一种新型雪崩二级管光电探测器的制作方法

技术特征：

1.一种新型雪崩二级管光电探测器，其特征在于，包括由下往上依次层叠的N型电极、N型重掺杂层、单晶衬底、金属多功能层、InGaAs吸收层、P型重掺杂InGaAs层和P型电极。

2.根据权利要求1所述的新型雪崩二级管光电探测器，其特征在于，所述N型重掺杂层是通过对单晶衬底的背面进行离子注入掺杂实现的。

3.根据权利要求1所述的新型雪崩二级管光电探测器，其特征在于，所述单晶衬底的材料是Si、InP或InAlAs。

4.根据权利要求1所述的新型雪崩二级管光电探测器，其特征在于，所述金属多功能层的材料是Al、Ag、Au或Ni。

5.根据权利要求1所述的新型雪崩二级管光电探测器，其特征在于，所述N型电极、N型重掺杂层、单晶衬底、金属多功能层、InGaAs吸收层和P型重掺杂InGaAs层的周向轮廓相等。

6.根据权利要求1所述的新型雪崩二级管光电探测器，其特征在于，所述金属多功能层的厚度是10-200nm，InGaAs吸收层的厚度是1500-3000nm，P型重掺杂InGaAs层的厚度是150-300nm。