技术特征：
技术总结
半导体装置(1)包括形成于半导体层的第一主面的表层部的沟槽栅极构造(6)。在沟槽栅极构造(6)的侧方，在半导体层的第一主面的表层部形成有源区(10)及阱区(11)。阱区(11)相对于源区(10)形成于半导体层的第二主面侧的区域。在阱区(11)中，在沿着沟槽栅极构造(6)的部分形成有沟道。在半导体层中，在沟槽栅极构造(6)及源区(10)之间的区域形成有叠层区域(22)。叠层区域(22)具有形成于半导体层的第一主面的表层部的p型杂质区域(20)及相对于第二导电型杂质区域(20)形成于半导体层的第二主面侧的n型杂质区域(21)。
技术研发人员：中川让;森诚悟;坂口拓生;明田正俊;中野佑纪
受保护的技术使用者：罗姆股份有限公司
技术研发日：2017.01.16
技术公布日：2018.08.31