1.一种半导体模块，其中，
该半导体模块具备：
半导体元件，该半导体元件具有表面电极；
接合线，该接合线具有与所述表面电极接合的接合部；
第1密封构件，该第1密封构件对所述接合部进行密封，并具有第1弹性率；以及
第2密封构件，该第2密封构件覆盖所述第1密封构件，并具有第2弹性率，
所述第1弹性率比所述第2弹性率高，
所述表面电极在所述接合部的周围具有凹部，
在所述凹部填充有所述第1密封构件。
2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，
所述凹部以在俯视时围绕所述接合部的方式形成。
3.根据权利要求2所述的半导体模块，其中，
所述凹部连续地形成。
4.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，
所述凹部具有开口、侧面和底，在俯视时，所述底或者所述侧面的至少一部分位于与所述开口相比远离所述接合部的位置。
5.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，
所述第1密封构件的电导率比所述第2密封构件的电导率高。
6.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，
所述第1密封构件的绝缘破坏强度比所述第2密封构件的绝缘破坏强度低。
7.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，
所述第1弹性率为70GPa以上。
8.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，
所述第2弹性率为30GPa以下。
9.一种半导体模块的制造方法，其中，
该半导体模块的制造方法具备：
将接合线与半导体元件的表面电极接合而形成接合部的工序；
利用具有第1弹性率的第1密封构件来对所述接合部进行密封的工序；以及
利用具有第2弹性率的第2密封构件来对所述第1密封构件进行密封的工序，
所述第1弹性率比所述第2弹性率高。
10.根据权利要求9所述的半导体模块的制造方法，其中，
该半导体模块的制造方法具备在所述接合部的周围形成凹部的工序。
11.根据权利要求10所述的半导体模块的制造方法，其中，
所述凹部通过向所述表面电极照射激光而形成。
12.根据权利要求10所述的半导体模块的制造方法，其中，
所述凹部具有开口部和底部，
所述底部位于在俯视时与所述开口部相比远离所述接合部的位置，
所述激光向所述表面电极倾斜地照射。