一种可提高使用寿命的SiC涂层石墨基座的制作方法

本实用新型涉及石墨基座技术领域，具体涉及一种可提高使用寿命的SiC涂层石墨基座。

背景技术：

目前，随着LED产业迅猛发展,其上游环节的LED外延片的技术和市场也发展迅速,其产能快速提升，技术水平不断进步。LED外延片是指在一块加热至适当温度的衬底基片上所生长出的特定单晶薄膜，其是半导体照明产业技术含量最高、对最终产品品质、成本控制影响最大的环节。蓝绿光LED用于氮化镓研究的衬底结构比较多，但是能用于生产的衬底结构只有三种，即蓝宝石Al₂O₃、硅衬底和碳化硅SiC衬底。承载衬底的基座需要满足以下要求：耐高温、热传导率均匀、耐腐蚀、具有较强的抗热应力能力，故该基座一般都采用石墨基座。石墨基座具有很多个POCKET(口袋)，用于放置衬底。蓝绿光外延气氛含有氨气，会对石墨腐蚀，故需要使用带有SiC涂层的石墨基座。

现有的SiC涂层石墨基座的膜厚一般在80-120um之间，比较薄，基盘在旋转的过程中，衬底会对POCKET的边缘撞击，易出现针孔，针孔一出现，氨气就会腐蚀石墨，最终产生大洞，造成基座报废。

公开号为CN101775590A，名称为“一种具有保护涂层的石墨基座及其制备方法”的中国发明专利文献公开了一种具有保护涂层的石墨基座及其制备方法，其包括具有保护涂层的石墨基座，包括石墨基座基体表面外渗透有初级SiC涂层，在初级SiC涂层外沉积有一层二级SiC涂层。其同样存在衬底会对口袋的边缘撞击，导致出现针孔，使得氨气就会腐蚀石墨，最终产生大洞，造成基座报废的问题。

公开号为CN203760506U，名称为“一种提高整体波长均匀性的石墨基座”的中国实用新型专利文献公开了一种提高整体波长均匀性的石墨基座，包括基座体和多个口袋，口袋内有台阶；多个口袋的台阶高度不同。其虽然可以提高蓝宝石温度的均匀性，但是其却同样存在衬底会对口袋的边缘撞击，导致出现针孔，使得氨气就会腐蚀石墨，最终产生大洞，造成基座报废的问题。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种可提高使用寿命的SiC涂层石墨基座，用以解决现有的石墨基座所存在的衬底会对口袋的边缘撞击，导致出现针孔，使得氨气就会腐蚀石墨，最终产生大洞，造成基座报废的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供一种可提高使用寿命的SiC涂层石墨基座。具体地，该石墨基座包括如下结构：

所述可提高使用寿命的SiC涂层石墨基座，包括石墨基座盘面，石墨基座盘面上设置有至少两个口袋，口袋分别设置有Tab(台阶)，Tab上分别设置有侧壁Wafer(衬底)支撑点，侧壁Wafer支撑点的位置分别与Tab的位置错开。

可选地，侧壁Wafer支撑点的接触角度≥10°。

可选地，侧壁Wafer支撑点的接触角度为15°。

可选地，石墨基座盘面设置为圆形。

可选地，口袋设置为圆形。

可选地，口袋设置为圆形槽状。

可选地，口袋均匀对称分布。

可选地，口袋的中心点位于同一个圆周上。

可选地，口袋的中心点所在的圆周与石墨基座盘面的圆心相重合。

可选地，口袋的直径为2英寸或4英寸。

本实用新型方法具有如下优点：

本实用新型的可提高使用寿命的SiC涂层石墨基座，能够解决现有的石墨基座所存在的衬底会对口袋的边缘撞击，导致出现针孔，使得氨气就会腐蚀石墨，最终产生大洞，造成基座报废的问题，其改善口袋的边缘，加大侧壁Wafer支撑点的接触面积，加强边缘的强度，能够有效的提供SiC涂层基座的寿命，适用于所有用于蓝绿光LED外延片外延生长的MOCVD反应室，提高蓝、绿光外延片的产量。

附图说明

图1是现有技术的可提高使用寿命的SiC涂层石墨基座的口袋的俯视示意图。

图2是本实用新型的可提高使用寿命的SiC涂层石墨基座的口袋的俯视示意图。

图3是本实用新型的可提高使用寿命的SiC涂层石墨基座的俯视示意图。

图中，1为石墨基座盘面，2为口袋，3为Tab，4为侧壁Wafer支撑点。

具体实施方式

以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。

实施例1

一种可提高使用寿命的SiC涂层石墨基座，参见图3，包括石墨基座盘面1，石墨基座盘面1上设置有至少两个口袋2，参见图1和图2，口袋2分别设置有Tab 3，Tab 3上分别设置有侧壁Wafer支撑点4，侧壁Wafer支撑点4的位置分别与Tab 3的位置错开。

可见，本实施例的可提高使用寿命的SiC涂层石墨基座，石墨基座盘面1起到支撑和热传导的作用，从而使衬底均匀的受热，其口袋2用于放置衬底的作用，参见图2，其Tab 3上的侧壁Wafer支撑点4与Tab 3错开，加大侧壁Wafer支撑点4的接触面积，加强口袋2边缘的强度有效的提供SiC涂层石墨基座的寿命，有效的提高蓝、绿外延片的产量。

实施例2

一种可提高使用寿命的SiC涂层石墨基座，与实施例1相似，所不同的是，侧壁Wafer支撑点4的接触角度≥10°。优选的，侧壁Wafer支撑点4的接触角度为15°。这样，能够进一步加大侧壁Wafer支撑点4的接触面积，加强口袋2边缘的强度。

实施例3

一种可提高使用寿命的SiC涂层石墨基座，与实施例2相似，所不同的是，石墨基座盘面1设置为圆形。优选的，口袋2设置为圆形。优选的，口袋2设置为圆形槽状。

实施例4

一种可提高使用寿命的SiC涂层石墨基座，与实施例3相似，所不同的是，口袋2均匀对称分布。优选的，袋2的中心点位于同一个圆周上。优选的，至口袋2的中心点所在的圆周与石墨基座盘面1的圆心相重合。

实施例5

一种可提高使用寿命的SiC涂层石墨基座，与实施例4相似，所不同的是，口袋2的直径为2英寸或4英寸。

本实用新型的可提高使用寿命的SiC涂层石墨基座，Tab为台阶，Wafer为衬底，Tab 3的内侧可以是圆弧形面，其两侧可以为平面，侧壁Wafer支撑点4可以是长条形的环状。

虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施例对本实用新型作了详尽的描述，但在本实用新型基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本实用新型精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本实用新型要求保护的范围。