可调制微波装置的制作方法

本公开主要关于一种微波装置，尤指一种可调制微波装置。

背景技术：

在可调制微波装置中，可使用液晶天线单元(liquid-crystalantennaunit)，利用液晶的双介电系数特性，经由电场控制液晶的转动方向，会产生不同的介电系数，再经由电信号控制各液晶天线单元中液晶的排列，改变微波系统中各单元的介电参数，借以控制可调制微波装置中微波信号的相位或振幅，经搭配后此可调制微波装置辐射出来的波前直进方向，即为可调制微波装置辐射方向。

借由可调制微波装置辐射方向控制，可搜寻最强微波信号，随信号来源调整收发辐射角度，增强通讯品质。此信号的来源可以是太空的卫星、地面的基站、或其他的信号源。

可调制微波装置的无线通讯可应用在各种交通工具上，如飞机、游艇船只、火车、汽车、机车等，亦或是物联网、自动驾驶、无人载具等。与传统机械式相比，电子式可调制微波装置具平整、轻薄、反应速度快等优点。

然而，虽然目前的可调制微波装置符合了其使用的目的，但尚未满足许多其他方面的要求。因此，需要提供可调制微波装置的改进方案。

技术实现要素：

本公开提供了一种可调制微波装置，包括一第一辐射体、一第二辐射体、以及一调制结构。第一辐射体包括一基板；一金属层，设置于基板上；一保护层，设置于至少部分的金属层上，且具有与金属层至少部分重叠的一穿孔；以及一蚀刻阻挡层，设置于金属层与保护层之间。第二辐射体与第一辐射体对应设置。调制结构设置于第一辐射体与第二辐射体之间。

本公开提供了一种可调制微波装置，包括一第一辐射体、一第二辐射体、以及一调制结构。第一辐射体，包括一基板；一缓冲层，设置于基板上；一金属层，设置于缓冲层上；一保护层，设置于部分的金属层上，且具有一穿孔；以及一蚀刻阻挡层，设置于金属层与缓冲层之间。第二辐射体与第一辐射体分离。调制结构设置于第一辐射体与第二辐射体之间。穿孔暴露出部分蚀刻阻挡层。

附图说明

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：

图1为根据本公开的一些实施例中可调制微波装置的示意图。

图2为本公开的第一实施例的辐射体的示意图。

图3a至图3d为本公开的第一实施例的辐射体于制程中间阶段的示意图。

图4为根据本公开的一些实施例中辐射体的示意图。

图5为本公开的第二实施例的辐射体的示意图。

图6a至图6d为本公开的第二实施例的辐射体于制程中间阶段的示意图。

图7为本公开的第三实施例的辐射体的示意图。

图8为本公开的第三实施例的辐射体于制程中间阶段的示意图。

图9为本公开的第四实施例的辐射体的示意图。

图10a与图10b为本公开的第四实施例的辐射体于制程中间阶段的示意图。

图11为本公开的第五实施例的辐射体的示意图。

图12为本公开的第五实施例的辐射体于制程中间阶段的示意图。

图13为本公开的一些实施例中的两辐射体的示意图。

图14为本公开的一些实施例中的辐射体30与辐射体60的示意图。

符号说明：

可调制微波装置1

辐射体10

基板11

传递层12

粘着层13

支撑结构20

辐射体30

传递层31

开口区312

基板32

连接孔321

第一表面322

第二表面323

辐射信号层33

开口区331、331a、331b、331c

穿孔332a、332b、332c

粘着层34

基板35

调制结构40

密封壁41

调制材料42

调制分子421

支撑结构50

辐射体60

辐射信号层61

穿孔611a、611b、611c

基板62

第三表面623

第四表面624

支撑结构70

缓冲层a1

金属层a2

绝缘层a3

蚀刻阻挡层a4

保护层a5

导电层a6

金属层b2

绝缘层b3

蚀刻阻挡层b4

保护层b5

导电层b6

第一电路层b7

绝缘层b8

第二电路层b9

绝缘层b10

粘着层c1

传递层c2

叠置方向d1

光阻p1、p2、p3

参考平面r1

微波传导层s1

具体实施方式

以下的说明提供了许多不同的实施例、或是例子，用来实施本发明的不同特征。以下特定例子所描述的元件和排列方式，仅用来精简的表达本发明，其仅作为例子，而并非用以限制本发明。例如，第一特征在一第二特征上或上方的结构的描述包括了第一和第二特征之间直接接触，或是以另一特征设置于第一和第二特征之间，以致于第一和第二特征并不是直接接触。

本说明书的第一以及第二等词汇，仅作为清楚解释的目的，并非用以对应于以及限制专利范围。此外，第一特征以及第二特征等词汇，并非限定是相同或是不同的特征。

于此使用的空间上相关的词汇，例如上方或下方等，仅用以简易描述附图上的一元件或一特征相对于另一元件或特征的关系。除了附图上描述的方位外，包括于不同的方位使用或是操作的装置。附图中的形状、尺寸、厚度、以及倾斜的角度可能为了清楚说明的目的而未依照比例绘制或是被简化，仅提供说明之用。

可理解的是，于下列各实施例的方法中的各步骤中，可于各步骤之前、之后以及其间增加额外的步骤，且于前述的一些步骤可被置换、删除或是移动。

图1为根据本公开的一些实施例中可调制微波装置1的示意图。可调制微波装置1可为一液晶天线装置。可调制微波装置1可用以发射微波信号。微波信号的频率范围可为300mhz至300ghz之间。于另一实施例中，微波信号的频率范围可为10ghz至40ghz之间。

可调制微波装置1可包括一辐射体10、一支撑结构20、一辐射体30、一调制结构40、一密封壁41、一支撑结构50以及一辐射体60。辐射体10沿一参考平面r1延伸。支撑结构20设置于辐射体10上。辐射体30设置于支撑结构20上。辐射体30可平行辐射体10。

辐射体10与辐射体30之间具有一微波传导层s1，且微波传导层s1用以供一微波信号进行传输。于一些实施例中，微波传导层s1为气体、实质上真空、液体、绝热材料或其他适合作为微波传导层的介质或其组合。

辐射体10包括一基板11以及一传递层12。基板11沿参考平面r1延伸。基板11可由刚性材质所制成。于一些实施例中，基板11的材质可为玻璃材质、金属材质、塑胶材质或其他绝缘材质，但不以此为限。

传递层12设置于基板11上。传递层12可为一薄层结构。传递层12可由金属材质、导电材质或其他适合作为传递层材料或其组合所制成。于一些实施例中，传递层12可覆盖基板11超过1/2或是1/3的面积。于一些实施例中，传递层12可覆盖基板11超过4/5的面积。于一些实施例中，传递层12可接地。需说明的是，若基板11为金属材质时，传递层12与基板11可以是一体成型。

支撑结构20设置于辐射体10上，且连接辐射体30。换句话说，支撑结构20位于辐射体10以及辐射体30之间。于本实施例中，支撑结构20设置于传递层12上。于另一实施例中，支撑结构20设置于基板11上。

支撑结构20沿一叠置方向d1延伸，上述的叠置方向d1可垂直于参考平面r1。换句话说，叠置方向d1也为基板11的法线方向。于一些实施例中，支撑结构20包括绝缘材质、刚性材质、或刚性绝缘材质。

支撑结构20用以间隔辐射体10以及辐射体30，并维持辐射体10以及辐射体30之间的距离，以使辐射体10以及辐射体30之间形成微波传导层s1。于一些实施例中，支撑结构20、传递层12与基板11可以是一体成型。

辐射体30包括一传递层31、一基板32、以及一辐射信号层33。传递层31设置于基板32的第一表面322上。传递层31可为一薄层结构，可覆盖超过基板32的第一表面322的2/3的面积。传递层31可由金属材质、导电材质或其他适合作为传导层材料或其组合所制成。此外，传递层31具有一开口区312。于一些实施例中，可省略传递层31，辐射信号可以由传递层12经过微波传导层s1及基板32传递至辐射信号层33。基板32可平行于基板11，且与基板11分离。于一些实施例中，基板32的材质可为玻璃材质、聚酰亚胺(pi)、液晶高分子材料(liquidcrystalpolymer)或其他绝缘材质，但不以此为限，其他适合作为基板的材料亦可。

基板32可包括多个连接孔321，排列于开口区312的周围。连接孔321内填充导电材，此导电材可以填满连接孔321，或是只有部分填充于连接孔321，例如仅涂布于连接孔321的内壁，因此辐射信号层33可经由连接孔321内的导电材与传递层31连接。

辐射信号层33设置于基板32相对于第一表面322的一第二表面323上，且接触调制结构40。辐射信号层33可为一薄层结构。辐射信号层33覆盖上述连接孔321。于本实施例中，连接孔321可填充导电材，辐射信号层33经由导电材电性连接传递层31。辐射信号层33包括多个开口区331，位于传递层31的开口区312的上方。

借由连接孔321中的导电材将传递层31与辐射信号层33电性连接，能让微波信号穿过开口区312与开口区331时能降低干扰，以提高可调制微波装置11的调制范围。

调制结构40位于辐射体30与辐射体60之间。调制结构40位于开口区331的上方并与开口区331重叠。于本实施例中，开口区331大致位于调制结构40的中央区域的下方。

调制结构40包括调制材料42。调制材料42可以为液晶材料，且调制材料42可包括多个调制分子421，于本实施例中，调制分子421为液晶分子。

一密封壁41设置于辐射体30与辐射体60之间，且可与辐射体30以及辐射体60定义出一容置调制材料42的空间，其中密封壁41可为一具有封闭形状的结构，例如环状结构或多边形结构，于一些实施例中，密封壁41可包括绝缘材料或导电材料，或可为胶类材料或塑胶材料，上述胶类材料或塑胶材料可由单一材料或复合层材料所制成，例如聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate，pet)、聚乙烯(polyethylene，pe)、聚醚(polyethersulfone，pes)、聚碳酸酯(polycarbonate，pc)、聚酸甲酯(polymethylmethacrylate，pmma)、或玻璃(glass)，且不限于此。当调制材料42为液晶材料，密封壁41环绕于液晶材料以防止液晶材料流出。

支撑结构50连接辐射体30与辐射体60，且可沿叠置方向d1延伸。换句话说，支撑结构50位于辐射体30以及辐射体60之间。辐射体60包括一辐射信号层61以及一基板62。支撑结构50可设置于辐射信号层33上、且可设置于基板62下。于一些实施例中，支撑结构50可设置于基板32上。支撑结构50用以强化可调制微波装置1的结构，并维持辐射体30以及辐射体60之间的距离。

支撑结构50可包括绝缘材料或导电材料。于一些实施例中，支撑结构50可包括铜、银、金、或及其合金，于一些实施例中，支撑结构50可包括胶类材料或塑胶材料，上述胶类材料或塑胶材料可由单一材料或复合层材料所制成，例如聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate，pet)、聚乙烯(polyethylene，pe)、聚醚(polyethersulfone，pes)、聚碳酸酯(polycarbonate，pc)、聚酸甲酯(polymethylmethacrylate，pmma)、或玻璃(glass)，但不以此为限。

辐射体60设置于调制结构40以及支撑结构50上。辐射体60可平行于辐射体30，且与辐射体30分离。

辐射信号层61设置于调制结构40上。辐射信号层61可为一薄层结构，设置于基板62面对辐射体30(基板32)的第三表面623上。部分的辐射信号层61可延伸至密封壁41外。可调制微波装置11可经由辐射信号层61发射微波信号。

基板62设置于辐射信号层61上，且包括相反于第三表面623的一第四表面624。基板62可平行于基板32，且与基板32分离。于一些实施例中，基板62的材质可为玻璃材质、聚酰亚胺(pi)、液晶高分子材料(liquidcrystalpolymer)或其他绝缘材质，但不以此为限。

于本实施例中，微波信号可经由传递层12以及传递层31之间的微波传导层s1所构成的波导结构输入可调制微波装置1。微波信号于传递层12以及传递层31之间的微波传导层s1进行传输，并经由开口区312、开口区331和调制结构40耦合至辐射信号层61。穿过调制结构40的微波信号，由辐射信号层33、辐射信号层61以及调制结构40形成的等效电路决定是否可透过辐射信号层61发射至可调制微波装置1外部。

调制控制信号可经由辐射信号层61输入，借由调制控制信号以控制调制结构40，例如控制调制分子421的旋转角度，可让调制分子421选择性地止挡或允许调制结构40内的微波信号传送至辐射信号层61。因此，借由调制分子421的倾斜角度的改变能改变调制结构40内的微波信号的传输速度，进而改变微波信号的相位。

可调制微波装置1可更包括一支撑结构70，连接辐射体10以及辐射体60。换句话说，支撑结构70位于辐射体10以及辐射体60之间。于本实施例中，支撑结构70连接基板11以及基板62。支撑结构70用以强化可调制微波装置1的结构，并维持辐射体10以及辐射体60之间的距离。

支撑结构70可由导电材质或是绝缘材质所制成。支撑结构70可包括铜、银、金、或及其合金，但不以此为限。

图2为本公开的第一实施例的辐射体30的示意图。辐射信号层33包括一缓冲层a1、一金属层a2、一绝缘层a3、一蚀刻阻挡层a4、一保护层a5、以及一导电层a6。

缓冲层a1设置于基板32上，且可平行于基板32延伸。缓冲层a1可减缓金属层a2以及基板32之间的应力。另外，缓冲层a1也可用以增加金属层a2与基板32之间的结合度，使得金属层a2能良好地附着于基板32上。此外，辐射信号层33具有一开口区331，因此微波信号能经由开口区331进入调制结构40中。需说明的是，当金属层a2厚度减薄时，或是透过选择适当材料使金属层a2不会对基板32造成严重翘曲时，可不需设置缓冲层a1。

缓冲层a1可由绝缘材质所制成，但并不以此为限。于一些实施例中，缓冲层a1的材质可为氧化铝、氮化硅(siliconnitride,sinx)、氧化硅、氮氧化硅或或其他适合作为缓冲层的材质或其组合，但并不以此为限。缓冲层a1的厚度约为1000a(angstrom)至20000a的范围之间。于本实施例中，缓冲层a1的厚度约为8000a。缓冲层a1具有一开口区331d对应开口区331。

金属层a2设置于缓冲层a1上，且可平行于基板32延伸。金属层a2可用以传导微波信号。此外，金属层也具有一开口区331a对应开口区331，因此微波信号能经由开口区331(包含331a及331d)进入调制结构40中。

金属层a2的材质可为低阻值材料，例如铜、铝、银、金，或其他适合作为金属层的材质或其组合，但并不以此为限。金属层a2的厚度约为2um至5um的范围之间。于本实施例中，金属层a2的厚度约为3um。金属层a2的厚度可为缓冲层a1的厚度的2倍至10倍的范围之间。

绝缘层a3设置于金属层a2上。换句话说，至少部分绝缘层a3设置于保护层a5与金属层a2之间。绝缘层a3可沿着金属层a2及缓冲层a1的表面延伸。绝缘层a3可接触或覆盖金属层a2超过50％以上的面积。此外，于金属层a2未覆盖缓冲层a1的区域，绝缘层a3可接触或覆盖缓冲层a1。

绝缘层a3用以保护金属层a2。于本实施例中，绝缘层a3可用以减缓或防止于密封壁41外的金属层a2氧化或腐蚀。绝缘层a3具有一开口区331b对应开口区331，因此微波信号可经由开口区331(包含331b及331d)进入调制结构40中。

绝缘层a3的材质可为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝或其组合，但并不以此为限。绝缘层a3的厚度约为300a至1500a的范围之间。于本实施例中，绝缘层a3的厚度约为500a。金属层a2的厚度可为绝缘层a3的厚度的3倍至30倍的范围之间。

蚀刻阻挡层a4(etchstoplayer,esl)设置于绝缘层a3上。换句话说，蚀刻阻挡层a4设置于保护层a5与金属层a2之间。蚀刻阻挡层a4可沿着绝缘层a3的表面延伸。蚀刻阻挡层a4可接触或覆盖绝缘层a3超过90％以上的面积。蚀刻阻挡层a4具有一开口区331c对应开口区331，因此微波信号可经由开口区331(包含331c及331d)进入调制结构40。

于一些实施例中，蚀刻阻挡层a4的材质可为氧化硅(silicondioxide)，例如sio2，或其他适合作为蚀刻阻挡层a4的材质或其组合，但并不以此为限。于一些实施例中，蚀刻阻挡层a4可为透明氧化物材料。蚀刻阻挡层a4的厚度约为300a至1500a的范围之间。于本实施例中，蚀刻阻挡层a4的厚度约为500a。蚀刻阻挡层a4的厚度可与绝缘层a3的厚度相同或大致相同。

本公开的蚀刻阻挡层a4并非意指能抵抗或是能阻挡所有的蚀刻制程，而是能于一特定的蚀刻制程中具有较小蚀刻率的材料。举例而言，于一些实施例中，缓冲层a1、绝缘层a3及保护层a5的材质相同。蚀刻阻挡层a4的材质不同于缓冲层a1、绝缘层a3及保护层a5。因此针对保护层a5进行蚀刻制程时，蚀刻阻挡层a4具有较小蚀刻率，可不被蚀刻制程完全移除，因而达到保护绝缘层a3的功效，进而保护金属层a2不受到氧化。

保护层a5设置于蚀刻阻挡层a4上。保护层a5可沿着蚀刻阻挡层a4的表面延伸，且覆盖部分的蚀刻阻挡层a4。于本实施例中，保护层a5设置于部分的金属层a2上。部分的保护层a5设置于缓冲层a1上，而并未位于金属层a2上。

于本实施例中，金属层a2未覆盖缓冲层a1的部分区域，且于密封壁41之外，部分的保护层a5设置于缓冲层a1上。换句话说，于密封壁41之外，部分的保护层a5与缓冲层a1之间并未设置金属层a2。

保护层a5可由绝缘材质所制成，但并不以此为限。于一些实施例中，保护层a5的材质可为氮化硅、玻璃或有机材料或其他适合作为保护层的材质或其组合。有机材料例如聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate，pet)、聚乙烯(polyethylene，pe)、聚醚(polyethersulfone，pes)、聚碳酸酯(polycarbonate，pc)、或聚酸甲酯(polymethylmethacrylate，pmma)等材料，但并不以此为限。

保护层a5的厚度约为2000a至5000a的范围之间。于本实施例中，保护层a5的厚度约为2900a。金属层a2的厚度可为保护层a5的厚度的4倍至25倍的范围之间。保护层a5的厚度可为绝缘层a3的厚度的3倍至15倍的范围之间。

保护层a5用以保护金属层a2。于本实施例中，保护层a5可用以减缓或防止于密封壁41外的金属层a2氧化。由于保护层a5的厚度大于绝缘层a3的厚度，因此保护层a5可提供金属层a2进一步的保护。

由于辐射体30于密封壁41外的区域可能会暴露于空气中，因此借由厚度较厚的保护层a5可良好的保护于密封壁41外的金属层a2，进而增加可调制微波装置1的耐用度。

于本实施例中，保护层a5可包括一穿孔332a，且穿孔332a与金属层a2至少部分重叠，需说明的是，这里所说的重叠是指从俯视方向(垂直第二表面323的方向)上，穿孔332a的轮廓与金属层a2至少部分重叠，绝缘层a3及蚀刻阻挡层a4也分别包含穿孔332b、332c对应穿孔332a、以暴露部分金属层a2。

导电层a6设置于保护层a5上，且部分位于穿孔332a内。导电层a6可于穿孔332a、332b、332c内连接或直接接触金属层a2的上表面。此外，导电层a6可于穿孔332b内连接或直接接触绝缘层a3的侧壁、于穿孔332c内连接或直接接触蚀刻阻挡层a4的侧壁，以及于穿孔332a内连接或直接接触保护层a5的侧壁。部分的导电层a6设置于保护层a5以及蚀刻阻挡层a4上。于本实施例中，部分的蚀刻阻挡层a4位于导电层a6以及金属层a2之间。

导电层a6可为透明导电材质。于一些实施例中，导电层a6的材质可为氧化铟锡(indiumtinoxide,ito)、氧化铟锌(izo)或其他适合作为导电层的材质或其组合，但并不以此为限。导电层a6的厚度约为300a至700a的范围之间。于本实施例中，蚀刻阻挡层a4的厚度约为500a。导电层a6的厚度可与绝缘层a3或蚀刻阻挡层a4的厚度相同或大致相同。

于一些实施例中，密封壁41包括导电材料。导电层a6可用以结合密封壁41以及金属层a2。换句话说，密封壁41经由导电层a6电性连接于金属层a2。于一些实施例中，密封壁41可接地(grounding)。于本实施例中，密封壁41可设置于保护层a5上，且对应穿孔332a、332b、332c设置。

本公开提供了多种可调制微波装置1的辐射体30的制作方法。图3a至图3d为本公开的第一实施例的辐射体30于制程中间阶段的示意图。

如图3a所示，于基板32上依序形成缓冲层a1、图案化的金属层a2、绝缘层a3、蚀刻阻挡层a4以及保护层a5。此外，于保护层a5上形成图案化的光阻p1。

如图3b所示，以一第一蚀刻制程，移除未被光阻p1所覆盖的保护层a5。之后去除光阻p1。于本实施例中，第一蚀刻制程可用以移除保护层a5。

于第一蚀刻制程中，蚀刻阻挡层a4不被蚀刻制程蚀刻或完全移除。换句话说，于第一蚀刻制程中，蚀刻阻挡层a4的蚀刻率小于保护层a5的蚀刻率。因此于本实施例中，蚀刻阻挡层a4用以于第一蚀刻制程的蚀刻制程中，保护绝缘层a3。

如图3c所示，于蚀刻阻挡层a4以及保护层a5上形成图案化的光阻p2。之后，以一第二蚀刻制程，移除未被光阻p2所覆盖的蚀刻阻挡层a4、绝缘层a3及缓冲层a1，如图3d所示，借以形成开口区331以及穿孔332a、332b、332c(如图3d所示)。最后，于图3d中，形成导电层a6于保护层a5上，且部分导电层a6延伸到穿孔332a、332b、332c内。

本实施例中，第二蚀刻制程用以移除蚀刻阻挡层a4、绝缘层a3及缓冲层a1。于第二蚀刻制程中，金属层a2、以及基板32可不被蚀刻制程蚀刻或完全移除。换句话说，于第二蚀刻制程中，金属层a2以及基板32的蚀刻率小于缓冲层a1、绝缘层a3及蚀刻阻挡层a4的蚀刻率。

图4为根据本公开的一些实施例中辐射体60的示意图。于本公开中，辐射信号层61的结构以及制作方法的相关说明可参考辐射信号层33。辐射体60与辐射体30主要的差异在于，于金属层b2以及基板62之间形成多层电路层以及绝缘层。

于本实施例中，基板62上沿叠置方向d1依序形成图案化的第一电路层b7、绝缘层b8、图案化的第二电路层b9、以及绝缘层b10。于一些实施例中，部分的第一电路层b7、绝缘层b8、第二电路层b9、以及绝缘层b10可形成薄膜晶体管。

于辐射体60中可不包括缓冲层以及开口区。此外，于本实施例中金属层b2设置于绝缘层b10上。绝缘层b3设置于金属层b2以及未被金属层b2所覆盖的绝缘层b10上。蚀刻阻挡层b4设置于绝缘层b3上。保护层b5设置于蚀刻阻挡层b4上。导电层b6设置于保护层b5上，且部分延伸至保护层b5的穿孔611a、蚀刻阻挡层b4的穿孔611c及绝缘层b3的穿孔611b内以连接或直接接触金属层b2。

由于辐射体60于密封壁41外的区域可能会暴露于空气中，因此借由厚度较厚的保护层b5可良好的保护位于密封壁41外的金属层b2，进而增加可调制微波装置1的耐用度。

需说明的是，虽然本说明书的大部分以辐射体30为例，但于本公开中关于绝缘层a3、蚀刻阻挡层a4、保护层a5及导电层a6的配置位置及制程手法都可以实施于辐射体60上(对应绝缘层b3、蚀刻阻挡层b4、保护层b5及导电层b6)。另外，本发明也不限制辐射体60与辐射体30在上述层别中必须施以与本实施例相同的配置位置或制程手法，本领域技术人员当可依其设计需求，从以下公开的实施例中选择分别适合辐射体60与辐射体30的配置位置或制程手法。

图5为本公开的第二实施例的辐射体30的示意图。于本实施例中，部分绝缘层a3上未设置有蚀刻阻挡层a4及保护层a5。蚀刻阻挡层a4可位于穿孔332b内。部分的导电层a6与蚀刻阻挡层a4接触。

于本实施例中，蚀刻阻挡层a4为导电材料。于一些实施例中，蚀刻阻挡层a4可为透明材质。蚀刻阻挡层a4的材质可为氧化铟锌(izo)或氧化铟锡(ito)，但并不以此为限。

图6a至图6d为本公开的第二实施例的辐射体30于制程中间阶段的示意图。如图6a所示，于基板32上依序形成缓冲层a1、图案化的金属层a2、以及绝缘层a3。此外，于绝缘层a3上形成图案化的光阻p1。之后，以第一蚀刻制程，移除未被光阻p1所覆盖的缓冲层a1以及绝缘层a3，借以形成开口区331b、331d以及穿孔332b(如图6b所示)。最后，去除光阻p1。

如图6b所示，于绝缘层a3上依序形成蚀刻阻挡层a4以及保护层a5。此外，于保护层a5上形成图案化的光阻p2。之后，以第二蚀刻制程，移除未被光阻p2所覆盖的保护层a5(如图6c所示)。之后，移除光阻p2。

于图6d中，于形成导电层a6于蚀刻阻挡层a4和保护层a5上。此外，导电层a6可延伸至开口区331及穿孔332a内。之后于导电层a6上形成图案化的光阻p3。

之后，以第三蚀刻制程移除未被光阻p3所覆盖的导电层a6，于此实施例中，导电层a6与蚀刻阻挡层a4是使用蚀刻选择率(selectivity)相近的材质，例如同为氧化金属材料(例如氧化铟锡或氧化铟锌)，因此当移除未被光阻p3所覆盖的导电层a6时，也会移除蚀刻阻挡层a4。最后移除光阻p3，借以形成图5所示的辐射信号层33。

图7为本公开的第三实施例的辐射体30的示意图。于本实施例中，部分的导电层a6设置于蚀刻阻挡层a4以及金属层a2之间。部分的导电层a6位于保护层a5与金属层a2之间。于本实施例中，蚀刻阻挡层a4覆盖部分的绝缘层a3。

于本实施例中，蚀刻阻挡层a4为导电材料。于一些实施例中，蚀刻阻挡层a4可为透明氧化物材质。此外，蚀刻阻挡层a4的材质可为氧化铟锌(izo)或氧化铟锡(ito)，但并不以此为限。此外，部分导电层a6延伸入穿孔322b内与金属层a2直接接触。

图8为本公开的第三实施例的辐射体30于制程中间阶段的示意图。请参考前述实施例的制作方法，如图8所示，于基板32上依序形成缓冲层a1、图案化的金属层a2、以及绝缘层a3，并于缓冲层a1以及绝缘层a3上形成开口区331d、331b以及穿孔332b。之后，于金属层a2以及绝缘层a3上形成导电层a6。部分导电层a6可延伸入穿孔332b内，并于穿孔332b内接触金属层a2。之后于导电层a6上进行第一蚀刻制程，移除不必要的导电层a6。

之后于绝缘层a3以及导电层a6上依序形成蚀刻阻挡层a4以及保护层a5。再于保护层a5上形成光阻p1。

以第二蚀刻制程，移除未被光阻p1所覆盖的保护层a5。再移除未被光阻p1所覆盖的蚀刻阻挡层a4。之后移除光阻p1，借以形成图7所示的辐射信号层33。

图9为本公开的第四实施例的辐射体30的示意图。于本实施例中，蚀刻阻挡层a4为导电材料。于一些实施例中，蚀刻阻挡层a4可为透明材质。此外，蚀刻阻挡层a4的材质可为氧化铟锌(izo)或氧化铟锡(ito)，但并不以此为限。

于本实施例中，蚀刻阻挡层a4可同时具有导电层a6的功能。因此，辐射信号层33可不需要包含导电层a6。于本实施例中，蚀刻阻挡层a4覆盖部分的绝缘层a3。

图10a与图10b为本公开的第四实施例的辐射体30于制程中间阶段的示意图。请参考前述实施例的制作方法，如图10a所示，于基板32上依序形成缓冲层a1、图案化的金属层a2、以及绝缘层a3，并于缓冲层a1以及绝缘层a3上形成开口区331d、331b以及穿孔332b。

于金属层a2以及绝缘层a3上依序形成蚀刻阻挡层a4以及保护层a5。蚀刻阻挡层a4以及保护层a5可位于开口区331b、331d内。蚀刻阻挡层a4可于穿孔332b内接触金属层a2。之后，于保护层a5上形成图案化的光阻p1。

以一第一蚀刻制程，移除未被光阻p1所覆盖的保护层a5(如图10b所示)。最后，去除光阻p1。

如图10b所示，于保护层a5及穿孔332a上形成光阻p2。以第二蚀刻制程移除未被光阻p2所覆盖的蚀刻阻挡层a4。之后移除光阻p2，借以形成图9所示的辐射信号层33。

图11为本公开的第五实施例的辐射体30的示意图。于本实施例中，蚀刻阻挡层a4为金属材料。此外，蚀刻阻挡层a4的材质可为具有抗腐蚀性的金属，例如金(au)、铂(pt)、钯(pd)、镍(ni)、或其他适合作为蚀刻阻挡层的材料或其组合，但并不以此为限。由于蚀刻阻挡层a4的材质可为例如金等具有抗腐蚀性的金属，因此蚀刻阻挡层a4可对于金属层a2提供良好的保护，并可减少保护层a5的厚度。

于本实施例中，保护层a5的厚度约为500a至2000a的范围之间。于一些实施例中，保护层a5的厚度约为1000a。

于本实施例中，蚀刻阻挡层a4完整覆盖金属层a2或覆盖金属层a2超过90％的上表面。于本实施例中，蚀刻阻挡层a4可同时具有如前述实施例中的绝缘层a3的保护金属层a2的功能。因此，辐射信号层33可不需要包含绝缘层a3。

图12为本公开的第五实施例的辐射体30于制程中间阶段的示意图。请参考前述实施例的制作方法，如图12所示，于基板32上依序形成缓冲层a1、图案化的金属层a2。

以化学镀膜的方式于金属层a2上形成蚀刻阻挡层a4，并形成开口区331c。如图12所示，蚀刻阻挡层a4不位于未被金属层a2所覆盖的缓冲层a1上。之后，于蚀刻阻挡层a4上以及未被金属层a2所覆盖的缓冲层a1上形成保护层a5。

于保护层a5上形成光阻层p1。之后，以第一蚀刻制程，移除未被光阻p1所覆盖的保护层a5，借以形成穿孔332a(如图11所示)，再移除未被蚀刻阻挡层a4覆盖的缓冲层a1。最后，去除光阻p1，并于保护层a5上以及穿孔332a内形成导电层a6，借以形成图11所示的辐射信号层33。此外，导电层a6于穿孔332a内接触或直接接触蚀刻阻挡层a4。

图13为本公开的一些实施例中的辐射体10与辐射体30的示意图。于本实施例中，传递层12位于基板11之下。基板11位于传递层12与微波传导层s1之间。基板11与传递层12之间具有一粘着层13，借以使得传递层12能良好地结合于基板11。

辐射体30更包括一粘着层34以及一基板35。基板35设置于微波传导层s1之上。传递层31设置于基板35之上。基板35以及传递层31之间可具有一粘着层34，借以使得传递层31能良好地结合于基板35。

上述粘着层13、34的材质可为绝缘材料，例如al2o3，但不以此为限。借由粘着层13、34的材质，可于微波传导层s1传导微波信号时，使电流集中分布于传递层12以及传递层31，并减少电流分布于粘着层13、34的量，进而能降低微波信号的损耗。

图14为本公开的一些实施例中的辐射体30与辐射体60的示意图。传递层c2设置于基板32的一表面上。传递层c2与基板32之间可选择性地设置缓冲层或粘着层c1，用以结合传递层c2以及基板32。传递层c2为金属材料。

金属层a2设置于基板32的另一表面上，缓冲层a1设置于金属层a2与基板32之间，且蚀刻阻挡层a4位于缓冲层a1以及金属层a2之间。绝缘层a3设置于金属层a2上，对部分绝缘层a3进行蚀刻制程时，蚀刻阻挡层a4会保护位于其下面的缓冲层a1，使缓冲层a1不会产生对应绝缘层a3的开口区331b的开口，因此可节省调制结构40的用量。

综上所述，本公开借由保护层及蚀刻阻挡层以良好地保护位于其下方的层别，进而增加可调制微波装置的耐用度，或是能节省调制结构的用量。

上述已公开的特征能以任何适当方式与一或多个已公开的实施例相互组合、修饰、置换或转用，并不限定于特定的实施例。

虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。