技术特征：
技术总结
本发明公开了一种使用深N阱隔离的MRAM芯片，所述MRAM芯片包括MRAM器件及电路、P型半导体衬底、N阱和深N阱；所述N阱位于所述MRAM器件及电路外围，所述深N阱位于所述MRAM器件及电路下方，所述N阱底部与所述深N阱连接在一起，对所述MRAM器件及电路形成三维N阱‑深N阱隔离。本发明能够有效隔绝噪音，提高MRAM芯片读出稳定性。
技术研发人员：戴瑾;王志刚
受保护的技术使用者：上海磁宇信息科技有限公司
技术研发日：2017.12.01
技术公布日：2019.06.11