一种防止焊料中银离子迁移的陶瓷封装结构的制作方法

本实用新型涉及一种防止焊料中银离子迁移的陶瓷封装结构，属于半导体封装技术领域。

背景技术：

目前陶瓷封装产品一般是以表面为铜材的热沉板作为基岛，在热沉板上设置陶瓷环，热沉板与陶瓷环中间夹有多层焊料层，靠近热沉板的一层焊料一般采用银铜焊料。银铜焊料比铜熔点低且对铜有较好浸润性能，银铜合金焊料到达熔点时，液态银铜焊料靠毛细作用润湿热沉板表面铜材，填充热沉板与陶瓷环之间的焊缝处并与热沉板表面铜材实现焊接。陶瓷环同样通过多层焊料焊接管脚，同样地，靠近管脚的一层焊料为银铜焊料。为了避免银铜焊料流散性过大导致焊缝处焊料流散不连续，进而使焊缝处存在孔洞或缝隙造成虚焊的问题，以及避免银铜焊料中银离子迁移到陶瓷环上，造成的短路问题，一般会在银铜焊料表面形成一层镍层。

在实际封装测试过程中，采用此方式，会存在以下问题：

1、镀镍区域不能很好管控，银铜焊料周围的镍层如有一丝缝隙，可靠性测试后因冷热循环使缝隙增大，导致银铜焊料外露至陶瓷环上，易造成银离子的迁移，导致焊接不良；

2、在可靠性测试时，热沉板与陶瓷环中间夹有的多层焊料层，受较大的重力挤压，容易使银铜焊料暴露出镍层。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种防止焊料中银离子迁移的陶瓷封装结构，它在热沉板上形成铜墙来防止银铜焊料与陶瓷环接触，从而得以防止银离子通过陶瓷迁移。

本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为：一种防止焊料中银离子迁移的陶瓷封装结构，它包括基岛，所述基岛采用热沉板，所述基岛上方设置有中间镂空的陶瓷环，所述基岛和陶瓷环之间通过多层焊料焊接，并且暴露基岛中间部分，所述陶瓷环上方设置有管脚，所述陶瓷环与管脚之间也通过多层焊料焊接，所述基岛正面四周设置有铜墙，所述铜墙位于多层焊料外侧，所述陶瓷环底部四周设置有凹槽，所述陶瓷环上的凹槽与基岛正面的铜墙相楔合。

所述铜墙内侧设有锁胶槽。

所述多层焊料与陶瓷环的内环边缘及外环边缘留有余地。

所述多层焊料中的第一焊料为银铜焊料。

所述多层焊料中的第二焊料为镍材、镍合金。

所述铜墙、凹槽及锁胶槽为环形。

所述管脚与陶瓷环之间多层焊料的顺序与基岛和陶瓷环之间多层焊料的顺序相反。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：

本实用新型一种防止焊料中银离子迁移的陶瓷封装结构，它借由热沉板上形成的铜墙与陶瓷环上的凹槽楔合，可以阻挡银铜焊料溢出造成虚焊，或者银离子迁移到陶瓷环上造成短路，同时也可以避免焊料受挤压而造成银铜焊料暴露出镍层。

附图说明

图1为本实用新型一种防止焊料中银离子迁移的陶瓷封装结构的正面视图。

图2为本实用新型一种防止焊料中银离子迁移的陶瓷封装结构的侧面局部截图。

其中：

基岛1

铜墙1.1

锁胶槽1.2

陶瓷环2

凹槽2.1

多层焊料3

第一焊料3.1

第二焊料3.2

管脚4。

具体实施方式

以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。

如图1、图2所示，本实施例中的一种防止焊料中银离子迁移的陶瓷封装结构，它包括基岛1，所述基岛1采用热沉板，所述基岛1上方设置有中间镂空的陶瓷环2，所述基岛1和陶瓷环2之间通过多层焊料3焊接，并且暴露基岛1中间部分，所述陶瓷环2上方设置有管脚4，所述陶瓷环2与管脚4之间也通过多层焊料3焊接，所述基岛1正面四周设置有铜墙1.1，所述铜墙1.1位于多层焊料3外侧，所述陶瓷环2底部四周设置有凹槽2.1，所述陶瓷环2上的凹槽2.1与基岛1正面的铜墙1.1相楔合，形成对银铜焊料的阻挡作用；

所述铜墙1.1内侧设有锁胶槽1.2，用于引导和储存多层焊料3中的第一焊料3.1，起到锁住焊料的作用；

所述多层焊料3与陶瓷环2的内环边缘及外环边缘留有余地，避免焊料过多沾污至陶瓷环侧壁或者基岛1的装片区域；

所述多层焊料3中的第一焊料3.1为银铜焊料；

所述多层焊料3中的第二焊料3.2为镍材、镍合金；

所述铜墙1.1、凹槽2.1及锁胶槽1.2为环形，环绕封装产品一周；

所述铜墙1.1与锁胶槽1.2截面形状不受限制；

所述管脚4与陶瓷环2之间的多层焊料3顺序与基岛1和陶瓷环2之间的多层焊料3顺序相反；

针对于多层焊料3的组合不做限定。

除上述实施例外，本实用新型还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。