形成发光器件的P型层的方法与流程

技术特征：

技术总结
在根据本发明的实施例的方法中，生长了一种半导体结构，该半导体结构包括被设置在p型区和n型区之间的III族氮化物发光层。p型区被掩埋在半导体结构内。在半导体结构中形成沟槽。该沟槽暴露p型区。在形成沟槽之后，半导体结构被退火。

技术研发人员：I.维尔德森;E.C.尼尔森;P.德布
受保护的技术使用者：亮锐有限责任公司
技术研发日：2017.05.11
技术公布日：2019.04.26