互连结构及其制造方法与流程

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种互连结构及其制造方法。

背景技术：

在半导体技术中，互连结构是一种非常重要的用于半导体器件的结构。图10a至图10c是示意性地示出现有技术的互连结构的制造过程中若干阶段的结构的横截面图。

首先，如图10a所示，该半导体结构形成有双大马士革(dual-damascene)通孔结构，该双大马士革通孔结构包括在铜线141上的通孔132、通孔133和开口160。该半导体结构的顶部具有tin(氮化钛)硬掩模层153。

接下来，如图10b所示，通过选择性沉积工艺在通孔132和133中形成钴层142。一方面，如图10b所示，该选择性沉积的步骤容易造成钴层的过度生长(over-growth)问题，从而形成了菜花状缺陷(cauliflowerdefect)180，该菜花状缺陷容易造成不同通孔中的钴层连接(如图10b的虚线框中所示)，从而造成短路，影响器件的正常工作，甚至导致器件失效。另一方面，如图10b所示，在半导体结构的顶部具有tin硬掩模层153的情况下，由于tin硬掩模层的表面性质的影响，在沉积钴层的过程中，容易造成钴层内出现空洞(void)170，这也影响器件的可靠性。

接下来，如图10c所示，在开口160中形成铜层143，从而形成互连结构。

通过上面的工艺过程可以看出，现有技术的互连结构的制造方法容易造成菜花状缺陷和空洞缺陷，从而影响器件的可靠性。

技术实现要素：

本发明的发明人发现上述现有技术中存在问题，并因此针对所述问题中的至少一个问题提出了一种新的技术方案。

本发明一个实施例的目的之一是：提供一种互连结构的制造方法，从而能够尽量避免形成菜花状缺陷。

根据本发明的第一方面，提供了一种互连结构的制造方法，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括：衬底、在所述衬底上的层间电介质层、贯穿所述层间电介质层的多个第一通孔以及填充所述多个第一通孔的第一金属层；在所述衬底结构上形成通孔结构层，所述通孔结构层包括双大马士革通孔结构，所述双大马士革通孔结构包括：在所述通孔结构层中的第二通孔和第三通孔，以及在所述第二通孔和所述第三通孔之上的开口；所述第二通孔露出所述多个第一通孔中的一个第一通孔中的第一金属层，所述第三通孔露出所述多个第一通孔中的另一个第一通孔中的第一金属层，所述开口露出所述第二通孔、所述第三通孔和所述通孔结构层的在所述第二通孔和所述第三通孔之间的部分；在所述第二通孔和所述第三通孔中填充第二金属层，所述第二金属层的上表面低于所述通孔结构层的在所述第二通孔和所述第三通孔之间的所述部分的上表面；刻蚀所述通孔结构层的在所述第二通孔和所述第三通孔之间的所述部分，使得所述部分的上表面低于所述第二金属层的上表面；以及在刻蚀所述通孔结构层的所述部分之后，在所述开口中形成连接所述第二金属层的第三金属层。

在一个实施例中，在刻蚀所述通孔结构层的在所述第二通孔和所述第三通孔之间的所述部分之后，所述通孔结构层的所述部分的上表面比所述第二金属层的上表面低

在一个实施例中，刻蚀所述通孔结构层的在所述第二通孔和所述第三通孔之间的所述部分是以下面的工艺条件执行的：在20毫托至200毫托的气体压强下，在100瓦至2000瓦的刻蚀功率下，以ar作为载流气体，利用c4f8、c4f6和o2的混合气体执行刻蚀工艺。

在一个实施例中，所述c4f8的气体流量范围为10sccm至50sccm；所述c4f6的气体流量范围为10sccm至50sccm；所述o2的气体流量范围为2sccm至30sccm；所述ar的气体流量范围为100sccm至5000sccm。

在一个实施例中，所述通孔结构层包括：在所述衬底结构上的刻蚀停止层、在所述刻蚀停止层上的第一电介质层和在所述第一电介质层上的第二电介质层；所述第一电介质层的介电常数低于所述第二电介质层的介电常数；所述双大马士革通孔结构贯穿所述刻蚀停止层、所述第一电介质层和所述第二电介质层；其中，所述开口所露出的所述通孔结构层的在所述第二通孔和所述第三通孔之间的部分为所述第一电介质层的在所述第二通孔和所述第三通孔之间的部分。

在一个实施例中，所述第一电介质层的材料为低介电常数材料。

在一个实施例中，在所述衬底结构上形成通孔结构层的步骤包括：形成在所述衬底结构上的刻蚀停止层、在所述刻蚀停止层上的第一电介质层、在所述第一电介质层上的第二电介质层和在所述第二电介质层上的硬掩模层；刻蚀所述硬掩模层、所述第二电介质层和所述第一电介质层以形成露出所述刻蚀停止层的部分表面的初始双大马士革通孔；在形成所述初始双大马士革通孔之后去除所述硬掩模层；以及通过所述初始双大马士革通孔利用刻蚀工艺去除所述刻蚀停止层的被露出部分，以露出所述第一通孔中的第一金属层，从而形成双大马士革通孔结构。

在一个实施例中，所述第一金属层和所述第三金属层的材料包括铜；所述第二金属层的材料包括钴。

在一个实施例中，在形成所述通孔结构层的步骤中，所述第二通孔和所述第三通孔分别露出所述多个第一通孔中相邻的两个第一通孔中的第一金属层。

在上述制造方法中，在形成第二金属层的过程中，使得该第二金属层的上表面低于通孔结构层的在第二通孔和第三通孔之间的部分的上表面，这样可以尽量防止第二金属层产生过度生长问题，从而尽量避免第二金属层出现菜花状缺陷，提高器件的可靠性；然后通过刻蚀通孔结构层的在第二通孔和第三通孔之间的部分，使得该部分的上表面低于第二金属层的上表面，从而在后续形成第三金属层的过程中，能够尽量避免由于第二金属层低于通孔而造成后续填充第三金属层的过程中所容易出现的空洞问题，从而进一步提高器件的可靠性。

进一步地，由于在第二通孔和第三通孔中填充第二金属层的步骤之前，已经去除了硬掩模层，降低了硬掩模层的表面性质所造成的对后续第二金属层的沉积工艺的影响，因此可以尽量避免在通孔中填充第二金属层的过程中所容易出现的空洞缺陷问题，从而提高器件的可靠性。

根据本发明的第二方面，提供了一种互连结构，包括：衬底结构，所述衬底结构包括：衬底、在所述衬底上的层间电介质层、贯穿所述层间电介质层的多个第一通孔以及填充所述多个第一通孔的第一金属层；在所述衬底结构上的通孔结构层，所述通孔结构层包括双大马士革通孔结构，所述双大马士革通孔结构包括：在所述通孔结构层中的第二通孔和第三通孔，以及在所述第二通孔和所述第三通孔之上的开口；所述第二通孔露出所述多个第一通孔中的一个第一通孔中的第一金属层，所述第三通孔露出所述多个第一通孔中的另一个第一通孔中的第一金属层，所述开口露出所述第二通孔、所述第三通孔和所述通孔结构层的在所述第二通孔和所述第三通孔之间的部分；填充在所述第二通孔和所述第三通孔中的第二金属层，其中，所述通孔结构层的在所述第二通孔和所述第三通孔之间的所述部分的上表面低于所述第二金属层的上表面；以及在所述开口中的连接所述第二金属层的第三金属层。

在一个实施例中，所述通孔结构层的在所述第二通孔和所述第三通孔之间的所述部分的上表面比所述第二金属层的上表面低至

在一个实施例中，所述通孔结构层包括：在所述衬底结构上的刻蚀停止层、在所述刻蚀停止层上的第一电介质层和在所述第一电介质层上的第二电介质层；所述第一电介质层的介电常数低于所述第二电介质层的介电常数；所述双大马士革通孔结构贯穿所述刻蚀停止层、所述第一电介质层和所述第二电介质层；其中，所述开口所露出的所述通孔结构层的在所述第二通孔和所述第三通孔之间的部分为所述第一电介质层的在所述第二通孔和所述第三通孔之间的部分。

在一个实施例中，所述第一电介质层的材料为低介电常数材料。

在一个实施例中，所述第一金属层和所述第三金属层的材料包括铜；所述第二金属层的材料包括钴。

在一个实施例中，所述第二通孔和所述第三通孔分别露出所述多个第一通孔中相邻的两个第一通孔中的第一金属层。

在上面的实施例中，提供了一种互连结构，该互连结构可以尽量防止其中的第二金属层出现过度生长所导致的菜花状缺陷问题，并能够尽量避免出现空洞缺陷问题，从而提高器件的可靠性。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本发明的实施例，并且连同说明书一起用于解释本发明的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本发明，其中：

图1是示出根据本发明一个实施例的互连结构的制造方法的流程图。

图2是示意性地示出根据本发明一个实施例的互连结构的制造过程中一个阶段的结构的横截面图。

图3是示意性地示出根据本发明一个实施例的互连结构的制造过程中一个阶段的结构的横截面图。

图4是示意性地示出根据本发明一个实施例的互连结构的制造过程中一个阶段的结构的横截面图。

图5是示意性地示出根据本发明一个实施例的互连结构的制造过程中一个阶段的结构的横截面图。

图6是示意性地示出根据本发明一个实施例的互连结构的制造过程中一个阶段的结构的横截面图。

图7是示意性地示出根据本发明一个实施例的互连结构的制造过程中一个阶段的结构的横截面图。

图8是示意性地示出根据本发明一个实施例的互连结构的制造过程中一个阶段的结构的横截面图。

图9是示意性地示出根据本发明一个实施例的互连结构的制造过程中一个阶段的结构的横截面图。

图10a至图10c是示意性地示出现有技术的互连结构的制造过程中若干阶段的结构的横截面图。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。

同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

图1是示出根据本发明一个实施例的互连结构的制造方法的流程图。图2至图9是示意性地示出根据本发明一个实施例的互连结构的制造过程中若干阶段的结构的横截面图。下面结合图1以及图2至图9详细描述根据本发明一个实施例的互连结构的制造过程。例如，本发明实施例的制造方法可以应用在beol(backendofline，后段制程)的金属形成过程中。

如图1所示，在步骤s101，提供衬底结构，该衬底结构包括：衬底、在该衬底上的层间电介质层、贯穿该层间电介质层的多个第一通孔以及填充该多个第一通孔的第一金属层。

图2是示意性地示出根据本发明一个实施例的互连结构的制造过程中在步骤s101的结构的横截面图。如图2所示，提供衬底结构，该衬底结构可以包括：衬底(例如硅衬底)20、在该衬底20上的层间电介质层21、贯穿该层间电介质层21的多个第一通孔31以及填充该多个第一通孔31的第一金属层41。例如，该层间电介质层的材料可以包括二氧化硅。该第一金属层41的材料可以包括铜(cu)等。

回到图1，在步骤s102，在衬底结构上形成通孔结构层，该通孔结构层包括双大马士革通孔结构，该双大马士革通孔结构包括：在通孔结构层中的第二通孔和第三通孔，以及在该第二通孔和该第三通孔之上的开口；该第二通孔露出多个第一通孔中的一个第一通孔中的第一金属层，该第三通孔露出该多个第一通孔中的另一个第一通孔中的第一金属层，该开口露出第二通孔、第三通孔和该通孔结构层的在该第二通孔和该第三通孔之间的部分。

在一个实施例中，该通孔结构层可以包括：在衬底结构上的刻蚀停止层、在该刻蚀停止层上的第一电介质层和在该第一电介质层上的第二电介质层。该第一电介质层的介电常数低于该第二电介质层的介电常数。所述双大马士革通孔结构贯穿该刻蚀停止层、该第一电介质层和该第二电介质层。所述开口所露出的通孔结构层的在第二通孔和第三通孔之间的部分为该第一电介质层的在第二通孔和第三通孔之间的部分。

图3至图6是示意性地示出根据本发明一个实施例的形成通孔结构层的若干阶段的结构的横截面图。下面结合图3至图6详细描述根据本发明一个实施例的形成通孔结构层过程。

如图3所示，例如通过沉积工艺形成在图2所示的衬底结构上的刻蚀停止层50、在该刻蚀停止层50上的第一电介质层51、在该第一电介质层51上的第二电介质层52和在该第二电介质层52上的硬掩模层53。该刻蚀停止层的材料可以包括sin(氮化硅)或sicn(氮碳硅)。该第一电介质层51的介电常数低于该第二电介质层52的介电常数。例如，该第一电介质层51的材料可以为低介电常数材料(即低k材料)。例如该低k材料可以包括：sioc(碳氧硅)等。例如该sioc可以是黑金刚石(blackdiamond)。该第二电介质层52的材料可以包括二氧化硅等。该第二电介质层可以起到对第一电介质层的保护作用。该硬掩模层53的材料可以包括tin等。

接下来，如图4所示，刻蚀上述硬掩模层53、第二电介质层52和第一电介质层51以形成露出该刻蚀停止层50的部分表面的初始双大马士革通孔。该初始双大马士革通孔可以包括：在第一电介质层51中的第二通孔32和第三通孔33，以及在该第二通孔32和该第三通孔33之上的开口60。该第二通孔32和该第三通孔33露出刻蚀停止层50的部分表面。该第二通孔32和该第三通孔33可以分别与其下方的对应的第一通孔31对准。该开口60露出第二通孔32、第三通孔33和该第一电介质层51的在该第二通孔32和该第三通孔33之间的部分。例如，可以采用已有的光刻和刻蚀等工艺方法形成初始双大马士革通孔，这里的光刻可以涉及到光刻胶的曝光、图案化、去除等工艺，这里的刻蚀可以涉及到以图案化的光刻胶作为掩模，对硬掩模层、第二电介质层和第一电介质层的刻蚀等工艺。

可选地，在该刻蚀步骤中，如图4所示，还可以形成贯穿硬掩模层53、第二电介质层52和第一电介质层51的第四通孔34，该第四通孔34露出刻蚀停止层50的部分表面。可选地，在该刻蚀步骤中，还可以形成一些凹陷37，如图4所示。

接下来，如图5所示，在形成初始双大马士革通孔之后去除硬掩模层53。例如可以利用湿法刻蚀工艺去除该硬掩模层53。该湿法刻蚀工艺所使用的刻蚀液可以为包含nh4oh、h2o2和h2o的混合溶液。

接下来，如图6所示，通过初始双大马士革通孔利用刻蚀工艺去除刻蚀停止层50的被露出部分，以露出第一通孔31中的第一金属层41，从而形成双大马士革通孔结构。在该步骤中，通过刻蚀使得第二通孔32和第三通孔33分别露出了各自对应的第一通孔中的第一金属层，从而形成了所需要的双大马士革通孔结构。

在上述实施例中，通孔结构层包括：在衬底结构上的刻蚀停止层50、在该刻蚀停止层50上的第一电介质层51和在该第一电介质层51上的第二电介质层52。双大马士革通孔结构贯穿该刻蚀停止层50、该第一电介质层51和该第二电介质层52。如图6所示，该通孔结构层所包括的双大马士革通孔结构可以包括：在通孔结构层中的第二通孔32和第三通孔33，以及在该第二通孔32和该第三通孔33之上的开口60。该第二通孔32露出多个第一通孔中的一个第一通孔中的第一金属层41，该第三通孔33露出该多个第一通孔中的另一个第一通孔中的第一金属层41。例如，如图6所示，该第二通孔32和该第三通孔33分别露出该多个第一通孔中相邻的两个第一通孔中的第一金属层。该开口60露出第二通孔32、第三通孔33和该通孔结构层的在该第二通孔32和该第三通孔33之间的部分，例如露出了该第一电介质层51的在第二通孔32和第三通孔33之间的部分。

需要说明的是，虽然在上述实施例中，描述了通孔结构层包括刻蚀停止层、第一电介质层和第二电介质层，但是该通孔结构层也可以只包括刻蚀停止层和第一电介质层，或者只包括第一电介质层等，当然也可以包括除刻蚀停止层、第一电介质层和第二电介质层之外的更多层，只要能够满足形成双大马士革通孔结构即可，因此本发明的范围并不仅限于此。

可选地，如图6所示，在该刻蚀步骤中，除了去除第二通孔32和第三通孔33所露出的刻蚀停止层的部分，还可以去除第四通孔34所露出的刻蚀停止层的部分，从而使得第四通孔34露出该第四通孔所对应的第一通孔中的第一金属层。

在上述的实施例中，在衬底结构上形成通孔结构层，该通孔结构层包括双大马士革通孔结构，由于在后续将要描述的在第二通孔和第三通孔中填充第二金属层的步骤之前，已经在该形成通孔结构层的步骤中去除了硬掩模层，降低了硬掩模层的表面性质所造成的对后续第二金属层的沉积工艺的影响，因此可以尽量避免在通孔中填充第二金属层的过程中所容易出现的空洞问题，从而提高器件的可靠性。

回到图1，在步骤s103，在第二通孔和第三通孔中填充第二金属层，该第二金属层的上表面低于该通孔结构层的在第二通孔和第三通孔之间的部分的上表面。

图7是示意性地示出根据本发明一个实施例的互连结构的制造过程中在步骤s103的结构的横截面图。如图7所示，例如通过选择性沉积(例如cvd(chemicalvapordeposition，化学气相沉积))工艺在第二通孔32和第三通孔33中填充第二金属层42。该第二金属层42的上表面低于该通孔结构层的在第二通孔32和第三通孔33之间的部分的上表面，例如该第二金属层42的上表面低于第一电介质层51的在第二通孔32和第三通孔33之间的部分的上表面。需要说明的是，这里的选择性沉积是指在沉积过程中只在有金属(例如第一金属层)的表面上沉积或生长。该第二金属层42的材料例如可以包括钴等。可选地，该第二金属层42还可以填充在第四通孔34中。

回到图1，在步骤s104，刻蚀通孔结构层的在第二通孔和第三通孔之间的部分，使得该部分的上表面低于第二金属层的上表面。

图8是示意性地示出根据本发明一个实施例的互连结构的制造过程中在步骤s104的结构的横截面图。如图8所示，刻蚀通孔结构层的在第二通孔32和第三通孔33之间的部分(例如第一电介质层51的在第二通孔32和第三通孔33之间的部分)，使得该部分的上表面低于第二金属层42的上表面。在一个实施例中，在该刻蚀步骤之后，该通孔结构层的该部分的上表面比第二金属层42的上表面低例如，如图8所示，在该刻蚀步骤之后，该第一电介质层51的在第二通孔32和第三通孔33之间的部分的上表面与第二金属层42的上表面的高度差h可以为至(例如或等)，这里，第一电介质层51的该部分的上表面低于第二金属层42的上表面。

在一个实施例中，刻蚀通孔结构层的在第二通孔和第三通孔之间的所述部分是以下面的工艺条件执行的：在20毫托至200毫托(例如50毫托、100毫托或150毫托等)的气体压强下，在100瓦至2000瓦(例如300瓦、500瓦、1000瓦或1500瓦等)的刻蚀功率下，以ar(氩气)作为载流气体，利用c4f8、c4f6和o2的混合气体执行该刻蚀工艺。

在一个实施例中，该c4f8的气体流量范围可以为10sccm至50sccm。例如，该c4f8的气体流量可以为20sccm、30sccm或40sccm等。

在一个实施例中，该c4f6的气体流量范围可以为10sccm至50sccm。例如，该c4f6的气体流量可以为20sccm、30sccm或40sccm等。

在一个实施例中，该o2的气体流量范围可以为2sccm至30sccm。例如，该o2的气体流量可以为5sccm、10sccm或20sccm等。

在一个实施例中，该ar的气体流量范围可以为100sccm至5000sccm。例如，该ar的气体流量可以为500sccm、1000sccm、2000sccm、3000sccm或4000sccm等。

回到图1，在步骤s105，在刻蚀通孔结构层的所述部分之后，在开口中形成连接第二金属层的第三金属层。

图9是示意性地示出根据本发明一个实施例的互连结构的制造过程中在步骤s105的结构的横截面图。如图9所示，在开口60中形成连接第二金属层42的第三金属层43。例如，该第三金属层43的材料可以包括铜等。可选地，该第三金属层43还可以填充第四通孔43以及凹陷37等。

在一个实施例中，可以先在开口60的底部和侧壁上形成阻挡层(该阻挡层可以阻挡后续形成的第三金属层(例如铜)扩散进入第二金属层(例如钴))，然后在阻挡层上形成籽晶层，然后通过ecp(electrochemicalplating，电化学镀膜)工艺在籽晶层上形成填充开口60的第三金属层，然后对该第三金属层执行cmp(chemicalmechanicalplanarization，化学机械平坦化)处理。

至此，提供了根据本发明一个实施例的互连结构的制造方法。在该制造方法中，在形成第二金属层的过程中，使得该第二金属层的上表面低于通孔结构层的在第二通孔和第三通孔之间的部分的上表面，这样可以尽量防止第二金属层产生过度生长问题，从而尽量避免第二金属层出现菜花状缺陷，提高器件的可靠性；然后通过刻蚀通孔结构层的在第二通孔和第三通孔之间的部分，使得该部分的上表面低于第二金属层的上表面，从而在后续形成第三金属层的过程中，能够尽量避免由于第二金属层低于通孔而造成后续填充第三金属层的过程中所容易出现的空洞问题，从而进一步提高器件的可靠性。

进一步地，在本发明的实施例中，由于在第二通孔和第三通孔中填充第二金属层的步骤之前，已经去除了硬掩模层，降低了硬掩模层的表面性质所造成的对后续第二金属层的沉积工艺的影响，因此可以尽量避免在通孔中填充第二金属层的过程中所容易出现的空洞问题，从而提高器件的可靠性。

由上述制造方法，还形成了根据本发明一个实施例的互连结构。如图9所示，该互连结构可以包括衬底结构，该衬底结构可以包括：衬底20、在该衬底20上的层间电介质层21、贯穿该层间电介质层21的多个第一通孔31以及填充该多个第一通孔31的第一金属层41。例如，该第一金属层41的材料可以包括铜。

如图9所示，该互连结构还可以包括在衬底结构上的通孔结构层，该通孔结构层可以包括双大马士革通孔结构。该双大马士革通孔结构可以包括：在通孔结构层中的第二通孔32和第三通孔33，以及在该第二通孔32和该第三通孔33之上的开口60。该第二通孔32露出该多个第一通孔中的一个第一通孔中的第一金属层41，该第三通孔33露出该多个第一通孔中的另一个第一通孔中的第一金属层41。例如，该第二通孔32和该第三通孔33分别露出该多个第一通孔中相邻的两个第一通孔中的第一金属层。该开口60露出该第二通孔32、该第三通孔33和该通孔结构层的在该第二通孔32和该第三通孔33之间的部分。

在一个实施例中，如图9所示，该通孔结构层可以包括：在衬底结构上的刻蚀停止层50、在该刻蚀停止层50上的第一电介质层51和在该第一电介质层51上的第二电介质层52。该第一电介质层51的介电常数低于该第二电介质层52的介电常数。例如，该第一电介质层51的材料可以为低介电常数材料。所述双大马士革通孔结构贯穿该刻蚀停止层50、该第一电介质层51和该第二电介质层52。其中，所述开口所露出的通孔结构层的在第二通孔和第三通孔之间的部分为该第一电介质层51的在该第二通孔32和该第三通孔33之间的部分。

如图9所示，该互连结构还可以包括填充在第二通孔32和第三通孔33中的第二金属层42。例如，该第二金属层42的材料可以包括钴。其中，该通孔结构层的在第二通孔和第三通孔之间的所述部分的上表面低于该第二金属层的上表面。例如，如图9所示，该第一电介质层51的在该第二通孔32和该第三通孔33之间的部分低于该第二金属层42的上表面。在一个实施例中，该通孔结构层的在第二通孔和第三通孔之间的所述部分(例如，该第一电介质层51的在该第二通孔32和该第三通孔33之间的部分)的上表面比第二金属层的上表面低

如图9所示，该互连结构还可以包括在开口60中的连接第二金属层42的第三金属层43。例如，该第三金属层43的材料可以包括铜。

在上面的实施例中，提供了一种互连结构，该互连结构可以尽量防止其中的第二金属层出现过度生长所导致的菜花状缺陷问题，并能够尽量避免出现空洞缺陷问题，从而提高器件的可靠性。

至此，已经详细描述了本发明。为了避免遮蔽本发明的构思，没有描述本领域所公知的一些细节。本领域技术人员根据上面的描述，完全可以明白如何实施这里公开的技术方案。

虽然已经通过示例对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。