技术特征：
技术总结
本发明提供一种晶圆级封装中形成通孔的方法，该方法包括：提供形成有第一芯片的器件晶圆，器件晶圆的正面或背面通过芯片连接薄膜粘贴有多个第二芯片；在所述器件晶圆的与粘贴有多个所述第二芯片的一面相背的另一面上形成具有开口的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜对所述器件晶圆和所述芯片连接薄膜分别执行两次以上的刻蚀以形成贯穿所述器件晶圆和所述芯片连接薄膜的通孔，其中，每进行一次刻蚀所述芯片连接薄膜的步骤之前，进行一次刻蚀所述器件晶圆的刻蚀，并且仅在对所述芯片连接薄膜进行最后一次刻蚀时刻穿所述芯片连接薄膜。该晶圆级封装中形成通孔的方法可以避免通孔制作芯片连接薄膜刻蚀孔径大的问题。
技术研发人员：刘孟彬
受保护的技术使用者：中芯集成电路（宁波）有限公司
技术研发日：2018.01.24
技术公布日：2018.07.27