波器，包括由固态介电材料制成的本体、包覆于本体表面的导电层、以及开设于所述本体内的多个谐振腔，所述本体的电极面的两端分别形成有电极接触面，所述电极面与所述开路面相邻，所述导电层包覆所述谐振腔内表面，所述电极面上开设有至少1个贯穿所述本体的导通孔，所述导通孔轴线垂直于所述电极面，所述导电层包覆所述导通孔内表面，所述导通孔与所述谐振腔互相垂直，每个所述导通孔位于相邻两个所述谐振腔之间。
优选的，在上述的可改善远端抑制的介质滤波器中，所述本体开路面上阵列设置有5个谐振腔。
更优选的，在上述的可改善远端抑制的介质滤波器中，所述导通孔设置有两个，分别位于第1个与第2个所述谐振腔、第4个与第5个所述谐振腔之间。
优选的，在上述的可改善远端抑制的介质滤波器中，所述电极面的两端分别通过去导电层形成u形裸露面，该u形裸露面与所述电极面的一个边缘之间围成矩形的所述电极接触面。
优选的，在上述的可改善远端抑制的介质滤波器中，所述固态介电材料为陶瓷。
优选的，在上述的可改善远端抑制的介质滤波器中，所述导电层为银。
与现有技术相比，本发明的优点在于：在陶瓷介质背部两谐振腔之间增加导通孔可以提高远端的抑制，二次谐波位置会往更远处推移。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1所示为本发明具体实施例中可改善远端抑制的介质滤波器的开路面在前端的立体结构示意图；
图2所示为本发明具体实施例中可改善远端抑制的介质滤波器的开路面在后端的立体结构示意图；
图3所示为常规技术手段中介质滤波器的仿真曲线图；
图4所示为本发明具体实施例中可改善远端抑制的介质滤波器的仿真曲线图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行详细的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面以一款5谐振腔2导通孔的陶瓷介质滤波器为例进行说明。应当说明的是，本案同样适用于其他数量谐振腔与其它数量导通孔的滤波器。
参图1-2所示，可改善远端抑制的介质滤波器，包括由固态介电材料制成的本体100、包覆于本体100表面的导电层、以及开设于本体100内的5个阵列设置的谐振腔101，本体100的电极面102的两端分别形成有电极接触面103，电极面102与开路面104相邻，导电层包覆谐振腔101内表面，电极面102上开设有两个贯穿本体100的导通孔105，导通孔105轴线垂直于电极面102，导电层包覆导通孔105内表面，导通孔105与谐振腔101互相垂直，导通孔105分别位于第1个与第2个谐振腔101、第4个与第5个谐振腔101之间。
电极接触面即信号输入输出端口，此实施例在陶瓷介质背部两谐振腔之间增加导通孔可以提高远端的抑制，二次谐波位置会往更远处推移。
应当说明的是，相邻两个谐振腔之间可以开设1个、多个或者不开设导通孔，每两个谐振腔之间的导通孔数量可以不同，也可以相同，只需要滤波器整体开设至少1个导通孔即可实现该技术效果，都应当属于本申请的范围。
进一步地，电极面102的两端分别通过去导电层形成u形裸露面106，该u形裸露面106与电极面102的一个边缘之间围成矩形的电极接触面103。
进一步地，固态介电材料优选为陶瓷，陶瓷具有较高的介电常数，硬度及耐高温的性能也比较好，因此成为射频滤波器领域常用的固态介电材料。当然，介电材料也可以选用本领域技术人员所知的其他材料，如玻璃、电绝缘的高分子聚合物等。
进一步地，所述导电层为银。
导电层优选为银等高导电率材料。
常规技术手段中介质滤波器不开设导通孔，下面采用两种方案在同一限定条件下做对比：相同外形体积、相同介质材料、相同的外部屏蔽效果，指标调试一致(以通带内插入损耗及近端带外抑制数值统一作为对比的依据)。
参图3所示，为常规技术手段中介质滤波器的仿真曲线图，可以从图中看出如下指标：
中心频率：1900mhz；设置带宽：1885～1915mhz
带内插损：1.15db(1900mhz)；1.28db(1885mhz)；1.30db(1915mhz)
近端带外抑制：27.91db@1820mhz；27.73db@1980mhz
远端带外抑制：30.10db@3500mhz；3.20db@4000mhz
参图4所示，为本发明具体实施例中可改善远端抑制的介质滤波器的仿真曲线图，可以从图中看出如下指标：
中心频率：1900mhz；设置带宽：1885～1915mhz
带内插损：1.17db(1900mhz)；1.28db(1885mhz)；1.25db(1915mhz)
近端带外抑制：27.20db@1820mhz；27.76db@1980mhz
远端带外抑制：37.92db@3500mhz；30.52db@4000mhz
通过以上两种方案的仿真结果数据对比，在陶瓷介质背部两谐振腔之间增加导通孔可以提高远端的抑制，二次谐波位置会往更远处推移，主要体现在上面实例中3500mhz～4000mhz的带外抑制指标。
而且经试验，导通孔开设的数量越多谐波推远的效果会越明显。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅是本申请的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。