技术总结
本实用新型涉及一种VDMOS器件截止环结构，它包括作为衬底的高阻掺杂区；在高阻掺杂区上形成有Field氧化层；在Field氧化层上刻蚀形成AA窗口；在AA窗口区域内的高阻掺杂区上形成Gate氧化层；在Gate氧化层上覆盖有GatePoly层，GatePoly层的左侧延伸到AA窗口左侧Field氧化层上，GatePoly层的右侧只覆盖AA窗口一部分；AA窗口未覆盖Poly的区域形成与高阻掺杂区相反掺杂类型的Body掺杂区；在Body掺杂区上形成与其相反掺杂类型的Source掺杂区；在Field氧化层及Poly表面上覆盖有BPSG+USG；在GatePoly层及Source掺杂区上刻蚀氧化层形成Cont孔；在Cont孔上覆盖Metal层，并且Metal层左侧延伸到Field氧化层上。本实用新型的截止环结构不需要任何额外的工艺流程，避免了常规截止环结构需要增加一次光刻工艺才能实现的弊端。
技术研发人员：陈晓伦;徐永斌;沈晓东;许柏松;叶新民
受保护的技术使用者：江阴新顺微电子有限公司
文档号码：201720257293
技术研发日：2017.03.16
技术公布日：2017.11.03