一种内置连接半桥电路的封装装置的制作方法

本实用新型属于半导体框架技术领域，尤其是涉及一种内置连接半桥电路的封装装置。

背景技术：

随着电路设计的不断发展，逆变电路的用途越来越广泛，单相全桥逆变电路的用途尤为广泛，在诸多领域中实现了电能的转换，可以实现不同的电能转换目的。普通的单相全桥电路由4颗MOSFET或者4颗IGBT组成，每个全桥电路包括两组由2只MOSFET或者2只IGBT组成的半桥电路。

但是独立安装4颗MOSFET，需要12个引脚焊接点和4个管体的空间，这样大大浪费了电路板有限的空间，而且增加的引脚焊接点同时也增加了虚焊、脱焊的风险，对产品的使用可靠性带来了不利影响。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于针对现有技术的缺陷和不足，提供一种结构简单，设计合理、使用方便的内置连接半桥电路的封装装置，

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：它包含塑封部分、第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚、第五引脚；其特征在于：所述塑封部分中设有互不电性连接的第一载芯板和第二载芯板，其中第一载芯板下端与第二引脚相连接，第二载芯板四周与第一载芯板相互间隔绝缘，第二载芯板下端与第三引脚相连接，所述的第一载芯板上焊接有上桥MOSFET芯片；第二载芯板上焊接有下桥MOSFET芯片；所述第一引脚为上桥MOSFET的栅极，第二引脚为上桥MOSFET的漏极，第三引脚既是上桥MOSFET的源极，也是下桥MOSFET的漏极，第四引脚是下桥MOSFET的栅极，第五引脚是下桥MOSFET的源极；同时第一引脚或第二引脚均与第三引脚无电性连接。

作为优选，所述的所述第一载芯板顶端与塑封定位孔相连接，底端则与第二引脚相连接。

作为优选，所述的塑封部分的宽度为15.5mm，长度为20.5mm。

作为优选，所述的第一载芯板面积与第二载芯板面积之和不大于TO-247封装框架的面积，且第二载芯板的面积可调。

作为优选，所述的第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚、第五引脚伸出塑封部分的长度大于1.0cm，引脚宽度都大于1.0mm。

作为优选，所述第二引脚与第三引脚的间距大于1mm。

采用上述结构后，本实用新型有益效果为：与以往的框架规格相对比，通过第二载芯板中间的陶瓷片，将第一载芯板与第二载芯板隔绝，可以内置封装半桥电路。不仅大大节省了电路板的空间，并且减少了引脚焊接点，同时也减少了虚焊、脱焊的风险，有效的增加了产品使用的可靠性，其易于塑封、存放。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型的结构示意图。

图2是本实用新型的框架示意图.

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型作进一步的说明。

参看如图1所示，本具体实施方式采用如下技术方案：它包括塑封部分1、第一引脚21、第二引脚22，第三引脚23、第四引脚24、第五引脚25。所述塑封部分1中设有互不电性连接的第一载芯板31和第二载芯板32，第一载芯板31顶端与塑封定位孔41相连接，下端与第二引脚22相连接，第二载芯板32四周与第一载芯板31完全隔开，即第一载芯板31和第二载芯板32分离式隔离，而且第二载芯板32位于第一载芯板31之外。第二载芯板32下端与第三引脚23相连接，第一引脚21和第二引脚22与第一载芯板31和第三引脚23都无连接。

塑封部分1体积与目前通用TO-247塑封部分体积保持一致，宽度为15.5mm，长度为20.5mm，故封装产线设备不需要针对此框架进行改进。

两个载芯板31、32总面积不大于目前通用使用的TO-247封装框架的面积，第一载芯板31和第二载芯板32的面积比例可根据实际需要封装的芯片进行调整。第一载芯板31与第二载芯板32相邻的边界处间距不小于0.5mm。此间距宽度可以最大限度的增加两个分立载芯板31、32的面积，且该间距也不会因两个载芯板31、32距离过近而导致塑封后的第一、二载芯板31、32间缺胶、针孔异常。

第一载芯板31与第三引脚23、第二载芯板32与第四引脚24的连接处宽度与引脚宽度保持一致，均要求大于1mm。这样一来不会影响引脚与载芯板的结合强度，另外缩小后的弯折部位也不会对塑封时的树脂体流动产生阻塞作用。

如图2所示，在该框架塑封前，框架5与所有引脚相连接。首先在第一载芯板31进行上桥MOSFET芯片61的焊接，在第二载芯板32上进行下桥MOSFET芯片62的焊接，然后将第一载芯板31中的MOSFET芯片62的栅极与第一引脚21用金属导线一71连接，将第一载芯板31中MOSFET芯片的源极与第三引脚23用金属导线二72连接。将第二载芯板32中的MOSFET芯片的栅极与第四引脚24用金属导线三73连接，将第二载芯板32中的MOSFET芯片的源极与第五引脚25用金属导线四74连接。对图中所示的塑封区域1进行塑封，形成一个塑封部分1，在完成塑封部分1后，将框架5切除，这样便在第一引脚21、第二引脚22，第三引脚23、第四引脚24、第五引脚25形成了半桥电路的引脚，第一引脚为上桥MOSFET的栅极，第二引脚为上桥MOSFET的漏极，第三引脚既是上桥MOSFET的源极，也是下桥MOSFET的漏极，第四引脚时下桥MOSFET的栅极，第五引脚是下桥MOSFET的源极。

本具体实施方式有益效果：与以往的框架规格相对比，通过第二载芯板中间的陶瓷片，将第一载芯板与第二载芯板隔绝，可以内置封装半桥电路。不仅大大节省了电路板的空间，并且减少了引脚焊接点，同时也减少了虚焊、脱焊的风险，有效的增加了产品使用的可靠性，其易于塑封、存放。

当然，本文中所指出的MOSFET形成半桥电路的内置封装仅为本实用新型较佳实施方式，并非以此限定本实用新型的使用范围，故包括

IGBT/MOSFET/三极管等开关器件形成半桥电路的内置连接封装均属于类似改进，都属于在本实用新型原理上做等效改变，均应包含在本实用新型的保护范围内。

当然本文中所指出的TO-247封装仅为本实用新型较佳的实施方式，并非以此限定本使用新型的使用范围，故，包括TO-220，TO-3P,TO-264等封装外形改进形成半桥电路的内置连接封装的框架结构均属于类似改进，都属于本使用新型原理上做等效改变，凡根据本实用新型主要技术方案的精神实质所做的等效变换或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。