基于扁平线圈的工字型高频电感器的制作方法

本实用新型涉及一种电感器，具体的说是涉及一种基于扁平线圈的工字型高频电感器。

背景技术：

随着电源设计逐步的功率密集化，要求更小的体积输出更大的功率，目前市面上主流的高频电感器，受制于产品结构和磁性材料的性能。应用频率高的电感器通流能力较弱，通流能力强的电感器应用频率低。此外，传统的工字型电感器采用普通圆铜线绕制，圆铜线的窗口利用率较低，再者传统工字型电感器采用烫锡工艺，在烫锡作业时，为去除圆铜线表面的漆皮，需要更高的烫锡温度，热量作用在漆包圆铜线上，容易导致线材表面绝缘层的熔损，出现短路问题。

技术实现要素：

针对上述现有技术的不足，本实用新型的目的是提供一种基于扁平线圈的工字型高频电感器，以实现同体积下更强的通流能力和更高的应用频率。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种基于扁平线圈的工字型高频电感器，它由一个T形磁芯、一个I形磁芯及一个线圈形成的绕组构成；所述T形磁芯的上部设有圆片状的磁芯顶，在T形磁芯的下部设有圆棒状的磁芯杆；所述I形磁芯其整体呈正方片状，在I形磁芯的下表面上设有两个相同的且经过镍底焙银处理的焊盘；所述线圈由扁平漆包线绕制成，线圈整体绕制成型后再与磁芯粘接在一起，在线圈上设有线圈主体部分和线圈引线部分，其线圈引线部分与I形磁芯上的焊盘焊接，其线圈主体部分位于I形磁芯的上面，其磁芯顶位于线圈主体部分上方，其磁芯杆位于线圈主体部分内部。

优选的，所述线圈主体部分上漆包线的横截面与线圈引线部分上引线的横截面相同。

进一步，所述I形磁芯的一侧边上还设有两个宽度相同的缺槽，其缺槽的宽度大于扁平漆包线的宽度，线圈引线部分通过缺槽与焊盘焊接。

进一步，所述磁芯顶的直径小于I形磁芯的边长。

进一步，所述磁芯杆的长度小于线圈主体部分的高度。

在实际工作的过程中，根据法拉第定律，以及软磁材料的相关技术，磁通在磁芯中形成回路，实现电感器的功能。

采用本技术方案的工字型高频电感器较之传统的高频电感器，具有以下明显的优势：

1、更高的窗口利用率，获取更优异的通流能力：传统的高频电感器采用普通圆铜线绕制，圆铜线的窗口利用率低于扁平铜线，4股0.4mm漆包线所占的工艺窗口比0.4*1.2mm扁平多了33%；

2、短路隐患明显降低：传统的高频电感器采用烫锡工艺，在烫锡作业时，为去除圆铜线表面的漆皮，需要更高的烫锡温度，热量作用在漆包圆铜线上，容易导致线材表面绝缘层的熔损，出现短路问题，而使用扁平漆包线线圈，通过刀具剥除线圈焊接位置的漆膜后在进行焊接，用较低的焊锡温度即可实现焊接效果；同时，因为去除漆皮的机理不同，扁平漆包线可以使用耐热性更高的绝缘材质；

3、结构强度更好：传统的高频电感器需要将铜线绕制在磁芯中柱上，当线径较粗时，磁芯中柱需要承受更大的应力，存在磁芯断裂的隐患，本工字型高频电感器是将线圈整体绕制成型后再与磁芯粘接在一起，可以有效规避应力导致的磁芯断裂；

4、更好的散热能力：传统的高频电感器的绕线需要在磁芯窗口中往复叠层绕制，导致内层线圈的散热条件更差，本工字型高频电感器将扁平铜线螺旋状绕制，每一匝线圈均可与外界空气接触，获取更优的散热条件。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型T形磁芯的结构示意图；

图3为本实用新型I形磁芯的结构示意图；

图4为本实用新型线圈的结构示意图；

图中标号：10、T形磁芯；11、磁芯顶；12、磁芯杆；20、I形磁芯；21、焊盘；22、缺槽；30、线圈；31、线圈主体部分；32、线圈引线部分。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型作进一步说明。

参见图1至图4，本实用新型的工字型高频电感器，它由一个T形磁芯10、一个I形磁芯20及一个线圈30形成的绕组构成；所述T形磁芯10的上部设有圆片状的磁芯顶11，在T形磁芯10的下部设有圆棒状的磁芯杆12；所述I形磁芯20其整体呈正方片状，在I形磁芯20的下表面上设有两个相同的且经过镍底焙银处理的焊盘21；所述线圈30由扁平漆包线绕制成，线圈30整体绕制成型后再与磁芯粘接在一起，在线圈30上设有线圈主体部分31和线圈引线部分32，其线圈引线部分32与I形磁芯20上的焊盘21焊接，其线圈主体部分31位于I形磁芯20的上面，其磁芯顶11位于线圈主体部分31上方，其磁芯杆12位于线圈主体部分31内部。所述线圈主体部分31上漆包线的横截面与线圈引线部分32上引线的横截面相同。所述I形磁芯20的一侧边上还设有两个宽度相同的缺槽22，其缺槽22的宽度大于扁平漆包线的宽度，线圈引线部分32通过缺槽22与焊盘21焊接。所述磁芯顶11的直径小于I形磁芯20的边长。所述磁芯杆12的长度小于线圈主体部分31的高度。

上述仅为本实用新型的一种实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改等同替换和改进，均应包含在本实用新型的保护范围之内。