技术特征：
技术总结
本公开涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。在一种用于在绝缘体上硅衬底之上形成的半导体器件的制造方法中，在宽有源区中的第一半导体层的外周端部之上部分地形成第一外延层。然后，在窄有源区和宽有源区中的第一半导体层的每个之上形成第二外延层。由此，在宽有源区中形成由第一半导体层以及第一和第二外延层的层叠体配置的第二半导体层，并且在窄有源区中形成由第一半导体层和第二外延层的层叠体配置的第三半导体层。
技术研发人员：槙山秀树
受保护的技术使用者：瑞萨电子株式会社
技术研发日：2018.01.30
技术公布日：2018.09.07