一种高CTM高并阻高效光伏组件的制作方法

文档序号:14351131阅读:1618来源:国知局
一种高CTM高并阻高效光伏组件的制作方法

本实用新型涉及太阳能电池组件封装技术领域,特别是涉及一种高CTM高并阻高效光伏组件。



背景技术:

太阳能作为绿色清洁能源,且取之不尽用之不竭,已经在能源领域取得广泛应用,是最具发展潜力的、也是替代传统化石能源的最佳能源之一。随着太阳能光伏产品的广泛应用,人们对光伏组件的产品性能也是越来越重视,经过广泛的研究发现,提高组件CTM以及提高组件并联电阻对组件的功率提升有非常重要的作用。

以往大家对于并联电阻的组件功率损失的影响不够重视,通常认为影响非常微小。如今,由于组件封装技术的白日化竞争,大家对组件CTM提升已经非常重视,随着太阳能电池转换效率纪录的不断刷新以及太阳能电池组件封装技术的发展,即便细微的影响也显得非常重要。因此,提高组件并联电阻对于组件CTM的提升有着十分重要的意义。



技术实现要素:

本实用新型针对上述技术问题,克服现有技术的缺点,提供一种高CTM高并阻高效光伏组件,降低了组件功率损耗,提升了组件CTM,同时提高了组件光电转换效率,提高了组件功率。

为了解决以上技术问题,本实用新型提供一种高CTM高并阻高效光伏组件,包括层压件和铝边框,铝边框封装在层压件的四周,层压件包括从受光面向下依次设置的钢化玻璃、高透热熔胶膜、太阳能电池片、UV截止热熔胶膜和背板,太阳能电池片包括若干呈矩阵排列的五主栅线多晶黑硅PERC电池片,多晶黑硅PERC电池片的主栅线之间设有连接的焊带,焊带表面设有反光贴膜,反光贴膜位于太阳能电池片与高透热熔胶膜之间,背板底部设有接线盒。

技术效果:本实用新型设计的光伏组件通过高效多晶黑硅PERC五主栅电池片,并搭配反光贴膜、高透热熔胶膜以及UV截止热熔胶膜,从而实现降低串联电阻的目的,提高对太阳光的折射吸收,从而达到提高光伏组件的转换效率的作用。

本实用新型进一步限定的技术方案是:

进一步的,层压件与铝边框的连接处设有密封层。

前所述的一种高CTM高并阻高效光伏组件,太阳能电池片包括引出线端,引出线端设有绝缘条,绝缘条位于高透热熔胶膜与太阳能电池片之间。

前所述的一种高CTM高并阻高效光伏组件,铝边框包括夹持槽、底部支撑以及角码,夹持槽为矩形且位于侧面,夹持槽设有矩形开口,夹持槽下方具有中空结构,角码设于中空结构部分且连接夹持槽和底部支撑。

本实用新型的有益效果是:

(1)本实用新型通过使用五主栅高效多晶黑硅PERC电池片,提升了光伏组件的功率;

(2)本实用新型通过搭配使用反光贴膜,使焊带表面的折射光达到电池表面,从而提高了对光的利用率;

(3)本实用新型通过高UV截止热熔胶膜,增强了光反射,降低了功率损耗,提高了组件的输出功率和光电转换效率。

附图说明

图1为本实施例的俯视图;

图2为本实施例的纵向剖视图;

其中:1、层压件;2、铝边框;201、夹持槽;202、底部支撑;203、角码;3、密封层;4、接线盒;5、钢化玻璃;6、高透热熔胶膜;7、太阳能电池片;8、UV截止热熔胶膜;9、背板;10、反光贴膜。

具体实施方式

本实施例提供的一种高CTM高并阻高效光伏组件,结构如图1-2所示。

该高CTM高并阻高效光伏组件包括层压件1和铝边框2,铝边框2封装在层压件1的四周,层压件1与铝边框2的连接处设有单组份硅胶构成的密封层3。

铝边框2包括夹持槽201、底部支撑202以及角码203。夹持槽201为矩形且位于侧面,夹持槽201设有矩形开口,层压件1的四周插接在铝边框2侧面的夹持槽201内。夹持槽201下方具有中空结构,角码203设于中空结构部分且连接夹持槽201和底部支撑202,将层压件1连接为一体。

层压件1包括从受光面向下依次设置的钢化玻璃5、高透热熔胶膜6、太阳能电池片7、UV截止热熔胶膜8和含氟抗紫外线的背板9,背板9底部设有接线盒4。钢化玻璃5表面设有高透低铁镀膜。高透热熔胶膜6采用高透EVA胶膜制成,UV截止热熔胶膜8采用白色EVA胶膜制成。太阳能电池片7包括若干呈矩阵排列的五主栅线多晶黑硅PERC电池片。多晶黑硅PERC电池片正面的主栅线之间设有连接的、收集电流的焊带,焊带表面设有反光贴膜10,反光贴膜10位于太阳能电池片7与高透热熔胶膜6之间。太阳能电池片7包括引出线端,引出线端通过EVA分别粘接有聚酰亚胺薄膜制成的绝缘条,绝缘条位于高透热熔胶膜6与太阳能电池片7之间。

封装时,背板9覆盖在太阳能电池片7的上表面,钢化玻璃5覆盖在太阳能电池片7的下表面。

本实用新型通过新型材料搭配,使光伏组件的并联电阻提高,同时增加了折射和反射到电池片表面的太阳光,降低了光伏组件的功率损耗,提高了组件的CTM,最终实现提高组件的输出功率和光电转换效率。

除上述实施例外,本实用新型还可以有其他实施方式;凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案,均落在本实用新型要求的保护范围。

当前第1页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1