一种基于光子晶体的垂直结构LED芯片的制作方法

技术特征：

1.一种基于光子晶体的垂直结构LED芯片，其特征在于，包括由下至上依次排列的Si或者Cu衬底层(11)、Al单晶金属薄膜层(12)、p－GaN薄膜层(13)、i－AlN薄膜层(14)、n－ZnO层薄膜(15)和单晶光子晶体薄膜层(16)。

2.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述单晶光子晶体薄膜层(16)的材料为AlAg、AlAu、AlCu或者AlNi，其图案为规则排列的方形、圆形或者正多边形，其厚度为150－2000nm。

3.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述Al单晶金属薄膜层(12)厚度为150－2000nm。

4.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述p－GaN薄膜层(13)的厚度为150－3500nm，所述p－GaN薄膜层(13)还包括一层8－12nm的Ag纳米层(17)。

5.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述i－AlN薄膜层(14)厚度为2－30nm。

6.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述n－ZnO层薄膜(15)的厚度为150－500nm。