技术总结
本实用新型公开了一种基于光子晶体的垂直结构LED芯片，包括由下至上依次排列的Si或者Cu衬底层、Al单晶金属薄膜层、p－GaN薄膜层、i－AlN薄膜层、n－ZnO层薄膜和单晶光子晶体薄膜层，采用p型GaN/n型ZnO异质结构，具有热稳定性高、化学稳定性好、技术成熟等优点，采用光子晶体取代ITO发展垂直结构的LED芯片，简化了芯片结构和芯片制程工序，有利于提高LED器件的出光效率，改善器件内部电流分布均匀性，光电性能优异，有利于制备低成本、大功率光电器件。
技术研发人员：杨为家;吴质朴;何畏;陈强
受保护的技术使用者：江门市奥伦德光电有限公司;五邑大学
文档号码：201721381858
技术研发日：2017.10.24
技术公布日：2018.05.08