技术总结
本发明涉及一种基于多量子阱的GaN横向LED的器件结构。该器件结构包括：蓝宝石衬底10；GaN蓝光外延层11，设置于所述蓝宝石衬底10上；多个黄光灯芯槽，依次间隔设置于所述GaN蓝光外延层11内；GaN黄光外延层21，设置于所述黄光灯芯槽中；第一正电极23，设置于所述GaN蓝光外延层11上；第二正电极24，设置于所述GaN黄光外延层21上钝化层，设置于所述GaN蓝光外延层11、所述GaN黄光外延层21、第一正电极23以及第二正电极24上。本发明通过将多种色彩的外延层设置在同一LED器件中，产生多种颜色的光，可以解决现有技术中LED封装器件涂覆荧光粉导致LED器件发光效率低、集成度低的缺陷。
技术研发人员：张捷
受保护的技术使用者：西安智盛锐芯半导体科技有限公司
技术研发日：2017.12.20
技术公布日：2018.06.05