技术特征：
技术总结
本发明的等离子体蚀刻方法包含：沉积工序，将处理容器内设为包含第1处理气体和以稀有气体作为主成分的第2处理气体的气体环境而形成薄膜，上述第1处理气体包含含有氟原子和/或碳原子的至少一种的气体；以及蚀刻工序，将处理容器内设为至少包含第2处理气体的气体环境，对被处理基板进行等离子体蚀刻，对沉积工序和蚀刻工序进行切换并交替实施，并且在沉积工序中处理容器内的气体环境包含第1处理气体和第2处理气体的情况下，使该气体环境中含有以质量基准计为碳原子的2.4倍以上且3.1倍以下的氟原子。
技术研发人员：松浦豪
受保护的技术使用者：日本瑞翁株式会社
技术研发日：2017.03.08
技术公布日：2018.11.09