1.一种防止焊料中银离子迁移的陶瓷封装结构，其特征在于：它包括基岛（1），所述基岛（1）采用热沉板，所述基岛（1）上方设置有中间镂空的陶瓷环（2），所述基岛（1）和陶瓷环（2）之间通过多层焊料（3）焊接，并且暴露基岛（1）中间部分，所述陶瓷环（2）上方设置有管脚（4），所述陶瓷环（2）与管脚（4）之间也通过多层焊料（3）焊接，所述基岛（1）正面四周设置有铜墙（1.1），所述铜墙（1.1）位于多层焊料（3）外侧，所述陶瓷环（2）底部四周设置有凹槽（2.1），所述陶瓷环（2）上的凹槽（2.1）与基岛（1）正面的铜墙（1.1）相楔合。
2.根据权利要求1所述的一种防止焊料中银离子迁移的陶瓷封装结构，其特征在于：所述铜墙（1.1）内侧设有锁胶槽（1.2）。
3.根据权利要求1所述的一种防止焊料中银离子迁移的陶瓷封装结构，其特征在于：所述多层焊料（3）与陶瓷环（2）的内环边缘及外环边缘留有余地。
4.根据权利要求2所述的一种防止焊料中银离子迁移的陶瓷封装结构，其特征在于：所述多层焊料（3）中的第一焊料（3.1）为银铜焊料。
5.根据权利要求1所述的一种防止焊料中银离子迁移的陶瓷封装结构，其特征在于：所述多层焊料（3）中的第二焊料（3.2）为镍材、镍合金。
6.根据权利要求1所述的一种防止焊料中银离子迁移的陶瓷封装结构，其特征在于：所述铜墙（1.1）、凹槽（2.1）及锁胶槽（1.2）为环形。
7.根据权利要求1所述的一种防止焊料中银离子迁移的陶瓷封装结构，其特征在于：所述管脚（4）与陶瓷环（2）之间多层焊料（3）的顺序与基岛（1）和陶瓷环（2）之间多层焊料（3）的顺序相反。