1.一种快恢复二极管，其特征在于，包括框架本体(1)、设置在所述框架本体(1)上的至少一个芯片(2)、带状导体(3)和引脚(4)，其中：
所述带状导体与所述芯片(2)和引脚(4)对应设置，所述带状导体(3)的两端的焊接面分别与所述芯片(2)和所述引脚(4)焊接，且所述焊接面设置在所述带状导体(3)两端与所述芯片(2)和引脚(4)接触面积较大的侧面。
2.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述带状导体(3)设置为长方体结构。
3.根据权利要求2所述的快恢复二极管，其特征在于，所述带状导体(3)的中间设置为圆柱形结构、两端设置为长方体结构。
4.根据权利要求2所述的快恢复二极管，其特征在于，所述带状导体(3)设置为铜或铝结构。
5.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述框架本体(1)包括依次设置的碳化硅衬底、介电材料层和耐火金属层。
6.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述框架本体(1)的表面还设置保护膜。