1.一种N+P-结构快恢复二极管芯片，其特征在于它包括位于底部的阳极金属（1），在所述阳极金属（1）的正面设有半导体硅片P+衬底层（2），在所述半导体硅片P+衬底层（2）的正面形成有P-外延层（3），在所述P-外延层（3）的正面边缘掺入杂质硼形成P+沟道截止环（4），在所述P-外延层（3）的中部掺入杂质磷形成N+阴极区（6），在所述P-外延层（3）的正面通过高温氧化生长一层厚度的氧化层（5），在所述N+阴极区（6）的正面通过蒸发或溅射的方式淀积一层一定厚度的阴极电极金属形成阴极电极（7），所述阴极电极（7）与N+阴极区（6）直接接触。
2.根据权利要求1所述的一种N+P-结构快恢复二极管芯片，其特征在于所述半导体硅片P+衬底层（2）的厚度为300-530μm，导电率≤0.02Ω.cm。
3.根据权利要求1所述的一种N+P-结构快恢复二极管芯片，其特征在于所述P-外延层（3）的厚度为25-150um左右，电阻率为10-100Ω.cm。
4.根据权利要求1所述的一种N+P-结构快恢复二极管芯片，其特征在于所述P+沟道截止环（4）的深度为2μm-10μm。
5.根据权利要求1所述的一种N+P-结构快恢复二极管芯片，其特征在于所述N+阴极区（6）的深度为5μm-60μm。