1.一种闪存浮栅的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底，在所述半导体基底上依次叠加形成隧穿氧化层、浮栅层和硬掩模层；
刻蚀所述硬掩模层、所述浮栅层、所述隧穿氧化层以及所述半导体基底，从而在所述半导体基底中形成多个隔离沟槽；
在所述隔离沟槽的内壁形成沟槽氧化层并利用隔离介质填充满所述隔离沟槽；
回刻蚀所述隔离介质以形成隔离结构；以及
去除所述硬掩模层从而在所述隔离结构之间形成浮栅。
2.如权利要求1所述的闪存浮栅的制作方法，其特征在于，所述隧穿氧化层利用原位蒸汽生成方法或者脱耦等离子体氮化方法形成。
3.如权利要求1所述的闪存浮栅的制作方法，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度是80至
4.如权利要求1所述的闪存浮栅的制作方法，其特征在于，回刻蚀所述隔离介质以形成隔离结构的方法为一次干法刻蚀工艺。
5.如权利要求4所述的闪存浮栅的制作方法，其特征在于，所述隔离结构的上表面高于所述隧穿氧化层的上表面并且低于所述浮栅层的上表面。
6.如权利要求1至5任一项所述的闪存浮栅的制作方法，其特征在于，所述浮栅的高宽比大于2。
7.如权利要求1至5任一项所述的闪存浮栅的制作方法，其特征在于，在所述隔离沟槽的内壁形成沟槽氧化层并利用隔离介质填充满所述隔离沟槽的步骤包括：利用化学机械研磨工艺使所述隔离介质的上表面与所述硬掩模层的上表面齐平。
8.如权利要求1至5任一项所述的闪存浮栅的制作方法，其特征在于，在所述半导体基底上形成所述隧穿氧化层之前，还包括：
在所述半导体基底上形成衬垫氧化层；
进行阱区的离子注入；以及
去除所述衬垫氧化层。
9.一种NOR闪存，其特征在于，利用包括如权利要求1至8任一项所述的闪存浮栅的制作方法形成。
10.如权利要求9所述的NOR闪存，其特征在于，所述NOR闪存选自随机存取存储器、只读存储器、可编程逻辑阵列、专用集成电路或数字射频存储器。