技术总结
本实用新型涉及一种N+P‑结构快恢复二极管芯片，它包括位于底部的阳极金属，在所述阳极金属的正面设有半导体硅片P+衬底层，在所述半导体硅片P+衬底层的正面形成有P‑外延层，在所述P‑外延层的正面边缘掺入杂质硼形成P+沟道截止环，在所述P‑外延层的中部掺入杂质磷形成N+阴极区，在所述P‑外延层的正面通过高温氧化生长一层厚度的氧化层，在所述N+阴极区的正面通过蒸发或溅射的方式淀积一层一定厚度的阴极电极金属形成阴极电极，所述阴极电极与N+阴极区直接接触。本实用新型实现共阳极应用，丰富了快恢复二极管芯片市场，满足了整机应用要求，降低了加工成本，弥补了N+P‑结构快恢复二极管芯片空白；同时还为整机设计提供了全新的思路。
技术研发人员：朱瑞;焦丹钧;陈坤伍;潘伟;吕帮贵
受保护的技术使用者：江阴新顺微电子有限公司
文档号码：201720256877
技术研发日：2017.03.16
技术公布日：2017.11.03