技术特征：
技术总结
半导体装置具备多个开关元件、和半导体基板。多个开关元件并联地连接而被驱动，多个开关元件形成于半导体基板。在半导体基板的平面视图下，多个开关元件分别具有：单元区域(111)，形成有被施加栅极电压的有源沟槽栅极(G1)，作为IGBT发挥功能；外周区域(112)，形成芯片外形；以及非单元区域(113)，形成为将单元区域和外周区域分离，设置有对向单元区域的电连接进行中继的焊盘(114)。在半导体基板的平面视图下，有源沟槽栅极在非单元区域中还形成在不与焊盘重叠的位置。
技术研发人员：河野宪司
受保护的技术使用者：株式会社电装
技术研发日：2017.06.29
技术公布日：2019.03.15