技术总结
本实用新型提供了一种二阶质子转移反应离子源装置，包括漂移管，其前端设有电离源区，漂移管内腔靠近电离源区的部分设有一阶质子转移反应区，一阶质子转移反应区的后侧与带偏转结构腔体的左侧进样口相连，带偏转结构腔体的下侧设有二阶质子转移反应区；一阶质子转移反应区的前侧设有伸入漂移管内腔的第一引入管，带偏转结构的腔体上侧设有分子泵；偏转结构的主体是由四个偏转电极组成，二阶质子转移反应区的上侧设有伸入漂移管内腔的第二引入管。本实用新型所述的二阶质子转移反应离子源装置，使得质子转移反应具有选择性，可以排除一些干扰离子的影响，并有效地区分同分异构化合物。
技术研发人员：褚美娟;孙运;张国辉;蒋学慧;汪曣
受保护的技术使用者：天津大学
技术研发日：2017.10.31
技术公布日：2018.08.31