技术特征：
技术总结
提供光器件晶片的加工方法，即使是莫氏硬度高的基板，也在分割后的器件芯片上形成倾斜面。该光器件晶片的加工方法沿着分割预定线将光器件晶片(W)分割成各个器件芯片(C)，构成为包含如下的步骤：对晶片基板照射吸收性波长的激光光线，在光器件晶片的背面上沿着分割预定线形成激光加工槽(12)；以及利用V形刀具(33)在背面上沿着激光加工槽形成V形槽(13)并使裂纹从激光加工槽向下方伸展而将光器件晶片分割成器件芯片，其中，激光加工槽形成得比V形刀具的切入深度浅。
技术研发人员：冈村卓
受保护的技术使用者：株式会社迪思科
技术研发日：2018.01.17
技术公布日：2018.08.28