一种快恢复二极管的制作方法

本申请涉及二极管领域，尤其涉及一种快恢复二极管。

背景技术：

快恢复二极管是一种具有开关特性好、反向恢复时间短的半导体二极管，可以作为输出整流二极管、吸收二极管等单独使用，也可以作为续流二极管与绝缘栅双极型晶体管配套使用。快恢复二极管的反向恢复时间即电流通过零点由正向转换成反向、再由反向转换到规定低值的时间间隔，一般在几百纳秒以下，反向恢复时间是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。

快恢复二极管在生产过程中需要焊接封装，封装方式包括塑料封装、金属壳封装以及导线焊接封装等。其中，导线焊接封装方式中，需要使用导线连接芯片和引脚，将导线的两端分别与芯片和引脚焊接。

但是，当需要封装大功率的快恢复二极管时，由于导线与芯片的接触面积小，需要在芯片上连接多条导线，并多次焊接导线和芯片，导致导通电阻大、发热大以及热传导慢的问题。

技术实现要素：

本申请提供了快恢复二极管，以解决当需要封装大功率的快恢复二极管时，由于导线与芯片的接触面积小，需要在芯片上连接多条导线，并多次焊接导线和芯片，导致导通电阻大、发热大以及热传导慢的问题。

第一方面，本申请提供了一种快恢复二极管，包括：框架本体、设置在所述框架本体上的至少一个芯片、带状导体和引脚，其中：

所述带状导体与所述芯片和引脚对应设置，所述带状导体的两端的焊接面分别与所述芯片和所述引脚焊接，且所述焊接面设置在所述带状导体两端与所述芯片和引脚接触面积较大的侧面。

优选地，所述带状导体设置为长方体结构。

优选地，所述带状导体的中间设置为圆柱形结构、两端设置为长方体结构。

优选地，所述带状导体设置为铜或铝结构。

优选地，所述框架本体包括依次设置的碳化硅衬底、介电材料层和耐火金属层。

优选地，所述框架本体的表面还设置保护膜。

本申请提供的快恢复二极管，利用焊接面积较大的带状导体替代导线导通芯片和引脚，减少大功率快恢复二极管中使用导线导通芯片和引脚时的焊接次数，降低导通电阻和发热，加快热传导。

附图说明

为了更清楚地说明本申请的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请提供的一种快恢复二极管结构示意图；

图2为本申请的一种带状导体结构示意图；

图中符号表示：

1-框架本体，2-芯片，3-带状导体，4-引脚。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本实用新型相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本实用新型的一些方面相一致的装置和方法的例子。

参见图1，为本申请提供的一种快恢复二极管结构示意图。

如图1所示，快恢复二极管包括框架本体1、芯片2、带状导体3和引脚4，其中，框架本体1包括外壳和带有腔体的底板，在腔体内设置芯片2，本申请提供的快恢复二极管包括两个引脚4，因此，在腔体内设置两个芯片2。

带状导体3设置为长方体结构，带状导体3的两端设置焊接面，焊接面设置在带状导体3两端的侧面上，并且设置在带状导体3面积较大的侧面，从而增大焊接面的面积。带状导体3两端的焊接面分别与芯片2和引脚4焊接。带状导体3与两个芯片2焊接的位置对应，距离芯片2的中心位置相同。

框架本体1包括碳化硅衬底，在碳化硅衬底上设置介电材料层和耐火金属层，另外，为了保护快恢复二极管，并且提高防水和耐火性能，在框架本体1的表面设置保护膜。

参见图2，为本申请提供的一种带状导体3结构示意图。

如图2所示，带状导体3的中间设置为圆柱形结构，两端设置为长方体结构，两端的长方体结构上设置焊接面，方便与芯片2和引脚4的焊接，增大焊接面积，并减少多个导线的焊接次数。中间的圆柱形结构减少发热。带状导体3设置为铜或铝结构，或者合金材料制成的带状结构。

在生产过程中可根据快恢复二极管的功率改变带状导体3的大小，从而改变焊接面的面积，避免大功率快恢复二极管中需要在芯片2与引脚4之间连接多条导线以增大快恢复二极管的功率，并且，在芯片2与引脚4之间焊接多条导线的操作繁复。本申请提供的快恢复二极管，通过带状导体3的方式导通芯片2与引脚4，降低了导通电阻和发热，加快热传导，在大功率快恢复二极管中减少了焊接次数。

应当理解的是，本实用新型并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本实用新型的范围仅由所附的权利要求来限制。