一种浅PN结扩散技术的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明涉及一种半导体工艺中一种浅PN结形成技术,‑‑即浅PN结扩散技术,所述的浅PN结扩散技术结合常规设备和工艺，采用先制备一层滿足一定厚度的薄二氧化硅阻挡层，再进行硼、磷等的扩散以形成浅PN结。

技术研发人员：黄福仁;黄赛琴;陈轮兴;林吉申
受保护的技术使用者：福建安特微电子有限公司
技术研发日：2017.12.27
技术公布日：2018.05.29