一种半导体晶圆清洗装置的制作方法

本实用新型涉及半导体晶圆清洗技术领域，具体为一种半导体晶圆清洗装置。

背景技术：

晶圆(Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆，晶圆加工过程中，需根据需要去除晶圆表面的有机物，颗粒、金属杂质、自然氧化层等污染物，且不破坏晶片表面特性；如晶圆电镀后，需对晶圆进行清洗以去除晶圆表面残留的电镀液，避免电镀液对晶圆产生影响，降低晶圆品质，同时也避免电镀液对下一道工序产生污染，在CMP工艺后，需要对晶圆进行清洗，现有的晶圆清洗设备在清洗晶圆时会二次污染晶圆，同时半导体晶圆片薄量大，如果不能流水化清洗势必造成清洗成本高居不下，因此，一是要克服现有的晶圆清洗设备存在清洗效果差的缺陷，容易二次污染的问题，二是要克服清洗成本居高不下的问题。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题是提供一种半导体晶圆清洗装置。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供的技术方案为：一种半导体晶圆清洗装置，包括传送带，所述传送带设置成左高右低，且所述传送带自右向左移动，所述传送带的右端连接有液体容器，且在液体容器的中部安装有过滤网，所述过滤网的下方安装有水泵，所述传送带的上方横跨有固定架，且在固定架的中部安装有喷头，所述喷头和所述水泵之间连接有高压软管，同时在固定架上端的两个拐角处安装有光源，所述喷头的下方设有光源感应器。

作为本实用新型的优选技术方案：所述过滤网与所述液体容器为卡槽式连接，且所述过滤网与所述液体容器为两个独立的个体。

作为本实用新型的优选技术方案：所述传送带的颜色为黑色。

作为本实用新型的优选技术方案：所述光源的调节角度0～90度。

作为本实用新型的优选技术方案：所述传送带的中心线与所述喷头的轴线相互垂直。

作为本实用新型的优选技术方案：所述光源感应器采用光电元件检测元件的传感器。

采用技术方案，本实用新型的有益效果为：由于设置传送带，从而使得该装置可以流水化清洗，进而解决了清洗成本居高不下的问题；由于设置的液体容器可以回收清洗后的液体，从而使得清洗液可以循环利用，同时设置过滤网可以过滤掉清洗后的杂质，进而保证清洗液干净和循环利用，避免了半导体晶圆的二次污染，也降低了清洗液的使用成本，也保护了环境，另外传送带设置成左高右低，且所述传送带自右向左移动，半导体晶圆由低处向高处移动，正好与水流方向相反，从而使得清洗后的半导体晶圆不会被污水二次污染，同时设置的光源，将光亮照射在半导体晶圆上，此时光源感应器感应反射后的光照强度，并根据光照强度控制喷头向有亮度的地方高速喷水，进行半导体晶圆冲洗，进而实现了自动追踪自动清洗的功能，进一步的适应流水线生产，降低半导体晶圆的清洗成本，因此本实用新型具有环保节能，自动化程度高，流水线作业，低成本等诸多优点，进而解决了半导体晶圆二次污染和清洗成本高的问题。

附图说明

图1为本实用新型整体外观图；

图2为本实用新型内部示意图。

图中，1-高压软管，2-固定架，3-光源，4-传送带，5-液体容器，6-过滤网，7-水泵，8-喷头，9-光源感应器。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本实用新型，但并不构成对本实用新型的限定。此外，下面所描述的本实用新型各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。

实施例

请参阅图1和图2，本实用新型提供一种技术方案：一种半导体晶圆清洗装置，包括传送带4，所述传送带4设置成左高右低，且所述传送带4自右向左移动与水流方向相反，进而保证了清洗后的清洗液不会流到清洗过的半导体晶圆上面，避免了半导体晶圆的二次污染，提高清洗效果降低重复清洗率，所述传送带4的右端连接有液体容器5，且在液体容器5的中部安装有过滤网6，由于所述过滤网6与所述液体容器5为卡槽式连接，且所述过滤网6与所述液体容器5为两个独立的个体，从而使得过滤网6安装和更换方便，同时也便于安装不同目数的过滤网6，保证清洗液回流后杂质被彻底过滤，保证清洗液干净，避免了清洗液再次利用时对半导体晶圆的污染，所述过滤网6的下方安装有水泵7，由于水泵7采用WKY系列微型水泵，工作可靠，适应频繁启动，所述传送带4的上方横跨有固定架2，且在固定架2的中部安装有喷头8，所述喷头8和所述水泵7之间连接有高压软管1，同时在固定架2上端的两个拐角处安装有光源3，且所述光源3的调节角度范围在0～90度，从而使得光源3能够完全准确对准半导体晶圆上，所述喷头8的下方设有光源感应器9，由于传送带4为黑色，从而使得半导体晶圆在光源3的照射下更加明显，便于光源感应器9准确追踪光源3的位置，进而便于喷头8能够准确对准半导体晶圆的圆面清洗，由于传送带4的中心线与所述喷头8的轴线相互垂直，从而使得喷头8喷出的清洗液能够完全覆盖半导体晶圆圆面，进一步的保证了清洗彻底。

本实用新型的工作原理是：使用时，首先将需要清洗的半导体晶圆放置在传送带4的正中间，调试设备；

第二步，调试完成后，依次放入半导体晶圆，当半导体晶圆接近喷头8时，此时光源感应器9根据检测的光亮的强度，启动水泵7；

第三步，水泵7通过喷头8将清洗液喷向半导体晶圆，持续十秒；

第四步，十秒后，传送带4移动将下一个需要清洗的半导体晶圆送至喷头8下；

最后，取下清洗后的半导体晶圆，干燥储存。

以上结合附图对本实用新型的实施方式作了详细说明，但本实用新型不限于所描述的实施方式。对于本领域的技术人员而言，在不脱离本实用新型原理和精神的情况下，对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型，仍落入本实用新型的保护范围内涉及寻边器技术领域。